PlayNitride自曝Micro LED轉移良率達99.9％，8月底開始試產

公司董事長兼首席執行官Charles Li稱，PlayNitride將于2019年8月底開始試產Micro LED芯片。Charles Li表示：PlayNitride已籌集了5000萬美元的資金用于Micro LED生產，并將員工人數擴大到100人。

業內人士透露：Micro LED芯片制程中的技術瓶頸在于，要將尺寸小于100μm的芯片以陣列形式轉移到基板上，良率達到99.999％，難度極大，使得Micro LED顯示屏的成本非常高。

“實際上99.999％的良率沒有必要，PlayNitride的轉移良率已達到至少99.9％，欠缺的部分可以通過檢測修復來彌補”Charles Li說，“在轉移速度方面，PlayNitride已達到了10,000顆/秒的水平。”

PlayNitride計劃將Micro LED芯片率先用于大尺寸電視、智能可穿戴設備和車用顯示。

Charles Li表示：“公司已經擁有超過10個潛在客戶。在大尺寸電視的應用上，Micro LED應該與OLED、液晶展開差異化競爭，例如，可以定制電視機尺寸和分辨率，并與周圍環境無縫貼合。”

此外，PlayNitride與PMOLED面板制造商RiTdisplay合作開發的，用于智能可穿戴設備的彩色Micro LED顯示器，預計將于2019年下半年開始生產。

還有消息人士透露，PLayNitride目前是三星電子Micro LED芯片的獨家供應商，三星電子將于2019年第三季度推出家用模塊化微型LED電視The Wall Luxury。

月前，PLayNitride與臺灣工研院、聚積科技、欣興電子合作研發的MicroLED也曝出新進展：芯片尺寸在100μm以內，間距約700μm以下、分辨率為96x160pixel的顯示模組，實現了到PCB基板上的RGB三色轉移。

早在5月14日，PLayNitride還與錸寶科技達成策略結盟，定下第*階段目標：共同開發量產3英寸以下小尺寸彩色Micro LED。

在當天的美國SID展上，PLayNitride還展出了7.56英寸、720x480（114 PPI）的Micro LED顯示器，透明度高于60％，邊框小于0.8毫米。該顯示器由天馬提供LTPS TFT背板，PlayNitride提供LED芯片和轉移技術。

今年1月9日，PlayNitride與AIXTRON（愛思強）達成合作，獲得了制造GaN的AIX G5 + C MOCVD系統，兩家通過簽署聯合合作協議，在技術和商業上邁出了堅實一步。

責編：鄧蕊玲