文章轉(zhuǎn)載自：中國電子報(bào)

1月12日，臺積電公布了2022年第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告，總營收折合人民幣約1379億元，同比增長42.8%，與第三季度相比增長2%；純利潤約655.8億元，同比增長78%，比第三季度增長5.4%。2022年第四季毛利率達(dá)到62.2%，5納米與7納米制程芯片銷售金額分別占到臺積電當(dāng)季銷售總額的32%和22%，先進(jìn)制程銷售額超過臺積電當(dāng)季總營收的一半。

2023半導(dǎo)體市場下滑4%，臺積電下調(diào)一季度預(yù)期

12日的法說會上，臺積電總裁魏哲家預(yù)測，2023年上半年，全球半導(dǎo)體庫存水位將大幅降低，并逐漸平衡到健康水平。他預(yù)計(jì)，2023年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場產(chǎn)出將下滑4%，晶圓代工產(chǎn)業(yè)則減少3%。臺積電2023年上半年收入也將同比出現(xiàn)個(gè)位數(shù)的下降，但仍將會繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品組合種類及目標(biāo)市場。至于庫存調(diào)整何時(shí)結(jié)束，魏哲家預(yù)測稱，全球半導(dǎo)體市場有望在2023年下半年實(shí)現(xiàn)復(fù)蘇，屆時(shí)臺積電應(yīng)收也將有所增長。

關(guān)于臺積電2023年一季度的業(yè)務(wù)，臺積電CFO黃仁昭下調(diào)了其預(yù)期，預(yù)計(jì)一季度收入將在167億美元至175億美元之間，毛利率約為53.5%至55.5%。黃仁昭表示，調(diào)整預(yù)期的原因主要是當(dāng)前工廠產(chǎn)能利用率較低、客戶進(jìn)一步調(diào)整庫存水平和不利的匯率。此外，研發(fā)費(fèi)用占到臺積電2022年凈收入的7.2%，而隨著公司持續(xù)加大技術(shù)投入，2023年研發(fā)費(fèi)用將同比增長約20%，約占2023年總營收的8%至8.5%。

關(guān)于2023年庫存水位的調(diào)整，當(dāng)前業(yè)界的聲音基本一致，認(rèn)為當(dāng)前正處于各廠商去庫存階段，晶圓廠產(chǎn)能利用率不足。芯謀研究企業(yè)服務(wù)部總監(jiān)王笑龍?jiān)诮邮苡浾卟稍L時(shí)表達(dá)了相似的觀點(diǎn)：“2023年下半年市場將會回溫，雖然很難判斷明確的拐點(diǎn)，但能夠確定明年半導(dǎo)體市場走勢將相對平緩。”

2nm工藝首次更換晶體管架構(gòu)

關(guān)于臺積電先進(jìn)制程情況，魏哲家表示，臺積電7納米、6納米制程的產(chǎn)能利用率低于3個(gè)月前的預(yù)期。他認(rèn)為7納米、6納米的低產(chǎn)能利用率將持續(xù)到2023年上半年，因?yàn)榘雽?dǎo)體供應(yīng)鏈庫存需要幾個(gè)季度才能重新回歸正常水平。魏哲家表示，當(dāng)前臺積電正在與客戶密切合作，開發(fā)差異化技術(shù)，以推動來自消費(fèi)射頻連接等領(lǐng)域的消費(fèi)。針對投資者提出的許多模擬產(chǎn)品并不需要先進(jìn)工藝制程的疑問，魏哲家表示，越來越多的計(jì)算功能將被應(yīng)用到產(chǎn)品中，包括WiFi、射頻芯片等，都需要非常高的計(jì)算性能，同時(shí)要求更低的功耗，而只有領(lǐng)先的工藝節(jié)點(diǎn)才能滿足這些要求。

臺積電3納米產(chǎn)品于2022年第四季度投產(chǎn)，魏哲家預(yù)計(jì)，在高性能計(jì)算和智能手機(jī)等應(yīng)用的推動下，3納米產(chǎn)品將在2023年實(shí)現(xiàn)市場平穩(wěn)增長，并表示客戶將在2024年、2025年及之后對3納米產(chǎn)品有強(qiáng)勁的需求。結(jié)合臺積電在7納米、6納米等制程產(chǎn)品出現(xiàn)的產(chǎn)能利用率降低的現(xiàn)狀，有投資者對臺積電如何避免類似現(xiàn)象出現(xiàn)在3納米節(jié)點(diǎn)上提出了疑問。針對這一問題，魏哲家回應(yīng)稱，他認(rèn)為當(dāng)前芯片需求減弱主要是受到新冠病毒感染的影響，而這種情況很大程度上不會再發(fā)生。

在此次法說會上，臺積電透露，2nm工藝也正在積極研發(fā)中，預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)。與此同時(shí)，臺積電將在2nm工藝中首次更換晶體管架構(gòu)，從FinFET轉(zhuǎn)至GAA。雖然這項(xiàng)變動臺積電“落后”了三星整整三年，但也不難看出，臺積電為了保證芯片良率，在更換晶體管架構(gòu)方面比較保守。據(jù)了解，三星首批搭載GAA晶體管架構(gòu)的3nm芯片良率只有10%～20%，過低的良率導(dǎo)致三星2023年的大部分訂單都被臺積電搶走，競爭相當(dāng)激烈。而臺積電計(jì)劃在2025年的2nm制程工藝上用上GAA晶體管架構(gòu)，也有較大的機(jī)率遭遇這樣的瓶頸期。

擬在日歐建廠

關(guān)于此前備受關(guān)注的臺積電資本預(yù)算情況，黃仁昭介紹稱，鑒于近期市場的不確定性，臺積電將適當(dāng)收緊資本支出。2022年，臺積電的資本支出在363億美元；而2023年，臺積電資本預(yù)算預(yù)計(jì)在320億至360億美元之間，其中約有70%分配給先進(jìn)工藝技術(shù)，20%用于專業(yè)技術(shù)，10%用于封裝、掩膜等方面。而在資本支出方面，黃仁昭重點(diǎn)介紹了對先進(jìn)制程的投資，他表示，用于3納米、2納米的研發(fā)支出將是先進(jìn)工藝技術(shù)方面投資的重點(diǎn)，設(shè)計(jì)新的晶體管架構(gòu)、購買新的設(shè)備等都將是投資的主要目標(biāo)。

關(guān)于臺積電未來的全球擴(kuò)張進(jìn)程，魏哲家表示，臺積電在美國的產(chǎn)能將實(shí)現(xiàn)增長。臺積電正在推進(jìn)建設(shè)亞利桑那州的的半導(dǎo)體工廠，F(xiàn)ab 1計(jì)劃在2024年進(jìn)行N4制程生產(chǎn)，F(xiàn)ab2計(jì)劃在2026年生產(chǎn)N3制程。臺積電也在考慮在日本建立新工廠，發(fā)展12納米/16納米和20納米/28納米工藝，預(yù)計(jì)在2024年底實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。中國臺灣地區(qū)則將布局臺積電最先進(jìn)的產(chǎn)能，N3產(chǎn)品已經(jīng)在臺南實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，計(jì)劃2025年在新竹和臺中量產(chǎn)N2制程產(chǎn)品。黃仁昭表示，28納米及以下制程的海外產(chǎn)能占比將在未來5年或更長的時(shí)間內(nèi)會占到臺積電總體產(chǎn)能的20%或更多。除此之外，臺積電稱正在與歐洲客戶合作，評估建廠的可能性，將聚焦在汽車特殊工藝，重點(diǎn)關(guān)注客戶需求、政府支持水平。

至于在不同地區(qū)建廠的成本，黃仁昭表示，在美建廠的建設(shè)成本約比在中國臺灣地區(qū)建廠高出4~5倍。高昂的成本包括根據(jù)職業(yè)安全和健康法規(guī)獲得許可的人工成本、近年來的通貨膨脹成本以及人員和學(xué)習(xí)成本。