焦點 | 國星光電Micro LED新進展

    在顯示技術領域，Micro LED和Mini LED是近年十分火熱的兩個概念，它們賦予了LED更多應用的可能性，可往如電視、顯示器、車載顯示等需要更高分辨率的應用場景延伸，市場前景廣闊，潛力強勁。

    Mini LED顯示

    像素點間距在0.3-1.0mm之間，采用普通或巨量轉移方式將正裝/倒裝芯片轉移到基板上生成顯示產品。

    Micro LED顯示

    像素點間距≤0.3mm，采用巨量轉移技術將倒裝芯片/垂直芯片鍵合到TFT玻璃背板或CMOS背板上生成顯示產品。

    在應用市場方面，Mini LED目前主要應用在大尺寸電視顯示上，在小尺寸顯示應用的超高清顯示，Mini LED較難突破技術極限，Micro LED應運而生。

    據LEDinside在2019年的報告中指出，Micro LED各項功能性指標（PPI、亮度、功耗、薄度等）均表現優異，未來成長空間巨大，市場規模有望達到300-400億美元。

    一、四大挑戰

    Micro LED顯示產業化前行受阻

    Micro LED前景雖可期，但現階段的技術尚不到位。由于Micro LED需要處理極高數量與極小尺寸的芯片，在其顯示封裝技術與產業化面臨多項挑戰：

    ▌結構設計

    傳統分立器件貼裝結構，除我司獨有的IMD封裝技術外，其他均難以達到P0.X要求，超薄、超高清等顯示要求對Micro LED顯示封裝結構提出新挑戰；

    ▌工藝開發

    Micro LED顯示制造技術從實現路徑到成本良率面臨諸多挑戰，包括芯片制造、巨量轉移與鍵合、全彩化顯示等技術難題；

    ▌可靠性

    Micro LED顯示屏用器件劇增，巨量集成導致焊接、封裝質量和壞點維修難度大；

    ▌系統集成

    系統關鍵技術指標暫無統一規范的指導標準，Micro LED顯示暫無豐富內容和終端支持。

    二、持續創新

    國星Micro LED領域再獲突破

    打破Micro LED關鍵技術難點，需要開發適合Micro LED的工藝技術路線，并有新材料、新設備配套支持。國星光電作為國內知名封裝龍頭，一直高度關注Micro LED顯示技術的進展，堅持自主創新，協同產業鏈各環節，力克技術難關，積極投入技術研發和產品布局。

    2020年6月，國星第1代Micro LED顯示新品 nStarⅠ正式面世，采用玻璃基板工藝，具備更高精度，更高透過率的優勢；采用RGB芯片巨量轉移技術，色域大于100%NTSC，使全彩化顯示更真實；采用一體式超薄封裝技術，可兼顧散熱與顯示一致性；同時具備更低能耗與更高可靠性的優勢，實現被動式驅動Micro LED全彩顯示屏。