巨量轉(zhuǎn)移是錯(cuò)誤方向？Micro LED量產(chǎn)或迎來(lái)新轉(zhuǎn)機(jī)

   據(jù)報(bào)道，著*商業(yè)信息提供商IHS Markit稱，全球micro-LED顯示器市場(chǎng)將從今年微不足道的水平上升至2026年的1550萬(wàn)臺(tái)。PMOLED面板制造商錸寶科技(RiTdisplay)日前表示，預(yù)計(jì)全球首批使用了其Micro LED顯示模塊制造的Micro LED智能手表將于2020年面世。

   華創(chuàng)證券指出，隨著未來(lái)幾年制造成本的下降，Micro LED的定價(jià)也將下降，這將使得該技術(shù)逐漸被智能手表、電視、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)和智能手機(jī)等應(yīng)用所接受。作為新一代顯示技術(shù)，Micro LED在技術(shù)壽命、對(duì)比度、能耗、反應(yīng)時(shí)間與可視角等均勝過(guò)傳統(tǒng)LCD。目前國(guó)際大廠蘋果、三星、LG等大廠早已積極布局Micro LED技術(shù)。最近Mciro LED技術(shù)又取得不少新進(jìn)展……

   不需巨量轉(zhuǎn)移，就可實(shí)現(xiàn)Micro LED量產(chǎn)

   由臺(tái)灣中央大學(xué)光電系陳升暉教授帶領(lǐng)的萌芽新創(chuàng)團(tuán)隊(duì)Microluce近期發(fā)表Micro LED磊晶技術(shù)，透過(guò)高能物理在低溫狀態(tài)下即可長(zhǎng)出高品質(zhì)氮化鎵薄膜，完全拋棄主流的巨量轉(zhuǎn)移制程，成本僅是現(xiàn)有微發(fā)光二極體顯示器的十分之一，具有量產(chǎn)潛力，相關(guān)技術(shù)已獲得了臺(tái)灣及美國(guó)專利。

   巨量轉(zhuǎn)移是現(xiàn)今Micro LED顯示器最重要的步驟，已發(fā)展近十年，但該團(tuán)隊(duì)認(rèn)為巨量轉(zhuǎn)移是錯(cuò)誤方向，主要因現(xiàn)今的LED晶粒須覆晶制程及結(jié)構(gòu)弱化等程序，藍(lán)綠光材料是氮化鎵，紅光材料是砷化鎵，兩種材料的驅(qū)動(dòng)電壓不同，驅(qū)動(dòng)電路將造成困難，尤其成本考量上，壞點(diǎn)修復(fù)問題不易克服，因此難以量產(chǎn)。

   該團(tuán)隊(duì)透過(guò)高能物理的方式，突破以往一千度以上的高溫限制，在低溫狀態(tài)下即可長(zhǎng)出高品質(zhì)的氮化鎵薄膜，溫度可控制在500至700度左右；面版尺寸可從2英吋至12英吋，可隨著制程設(shè)備等比例放大，并結(jié)合大數(shù)據(jù)分析，找出*佳磊晶模式。

   現(xiàn)今巨量轉(zhuǎn)移2K畫素的MicroLED面板成本高于33萬(wàn)臺(tái)幣，該團(tuán)隊(duì)自主開發(fā)的磊晶板，搭配奈米材料技術(shù)可達(dá)到全彩化的微發(fā)光二極體顯示效果，一片面板的成本僅現(xiàn)有的十分之一，深具量產(chǎn)潛力。（來(lái)源：中時(shí)電子報(bào)）

   在低電流下也可高效發(fā)光的GaN Micro LED

   CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)總研）和東北大學(xué)于2019年7月宣布，他們開發(fā)了一種在電流密度較低情況下也能保持發(fā)光效率的GaN（氮化鎵）Micro LED。他們?cè)囎龅腉aN Micro LED尺寸僅為6μm見方，如果把這款GaN Micro LED以較高的密度排列的話，就可以獲得高效率、高分辨率的Micro LED顯示屏。

   此次研究成果得益于以下成員：產(chǎn)總研氮化物半導(dǎo)體先進(jìn)設(shè)備（Device）開放創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室(Open Innovation Laboratory ) GaN光設(shè)備小組的王學(xué)論(實(shí)驗(yàn)室組長(zhǎng))、電子光學(xué)技術(shù)研究部門的朱俊元客座研究員、納米電子（Nano Electronics）研究部門的遠(yuǎn)藤和彥(研究小組組長(zhǎng))、日本東北大學(xué)流體科學(xué)研究所創(chuàng)新能源（Innovative Energy）研究中心負(fù)責(zé)人兼材料科學(xué)高等研究所主任研究員的寒川誠(chéng)二教授（同時(shí)兼任產(chǎn)綜研納米電子研究部門的特定研究員(Fellow) ）。

   Micro LED作為可穿戴設(shè)備的顯示設(shè)備而頗受關(guān)注。然而，如果是采用一般的電感耦合等離子體（ICP,Inductive Coupled Plasma）蝕刻技術(shù)的制造工藝，因等離子的影響，LED的側(cè)面容易出現(xiàn)缺陷。特別是，LED的尺寸越小，有缺陷的側(cè)面的比例就越高。據(jù)說(shuō)電流密度區(qū)域如果在20A/cm2以下，發(fā)光效率會(huì)急劇下降。

   本次研究中，產(chǎn)總研致力于研究通過(guò)中性粒子光束蝕刻（Beam Etching）技術(shù)制作具有GaN納米結(jié)構(gòu)的LED；日本東北大學(xué)開發(fā)了對(duì)半導(dǎo)體材料幾乎不會(huì)產(chǎn)生損傷的中性粒子光束蝕刻技術(shù)（Beam Etching）。兩家單位通過(guò)合作，共同開發(fā)了GaN Micro LED。

   該研究小組此次采用了中性粒子光束蝕刻（Beam Etching）技術(shù)和傳統(tǒng)的ICP蝕刻（Etching）技術(shù)，分別制作了4種不同尺寸（40μm見方、20μm見方、10μm見方、6μm見方）的GaN Micro LED。

產(chǎn)總研和東北大學(xué)合作制作的GaN Micro LED模式圖 （圖片來(lái)源：產(chǎn)總研、東北大學(xué)）

   關(guān)于此次試做的Micro LED，調(diào)查了作為表示發(fā)光效率的指標(biāo)之一的外部量子效率和電流密度的依存關(guān)系。結(jié)果，通過(guò)ICP蝕刻技術(shù)制作的Micro LED的尺寸在20μm以下的情況下，且電流密度區(qū)域?yàn)?0A/cm2以下時(shí)，發(fā)光效率急劇下降。然而，利用中性粒子光束蝕刻技術(shù)制作的Micro LED的尺寸即使減小到6μm，發(fā)光效率也幾乎沒有下降。

分別采用ICP蝕刻技術(shù)（左）、中性粒子光束蝕刻技術(shù)（右）試做的Micro LED的外部量子效率和電流的依存關(guān)系 （圖片來(lái)源：產(chǎn)總研、東北大學(xué)）

   此外，關(guān)于6μm的Micro LED，當(dāng)電流密度為5A/cm2時(shí)，比較了采用兩種技術(shù)后的發(fā)光效率。結(jié)果，利用中性粒子光束蝕刻技術(shù)試做的產(chǎn)品的發(fā)光效率幾乎是ICP蝕刻技術(shù)的5倍。

利用新技術(shù)和傳統(tǒng)技術(shù)試做的GaN Micro LED 的發(fā)光效率的比較（圖片來(lái)源：產(chǎn)總研、東北大學(xué)）

   若使用6μm的Micro LED，顯示屏的分辨率就會(huì)超過(guò)2000像素（Pixel）/英寸，那么就可以應(yīng)用于虛擬現(xiàn)實(shí)（AR）、擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)（XR）的頭戴式顯示屏（Head Mount Display）等用途。

   與傳統(tǒng)的液晶屏、有機(jī)EL顯示屏相比，Micro LED顯示屏的功耗不及它們的1/10，輝度是它們1萬(wàn)多倍，分辨率是它們的10倍左右。此次開發(fā)的Micro LED的發(fā)光色為藍(lán)色。今后，計(jì)劃制作綠色、紅色的Micro LED，并實(shí)現(xiàn)全彩色（Full Color）的Micro LED顯示屏。(來(lái)源：CINNO Research）

   四方合力研發(fā)Micro LED，實(shí)現(xiàn)RGB全彩

   中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院（以下簡(jiǎn)稱為“臺(tái)工研院”）攜手LED驅(qū)動(dòng)IC廠聚積科技、PCB廠欣興電子與半導(dǎo)體廠錼創(chuàng)科技，四方合力研發(fā)的次世代顯示技術(shù)微發(fā)光二極管（Micro LED）又有新進(jìn)展。繼去年展出全球第*個(gè)直接轉(zhuǎn)移至PCB基板的Micro LED顯示模塊后，時(shí)隔一年再公開的合作結(jié)晶成功實(shí)現(xiàn)了「RGB」全彩，但小小一塊板子背后所要解決的技術(shù)問題盡是挑戰(zhàn)。

   1、紅光良率不比藍(lán)綠，弱化結(jié)構(gòu)更是難題

   Micro LED技術(shù)談了好多年，眾所周知這是一門需要顛覆傳統(tǒng)制程、牽涉產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域甚廣的破壞式創(chuàng)新技術(shù)，各個(gè)技術(shù)環(huán)節(jié)對(duì)領(lǐng)域?qū)＜叶远加胁灰淄黄频钠款i。去年臺(tái)工研院與三廠合作開發(fā)的被動(dòng)矩陣式驅(qū)動(dòng)超小間距Micro LED顯示模塊，成功將Micro LED陣列芯片直接轉(zhuǎn)移到PCB基板，只是RGB全彩獨(dú)缺紅光。經(jīng)過(guò)一番努力，今年總算是讓紅光「亮」了相。

   有別于先前6cm x 6cm的Micro LED顯示模塊，間距（Pitch）小于800μm、分辨率80 x 80pixel，新版模塊尺寸為6cm x 10cm，間距約在700μm 以下、分辨率96 x 160pixel，LED芯片尺寸則同樣在100μm內(nèi)。從前端制程到后端轉(zhuǎn)移，臺(tái)工研院電光所智能應(yīng)用微系統(tǒng)組副組長(zhǎng)方彥翔博士提到兩大技術(shù)難題，一是紅光芯片利用率與良率不足，二是「弱化結(jié)構(gòu)」。

2018年所展出的超小間距Micro LED顯示模塊獨(dú)缺紅光，間距小于800μm、分辨率80 x 80pixel

2019年新版Micro LED顯示模塊成功達(dá)成RGB，間距約700μm以下、分辨率96 x 160pixel

   「以芯片利用率和良率來(lái)看，紅光還是問題，」方彥翔以4英寸LED晶圓為例指出，晶圓扣除2mm外徑后，可用區(qū)域的良率在單一標(biāo)準(zhǔn)值下或許可達(dá)99％，也就是單看波長(zhǎng)（Dominant Wavelength，Wd）、驅(qū)動(dòng)電壓（Forward Voltage，Vf）或反向漏電（流）（Reverse Leakage (Current)，Ir）；但若三項(xiàng)數(shù)值標(biāo)準(zhǔn)都要兼?zhèn)洌w良率很可能不到60％，尤其紅光受限于材料與特性，或許連50％良率都未必能達(dá)到。

   光看可用區(qū)域的良率并不夠，方彥翔表示，Micro LED制程下需要針對(duì)轉(zhuǎn)移的面積去定義良率。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，假設(shè)巨量轉(zhuǎn)移模塊的轉(zhuǎn)移面積是6cm x 3cm，就表示在該矩形區(qū)域（block）里的Micro LED陣列芯片都必須符合前述三項(xiàng)良率標(biāo)準(zhǔn)，不能有壞點(diǎn)才能進(jìn)行轉(zhuǎn)移，也就是說(shuō)整片晶圓里可能只有某個(gè)特定區(qū)塊符合所有標(biāo)準(zhǔn)，良率不夠穩(wěn)定導(dǎo)致能轉(zhuǎn)移的區(qū)域少、整片利用率也大幅下降。以目前產(chǎn)業(yè)最頂尖的技術(shù)來(lái)說(shuō)，晶圓芯片要做到超高均勻度都還有很大努力空間。

紅光受限于材料與特性，良率比藍(lán)光、綠光相對(duì)更低

   不僅Micro LED紅光良率有待改善，具有弱化結(jié)構(gòu)的Micro LED更是難求。

   弱化結(jié)構(gòu)是巨量轉(zhuǎn)移成功與否的一大關(guān)鍵。方彥翔說(shuō)明，Micro LED芯片在制程階段得先跟硅或玻璃等材質(zhì)的暫時(shí)基板接合，再透過(guò)雷射剝離（laser lift-off）去除藍(lán)寶石基板，接著以覆晶形式將原本的LED結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)、正面朝下，并使P型與N型電極制作于同一側(cè)，對(duì)于微縮到微米等級(jí)的Micro LED來(lái)說(shuō)又更具難度。

   為了讓Micro LED在巨量轉(zhuǎn)移的吸取過(guò)程中，能夠順利脫離暫時(shí)基板又不至破片，因此得在LED下方制作中空型的弱化結(jié)構(gòu)，也就是以小于1μm的微米級(jí)柱子支撐。當(dāng)轉(zhuǎn)移模塊向上吸取LED時(shí)，只要斷開柱子便能將Micro LED脫離暫時(shí)基板，再轉(zhuǎn)移下壓至TFT或PCB板上，但這一步驟也考驗(yàn)LED本身夠不夠強(qiáng)固、承受壓力時(shí)是否仍能保持完好，而紅光比起藍(lán)光和綠光相對(duì)更脆弱易破，加上PCB板粗糙度（roughness）較大、上下高低差大于200μm，稍微施壓不當(dāng)就可能降低紅光轉(zhuǎn)移成功率。

   至于玻璃基板則因?yàn)榇植诙葲]有PCB板來(lái)得大，Micro LED轉(zhuǎn)移難度也相對(duì)較低。去年臺(tái)工研院便展出過(guò)一款6cm x 6cm、間距約750μm、分辨率80 x 80pixel的Micro LED透明顯示模塊，所采用的就是超薄玻璃基板，技術(shù)上成功實(shí)現(xiàn)了RGB三色；而今年所制作的新版Micro LED透明顯示模塊，尺寸為4.8cm x 4.8cm，間距約375μm、分辨率120 x 120pixel，明顯比前一款的顯示效果更為細(xì)致。

2018年版Micro LED透明顯示模塊，間距約750μm、分辨率80 x 80pixel

2019年版Micro LED透明顯示模塊，間距約375μm、分辨率120 x 120pixel

   2、聚焦三大應(yīng)用：電競(jìng)屏幕、AR、透明顯示器

   Micro LED具備高亮度、高效率低功耗、超高分辨率與色彩飽和度、使用壽命較長(zhǎng)等特性，在電競(jìng)屏幕（Gaming Monitor）、擴(kuò)增實(shí)境（AR）、透明顯示器等應(yīng)用領(lǐng)域，要比OLED、LCD更能發(fā)揮優(yōu)勢(shì)，而這三大應(yīng)用也是臺(tái)工研院最為看好也正積極發(fā)展的方向。

   以電競(jìng)屏幕應(yīng)用來(lái)看，方彥翔提到目前市場(chǎng)上雖然已有次毫米發(fā)光二極管（Mini LED）技術(shù)切入，但始終是做為顯示器背光，Micro LED則可直接做為pixel顯示不需背光源。相較于Mini LED或同樣為自發(fā)光顯示技術(shù)的OLED，Micro LED對(duì)比度更高更純凈、顯色表現(xiàn)也更佳，在最關(guān)鍵的刷新率表現(xiàn)上也優(yōu)于OLED，而且無(wú)烙印或衰退問題，未來(lái)在高端消費(fèi)市場(chǎng)的發(fā)展?jié)摿ο喈?dāng)可期。

臺(tái)工研院Mini LED顯示模塊采用PCB基板，模塊尺寸6cm x 6cm、間距小于800μm、分辨率80 x 80pixel

   提到Micro LED應(yīng)用于AR的發(fā)展機(jī)會(huì)，方彥翔已不只一次表達(dá)過(guò)正面看法。他認(rèn)為Micro LED有機(jī)會(huì)在AR領(lǐng)域發(fā)展為顯示光源主流技術(shù)，但就技術(shù)而言還有很多難題有待克服，除了Micro LED RGB三色良率和效率問題需要重新調(diào)整外，若以單色Micro LED結(jié)合量子點(diǎn)（QD）色轉(zhuǎn)換材料的方式，也還有其他問題存在。

   而且，AR成像目前遇到的問題為系統(tǒng)光波導(dǎo)（Optical Waveguide）吸收率極高，因此若要在系統(tǒng)要求的低功耗前提下，Micro LED所需要的亮度將高達(dá)100萬(wàn)nits，別說(shuō)Micro LED現(xiàn)在還很難做到，連技術(shù)成熟的OLED和LCD都無(wú)法達(dá)到，更何況AR畫素密度約2,000ppi以上，間距在12.8μm左右，單一子畫素（Sub-pixel）必須微縮到4μm以下，Micro LED若以傳統(tǒng)制程進(jìn)行制作，效率將大幅下降，在一定功耗要求下，光要達(dá)到10萬(wàn)nits就已經(jīng)非常困難。

   「所以LED小于10μm以后，亮度就是另一個(gè)世界，」方彥翔說(shuō)，「要提升LED在AR上的效率，就必須從半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)和制程去改變，要有突破才有辦法達(dá)到」。盡管AR應(yīng)用可能還需要五年才有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)，但他認(rèn)為這確實(shí)是臺(tái)灣地區(qū)可以發(fā)展的Micro LED利基市場(chǎng)。

   至于臺(tái)工研院所開發(fā)的透明顯示器采被動(dòng)式無(wú)TFT，主要以3到4英寸模塊拼接形式，聚焦車載和被動(dòng)式應(yīng)用。提到透明顯示器車載應(yīng)用，方彥翔指出，OLED透明度雖然可達(dá)60％到70％，但分辨率難做高；Micro LED透明度可達(dá)70％以上，顯示也相對(duì)更清晰。目前臺(tái)工研院正與廠商進(jìn)行產(chǎn)品試做，也會(huì)持續(xù)發(fā)展有關(guān)應(yīng)用。

   方彥翔直言，Micro LED就技術(shù)開發(fā)來(lái)說(shuō)還需要一段時(shí)間，若朝OLED和LCD現(xiàn)有市場(chǎng)發(fā)展替代應(yīng)用已經(jīng)太晚，也不一定會(huì)有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，加上良率有限、成本難降，要跟技術(shù)成熟的LCD和OLED競(jìng)爭(zhēng)并不容易。但他相信，OLED或LCD達(dá)不到的技術(shù)就是Micro LED的機(jī)會(huì)，尤其電競(jìng)屏幕、AR和透明顯示器等高技術(shù)門檻的利基應(yīng)用，或許可為臺(tái)灣地區(qū)發(fā)展Micro LED的路上亮起希望。（來(lái)源：科技新報(bào)）

   聚積打造自有Mini LED/Micro LED模塊生產(chǎn)線

   LED驅(qū)動(dòng)IC廠聚積看好未來(lái)Mini LED／Micro LED市場(chǎng)發(fā)展，將全面打造自有Mini LED／Micro LED模塊生產(chǎn)線，已經(jīng)在桃園平鎮(zhèn)打造自有廠房，且第三季將會(huì)有機(jī)臺(tái)設(shè)備進(jìn)駐，預(yù)計(jì)第四季可望完成良率提升，有機(jī)會(huì)力拼年底開始量產(chǎn)出貨。

   Mini LED／Micro LED儼然成為新一代顯示技術(shù)，隨著各大廠已經(jīng)先后導(dǎo)入相關(guān)技術(shù)開發(fā)產(chǎn)品，未來(lái)市場(chǎng)一旦成熟，市場(chǎng)產(chǎn)值將會(huì)迅速擴(kuò)大。集邦咨詢LED研究中心（LEDinside）預(yù)計(jì)，到2023年Micro LED市場(chǎng)產(chǎn)值將高達(dá)42億美元。

   聚積看好未來(lái)Mini LED／Micro LED市場(chǎng)發(fā)展，現(xiàn)在已經(jīng)設(shè)立自有廠房，未來(lái)將可望全面自行量產(chǎn)Mini LED／Micro LED模塊。供應(yīng)鏈廠商表示，聚積已經(jīng)在桃園平鎮(zhèn)打造自有廠房，并將于第三季開始進(jìn)行進(jìn)駐機(jī)臺(tái)設(shè)備，同時(shí)將開始提升生產(chǎn)良率，預(yù)計(jì)第四季可望完成良率調(diào)整，屆時(shí)最快年底可望開始接單出貨。

   據(jù)了解，由于Mini LED／Micro LED模塊需要將大量芯片布滿在PCB上，光是一臺(tái)手機(jī)屏幕大小的Mini LED模塊就需要至少一萬(wàn)顆晶粒，隨著屏幕尺寸增加、使用數(shù)量更可能達(dá)到百萬(wàn)顆晶粒等級(jí)，因此才需要巨量移轉(zhuǎn)技術(shù)，同時(shí)將大量晶粒移轉(zhuǎn)到PCB，借此達(dá)到商用等級(jí)。

   法人表示，聚積目前在Mini LED模塊的巨量移轉(zhuǎn)技術(shù)上，良率已經(jīng)達(dá)到俗稱的「四個(gè)九」，也就代表良率已經(jīng)達(dá)99.99％，剩下極少數(shù)移轉(zhuǎn)失敗的芯片將再透過(guò)檢測(cè)技術(shù)挑出，重新將正常芯片移轉(zhuǎn)到PCB中。

   供應(yīng)鏈廠商表示，聚積當(dāng)前打造的生產(chǎn)線，現(xiàn)在除了正力拼Mini LED模塊量產(chǎn)之外，隨著Micro LED巨量移轉(zhuǎn)技術(shù)成熟，未來(lái)也可望在同個(gè)廠區(qū)進(jìn)行量產(chǎn)，成為聚積Mini LED／Micro LED的生產(chǎn)重鎮(zhèn)。

   此外，隨著傳統(tǒng)旺季到來(lái)，目前雖然中國(guó)大陸廠商受到美中貿(mào)易戰(zhàn)影響，對(duì)聚積的拉貨量略為降低，不過(guò)法人指出，聚積受惠于韓系廠商擴(kuò)大拉貨帶動(dòng)，將有機(jī)會(huì)填補(bǔ)減少的拉貨量，因此聚積第三季業(yè)績(jī)成長(zhǎng)依舊可期。

   聚積6月合并營(yíng)收達(dá)2.73億元（新臺(tái)幣，下同），第二季合并營(yíng)收季增17.46％至8.14億元，累計(jì)上半年合并營(yíng)收為15.07億元、年減1.21％，約略與2018年同期持平。（來(lái)源：Yahoo奇摩）

   雷曼光電正在研究巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)

   7月15日，雷曼光電接受機(jī)構(gòu)調(diào)研，就Micro LED顯示技術(shù)特點(diǎn)及Micro LED顯示市場(chǎng)前景進(jìn)行了交流。

   談到最近在行業(yè)內(nèi)引起較多關(guān)注的8K超高清Micro LED顯示屏，雷曼光電技術(shù)總監(jiān)屠孟龍表示，雷曼光電Micro LED顯示屏采用的是公司自主研發(fā)的新一代COB技術(shù)。COB（chip-on-board）是一種在基板上對(duì)多芯片封裝的技術(shù)。雷曼自主研發(fā)新一代COB小間距顯示技術(shù)，很好地解決了SMD分立器件LED小間距顯示技術(shù)的痛點(diǎn)，是融合了LED封裝與LED顯示的創(chuàng)新技術(shù)，這種多LED芯片集成封裝技術(shù)，與SMD封裝工藝最大的不同是省去了支架，同時(shí)也節(jié)省了顯示制作過(guò)程中燈珠過(guò)回流焊的工藝。基于COB技術(shù)的高清顯示產(chǎn)品具有高密度、高防護(hù)、高信賴性、高適應(yīng)性、高畫質(zhì)與使用成本低的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。相較于SMD小間距產(chǎn)品失效率大大降低，延長(zhǎng)了產(chǎn)品使用壽命、降低了使用成本。

   據(jù)他介紹，雷曼光電COB封裝目前階段采用的是PCB基板，PCB基板的品質(zhì)，是對(duì)高密度COB封裝的關(guān)鍵影響因素之一，進(jìn)入COB封裝工序的PCB必須接近零缺陷。芯片采用的是正裝或倒裝的100-200微米的LED芯片，并采用“單顆”“多顆”芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)，因?yàn)榭梢栽诩夹g(shù)成熟度、效率、良率、成本等各方面取得*佳平衡，是現(xiàn)階段成本最優(yōu)的COB技術(shù)路線，同時(shí)也是技術(shù)難度最大的技術(shù)路線，雷曼基于該方案的顯示產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量出貨，是未來(lái)兩年內(nèi)最具性價(jià)比的技術(shù)路線。其他關(guān)于芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)公司正在研究，隨著點(diǎn)間距持續(xù)下行，巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)成熟后能夠有效提高生產(chǎn)效率。

   公司COB小間距顯示技術(shù)通過(guò)圍繞COB進(jìn)行全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)集成創(chuàng)新，對(duì)LED芯片、PCB基板、驅(qū)動(dòng)IC提出更高可靠性封裝與長(zhǎng)期應(yīng)用要求，并圍繞COB高顯示品質(zhì)進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，包括LED芯片波長(zhǎng)、亮度選擇、封膠技術(shù)、在線維修技術(shù)、墨色一致性技術(shù)、制程良率控制技術(shù)、高可靠性技術(shù)等方面進(jìn)行創(chuàng)新，確保黑屏、亮屏顏色一致性；要求基板、固晶、焊線、封膠等每個(gè)環(huán)節(jié)，幾乎接近零缺陷，確保生產(chǎn)高良率；要求COB在客戶端使用失效率，低于傳統(tǒng)SMD小間距LED一個(gè)數(shù)量級(jí)，即小于10PPM。

   雷曼光電目前的COB技術(shù)產(chǎn)品生產(chǎn)良率能達(dá)到95%，后續(xù)隨著技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新改進(jìn)，良率還將持續(xù)提升。

   基于COB顯示技術(shù)的LED顯示面板具有更高的防護(hù)性能，更高的可靠性，更高的對(duì)比度，更加出色的畫質(zhì)，更加靈活快捷的拼接方式以及更高的壞境適應(yīng)性的優(yōu)點(diǎn)，是100吋以上大尺寸高清顯示的專業(yè)選擇，是目前P2mm至P0.5mmLED小間距的*佳技術(shù)和商業(yè)方案，公司基于COB技術(shù)的Micro LED顯示產(chǎn)品，是目前能夠?qū)崿F(xiàn)100英寸以上的超大屏幕技術(shù)中，已經(jīng)具備實(shí)現(xiàn)8K超高清顯示特性的唯*技術(shù)。

   此前，雷曼光電在北京正式發(fā)布推出超大尺寸的Micro LED顯示屏，可以實(shí)現(xiàn)8K的顯示分辨率，屏幕尺寸可以靈活拼接。8K超大屏幕擁有非常寬廣的應(yīng)用，可以用于政府、軍隊(duì)、交通、電力等部門的指揮監(jiān)控應(yīng)用，包括指揮中心、調(diào)度中心、控制中心、監(jiān)控中心等。在廣電傳媒領(lǐng)域，可以應(yīng)用于視頻演播等。在視頻會(huì)議系統(tǒng)領(lǐng)域，可以用于企業(yè)、政府、軍隊(duì)等部門的會(huì)議室、報(bào)告廳。在商業(yè)顯示領(lǐng)域，可以應(yīng)用于零售、酒店、商務(wù)會(huì)議等商用顯示、智能終端一體機(jī)等。在家用顯示領(lǐng)域，可以為家庭提供100英寸以上超高清電視。

   那么，Micro LED顯示屏或者說(shuō)LED小間距顯示市場(chǎng)前景如何？ 雷曼光電副總裁、董事會(huì)秘書羅竝表示，基于COB技術(shù)的小間距LED顯示屏技術(shù)是新一代高清LED顯示技術(shù)，融合了LED封裝與LED顯示的創(chuàng)新技術(shù)，具有非常明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。隨著“微顯示”時(shí)代的到來(lái)，Micro LED顯示技術(shù)正逐漸占領(lǐng)高清微顯示的制高點(diǎn)。當(dāng)前，8K在技術(shù)層面已具備落地能力，5G網(wǎng)絡(luò)全面應(yīng)用的時(shí)代亦即將到來(lái)。5G為8K視頻實(shí)時(shí)傳輸提供了高速通路，8K為5G超高速帶寬提供了巨量數(shù)據(jù)流量，基于COB技術(shù)的Micro LED微顯示作為8K超大屏幕顯示可以說(shuō)是正當(dāng)其時(shí)。這兩年小間距LED顯示的發(fā)展速度不斷提升，未來(lái)COB顯示技術(shù)將成為L(zhǎng)ED小間距高清顯示的主流，并快速滲透至商業(yè)顯示和民用顯示，市場(chǎng)空間可觀。

   對(duì)于與業(yè)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)，雷曼光電很有自信，羅竝指出，公司基于COB封裝技術(shù)的Micro LED顯示產(chǎn)品在去年便率先量產(chǎn)，并且具有更佳的性價(jià)比解決方案。公司作為老牌LED上市公司，具有十五年LED封裝研發(fā)及制造經(jīng)驗(yàn)；十四年LED顯示屏研發(fā)及制造經(jīng)驗(yàn)；五年以上COB小間距顯示研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，COB顯示技術(shù)具有較高的技術(shù)門檻，深度融合了封裝技術(shù)和顯示技術(shù)，故純LED封裝企業(yè)和純LED顯示屏企業(yè)想做COB顯示產(chǎn)品技術(shù)難度會(huì)很大，而且目前SMD仍是市場(chǎng)主流，轉(zhuǎn)型COB也會(huì)影響傳統(tǒng)技術(shù)企業(yè)的利益。所以，雷曼作為擁有完整封裝和顯示綜合產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)推出COB新技術(shù)具備天生優(yōu)勢(shì)，能夠脫穎而出。無(wú)論是從時(shí)間上還是技術(shù)上，公司的研發(fā)與生產(chǎn)都具有領(lǐng)先于同行業(yè)。

   另外公司作為上市公司，資產(chǎn)負(fù)債率較低，資金狀況良好，能夠支撐COB顯示產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)大，不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，提升新一代Micro LED顯示產(chǎn)品的市場(chǎng)占有率，為客戶提供性價(jià)比更高的優(yōu)質(zhì)顯示產(chǎn)品。