三安光電SiC業務爆發,利潤增長270%!
摘要:近期,三安光電公布了2023年半年報,報告期內整體營收約64.69億元,同比下降4.33%;歸屬于上市公司股東的凈利潤1.7億元,同比下降 81.76%;歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤為-5.55億元,總體情況大致與7月份公布的業績預告相符。
文章轉載自:中國半導體論壇
近期,三安光電公布了2023年半年報,報告期內整體營收約64.69億元,同比下降4.33%;歸屬于上市公司股東的凈利潤1.7億元,同比下降 81.76%;歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤為-5.55億元,總體情況大致與7月份公布的業績預告相符。
傳統LED業務需求低迷,SiC業務強勁增長
按業務板塊劃分,三安光電收入來源于LED業務、集成電路業務兩大板塊,,占比分別約為76%、24%。受LED終端市場消費需求低迷影響,三安LED芯片面臨降價壓力,營收和盈利能力均承壓。集成電路業務方面實現銷售收入15.22億元,同比增長4.14%;因碳化硅產能的持續釋放,成本降低,毛利率有所提高,加上砷化鎵射頻和氮化鎵射頻業務的推進,集成電路整體毛利率增加 7.75 個百分點。其中,主做碳化硅IDM業務的子公司湖南三安實現銷售收入5.82億元,同比增長178.86%;凈利潤為3.32億元,同比顯著增長266.99%。從產能來看,湖南三安現有SiC產能15,000片/月,較2022年底新增3,000片/月,提升25%,GaN-on-Si(硅基氮化鎵)產能2,000片/月。
化合物半導體龍頭押注SiC業務
根據三安光電官方披露,公司主要從事化合物半導體材料與器件的研發、生產及銷售,以氮化鎵、砷化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等化合物半導體新材料所涉及的外延片、芯片為核心主業。主要產品應用領域為LED產業、電力電子、射頻、光通訊、濾波器。
不難發現,三安光電在第二代與第三代化合物半導體上均有不少布局。其中SiC布局更是大動作不斷,除已投產的湖南三安外,也不乏與國內外知名車企及功率器件龍頭的合作:
2022年8月24日,理想汽車功率半導體研發及生產基地在江蘇蘇州高新區正式啟動建設,主要專注于第三代半導體碳化硅車規功率模塊的自主研發及生產。該生產基地由理想汽車與湖南三安半導體共同出資組建的蘇州斯科半導體公司打造,預計2022年內竣工后進入設備安裝和調試階段,2023年上半年啟動樣品試制,2024年正式投產后預計產能將逐步提升并最終達到240萬只碳化硅半橋功率模塊的年生產能力。根據2023半年報披露,蘇州斯科半導體已完成動力設備安裝、調試,待產線通線后進入試生產。
2023年6月7日,三安光電與意法半導體聯合宣布,雙方擬出資32億美元(約合人民幣228億元,三安持股51%,意法49%)在重慶合資建造一座8英寸碳化硅外延、芯片代工廠,新的SiC制造廠計劃于2025年第四季度開始生產,預計將于2028年全面落成,規劃產能為10,000片/周。同時,三安光電將在當地獨資建立一個8英寸碳化硅襯底工廠作為配套,預計投資總額70億元,達產后產能為48萬片/年,基本滿足合資工廠需求。
擴產項目井噴,國內外企業加速入局
得益于新能源汽車等行業快速發展,碳化硅功率器件迎來發展空間,國內外企業已經紛紛瞄準碳化硅擴產。
至今年8月,全球SiC產業鏈上下游龍頭宣布較大SiC金額投資,英飛凌、Wolfspeed、意法半導體、三菱電機、羅姆、Soitec、安森美等眾多企業紛紛擴產,新導入項目多以6、8英寸為主。其中,wolfspeed與英飛凌均號稱建設全球最大的8英寸SiC工廠。
國內企業方面,僅碳化硅相關擴產項目也達到7起。其中,中車時代電氣投資111.19億元計劃建設中低壓功率器件產業化項目,包括在宜興子項目(58.26億元)、株洲子項目(52.93億元),產能均為36萬片/年;長飛先進也擬建設第三代半導體功率器件生產項目,建設內容包括外延、晶圓制造、封測等產線,建設完成后將形成6英寸SiC晶圓及外延36萬片/年,功率器件模塊6100萬個/年;比亞迪則計劃斥資2億元,在深圳市坪山區比亞迪汽車生產基地建設SiC外延中試線量產項目,擴建后將新增SiC外延片產能6000片/年,總產能達18000片/年;天岳先進上海臨港項目擬通過優化生產工藝,調整生產那設備、原輔材料、公輔環保設施等方式提高產品質量及產量,調整后6英寸SiC襯底生產規模擴大至96萬片/年,產能將擴充220%。此外,南砂晶圓、利普斯半導體、中科意創等均發布擴產公告。
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體是戰略性新興產業的核心材料,在《“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要》中被列為重點;碳中和與新能源體系變革的背景下,在風電、光伏、新能源汽車、儲能等行業應用前景廣闊。
據行業機構預測,到2026年,碳化硅產品市場將達35億美元,氮化鎵功率產品市場需求增長到21億美元。近年來,國內企業如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項目,全產業鏈項目約26個,國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。
在碳化硅功率器件市場,受益于特斯拉的應用需求,意法半導體領先全球市場;Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環節技術含量密集,是投資和創新重點。碳化硅6英寸襯底技術已經穩定導入產業,8英寸襯底正在探索商業化量產,其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進最為迅速,國內企業在提供樣品或小規模供貨階段。
來源:三代半
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