文章轉(zhuǎn)載自：化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。

對(duì)于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個(gè)晶片的成本。

GaN有許多性能優(yōu)勢(shì)，包括遠(yuǎn)高于硅的電子遷移率（3.4eV對(duì)比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導(dǎo)效率的潛力。

值得注意的是，GaN的門極電荷（QG）較低，并且由于必須在每個(gè)開關(guān)周期內(nèi)對(duì)其進(jìn)行補(bǔ)充，因此GaN能夠以高達(dá)1MHz的頻率工作，效率不會(huì)降低，而硅則難以達(dá)到100 kHz以上。

此外，與硅不同，GaN沒(méi)有體二極管，其在AlGaN / GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導(dǎo)電流（稱為“第三象限”操作）。因此，GaN沒(méi)有反向恢復(fù)電荷（QRR），使其非常適合硬開關(guān)應(yīng)用。

GaN確實(shí)具有有限的雪崩能力，并且比硅更容易受到過(guò)電壓的影響，因此極其適用于漏-源電壓（VDS）鉗位在軌電壓的半橋拓?fù)?。無(wú)體二極管使GaN成為硬開關(guān)圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）的很好的選擇，并且GaN也非常適用于零電壓開關(guān)（ZVS）應(yīng)用，包括諧振LLC和有源鉗位反激。

45W至65W功率水平的快速充電適配器將得益于基于GaN的有源鉗位反激，而基于LLC的GaN用于150W至300W的高端筆記本電腦電源適配器中，例如用于游戲的筆記本電腦。在這些應(yīng)用中，使用GaN技術(shù)可使功率密度增加一倍，從而使適配器更小、更輕。特別的是，相關(guān)的磁性元器件能夠減小尺寸。例如，電源變壓器內(nèi)核的尺寸可從RM10減小為RM8的薄型或平面設(shè)計(jì)。因此，在許多應(yīng)用中，功率密度增加了一倍甚至三倍，達(dá)30W/in3。

在更高功率的應(yīng)用中，例如為服務(wù)器、云和電信系統(tǒng)供電的電源，尤其是基于圖騰柱PFC的電源，采用GaN可使能效超過(guò)99％。這使這些系統(tǒng)能夠滿足最重要的（和嚴(yán)格的）能效標(biāo)準(zhǔn)，如80+ titanium。

驅(qū)動(dòng)GaN器件的方法對(duì)于保護(hù)相對(duì)敏感的柵極氧化物至關(guān)重要。在器件導(dǎo)通期間提供精確調(diào)節(jié)的門極驅(qū)動(dòng)幅值尤為重要。實(shí)現(xiàn)此目的的一種方法是添加低壓降穩(wěn)壓器（LDO）到現(xiàn)有的硅MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器中。但這會(huì)損害門極驅(qū)動(dòng)性能，因此，盡量使用驅(qū)動(dòng)GaN的專用半橋驅(qū)動(dòng)器。

更具體地說(shuō)，硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器的典型傳輸延遲時(shí)間約為100ns，這不適合驅(qū)動(dòng)速度在500kHz到1MHz之間的GaN器件。對(duì)于此類速度，理想情況下，傳輸延遲應(yīng)不超過(guò)50ns。

由于電容較低，因此在GaN器件的漏極和源極之間有高電壓轉(zhuǎn)換率。這可能導(dǎo)致器件過(guò)早失效甚至發(fā)生災(zāi)難性故障，尤其是在大功率應(yīng)用中。為避免這種情況，必須有高的dv/dt抗擾度（在100V/ns的范圍內(nèi)）。