文章轉載自：LEDinside

據BusinessKorea報道，韓國科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一個團隊成功開發出一種能夠替代氮化鎵生產藍光LED的新型LED材料。據悉，這是韓國在努力減少在材料與零部件領域對日本的依賴之際實現的技術突破。

研究團隊使用由銅和碘合成的碘化亞銅（CuI）化合物來生產藍光，并發現碘化亞銅半導體發射出的藍光亮度是氮化鎵半導體的10倍以上。同時，碘化亞銅半導體在效率與設備長期穩定性方面的表現也更好。

據悉，LED需要紅綠藍LED來生產白光，而日本已經開發出制造高質量氮化鎵的方法，氮化鎵生產的藍光LED是智能手機、顯示器、電子產品及高頻設備等的核心器件。

KIST研究者開發出的碘化亞銅可在低成本的硅襯底上生長，且缺陷率低，因此碘化亞銅在使用目前已商用化的大尺寸硅襯底（300mm）上具備優勢。同時，碘化亞銅薄膜的生長溫度與硅基工藝中使用的溫度相似，即低于300攝氏度。因此，可在不犧牲其性能的條件下沉積碘化亞銅薄膜，鑒于此，它能夠應用到低成本、簡單的硅半導體工藝中。

該研究結果意義重大在于，在全球范圍內首次展示了采用銅鹵素化合物的半導體材料新技術，此技術通過在硅襯底上生長高質量銅鹵素單晶碘化亞銅并實現高效的藍光發射。此研究已發表在新一期《科學報告》（Scientific Reports）的在線版本上，這是一本來自自然科研(Nature Research)大家族的多學科開放獲取期刊。