重磅！三安光電擬333億元投建半導體相關產業項目

    三安光電發布公告，公司于2017年12月5日召開的第九屆董事會第五次會議審議通過了關于公司與福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府簽署《投資合作協議》的議案。

    根據協議約定，公司擬在福建省泉州芯谷南安園區投資注冊成立一個或若干項目公司（項目公司名稱待定，以下簡稱“項目公司”），投資總額333億元（含公共配套設施投資），全部項目五年內實現投產，七年內全部項目實現達產，經營期限不少于25年，達產后年銷售收入約270億元（按當前產品單價計算）。

    據公告顯示，產業化項目包括：高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發與制造產業化項目；高端砷化鎵LED外延、芯片的研發與制造產業化項目；大功率氮化鎵激光器的研發與制造產業化項目；光通訊器件的研發與制造產業化項目；射頻、濾波器的研發與制造產業化項目；功率型半導體（電力電子）的研發與制造產業化項目；特種襯底材料研發與制造、特種封裝產品應用研發與制造產業化項目。

    三安光電表示，公司主要從事III-V族化合物半導體材料的研發與應用，著重于砷化鎵、氮化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導體新材料所涉及到外延、芯片核心主業，努力打造具有國際競爭力的半導體廠商。

    此外，本次投資項目屬于國家著力打造的新興戰略性產業，具有節能環保等特點；符合公司產業發展方向和發展戰略，目的是把主業做大做強做精，可充分發揮公司產業協同效應，豐富公司產品類別，大力提升公司產品附加值，延伸公司產業鏈，有利于進一步擴大公司產能，鞏固公司行業地位，繼續提升市場占有率，開拓新的應用領域，打造具有全球影響力的化合物半導體企業。

責編：小瀞