韓國科研團隊成功研發出一種革新性高分子材料，該材料在提升顯示領域OLED元件的熱穩定性、發光效率及制造工藝效率方面展現出卓越性能，并可顯著降低生產成本。

執行此次研究的GIST及崇實大學共同研究團隊。（左起）GIST責任研究員姜洪奎、GIST博士張俊浩、崇實大學姜范求教授、崇實大學張宇宰學生（來源：GIST）

根據韓媒Herald經濟報道，韓國光州科學技術院（GIST）攜手崇實大學，由GIST新一代能源研究所的責任研究員姜洪奎與崇實大學姜范求教授共同領導的研究團隊，宣布了這一突破性進展。研究團隊開發出一種新型空穴傳輸層材料，可大幅提升OLED元件的性能。

在商業化線上設備中，OLED技術以其自發光的特性，不僅賦予畫面卓越的質感和清晰度，還能通過精準控制發光區域，并可有效降低顯示能耗。

然而，由于OLED自發光的特性結構，在特定圖像長期顯示時，畫面易發生燒屏(burn in)現象。長期使用下的屏幕老化和亮度衰減問題也一直是制約OLED技術發展的瓶頸。為此，最近為提升OLED的性能并降低生產成本的研究正積極展開。

現有的基于PEDOT的空穴傳輸層在熱穩定性和溶劑穩定性方面存在問題，研究團隊為克服該問題，研發出基于聚（三苯胺）的新型材料。該材料不僅解決了上述問題，還憑借其卓越的耐溶劑性，在超過200°C的高溫處理下依然保持穩定，確保了在溶液工藝中不發生空穴傳輸層的破壞，使溶液工藝得以順利進行。

本次研究聚焦于基于聚（三苯胺）的新型空穴傳輸層材料的合成和特性分析上。研究團隊采用活性陰離子聚合方法成功聚合成單量體，并將其命名為“poly(A)”

研究的核心成果——“poly（A）”聚合物，其分子量精確可控且分子量分布狹窄。采用該材料制作的OLED器件與使用現有的PEDOT相比，實現了最大亮度15,900 cd/m2與最大發光效率4.8 cd/A，性能分別提升了4倍與9倍以上。

另外，該材料還具備417°C的高分解溫度和205°C的玻璃化轉變溫度，確保了極高的熱穩定性。同時，該材料還適用于溶液工藝，因此可替代高成本的蒸鍍工藝，有效降低生產成本。

GIST責任研究員姜洪奎稱，“此項研究為OLED制造工藝的效率化提升開辟了新的可能性，開發出適合大規模生產的材料，具有重大意義”，并稱“這一成果將為OLED產業的蓬勃發展注入強勁動力，我們將通過持續不斷地研究，開發出更加高效、經濟的OLED制造工藝。”

該研究得到了包括韓國研究財團（NRF）的個人基礎研究事業（基礎研究）、大學重點研究所支援事業、納米工廠利用支援事業和GIST新一代能源研究所的支持，并于7月3日已發表于高分子領域國際著 名學術期刊《European Polymer Journal》線上版上。