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AR顯示之硅基Micro LED技術問題及全彩化分析

類別:行業新聞發表于:2024-07-12 09:56

摘要:Micro LED以微米級LED作為像素發光單元,具有高亮度、高對比度、高像素密度、可拼接等多重優勢。目前被認為是最適合AR的顯示技術。

Micro LED以微米級LED作為像素發光單元,具有高亮度、高對比度、高像素密度、可拼接等多重優勢。目前被認為是最適合AR的顯示技術。

據悉,目前AR頭顯中,MicroOLED以輕量化、高像素密度、對比度、響應時間、功耗等方面的優勢,逐漸成為近年來新晉發布AR頭顯的主流顯示方案。不過由于在亮度方面的缺陷,MicroOLED主要搭配Birdbath、自由曲面等光利用率高、而輕型化受限化的光學方案,在頭顯效果上,更適合室內應用。而Micro LED,通過硅基技術結合微米級LED,可滿足高像素密度、高亮度、低功耗等一系列AR頭顯的性能要求,也可結合光波導光學方案,實現設備輕型化。

因此,從應用需求角度而言,AR頭顯將是Micro LED技術革新的最大驅動力。尤其,在蘋果取消Micro LED智能手表項目之后,這一訴求變得更為關鍵和迫切。

Micro LED各項參數優勢顯著,體積更小。Micro LED是基于LED的微型顯示技術,每個像素均可自主發光,Micro LED有高密度和低密度之分,應用于ARVR的是高密度Micro LED,PPI>2000,LED顆粒尺寸僅1-10μm。Micro LED核心優勢在于:1)亮度高(亮度十萬甚至百萬尼特,搭配衍射光波導入眼亮度可達1000nit以上);2)響應速度快(納秒級別);3)體積更小,適合消費級AR(JBD Micro LED全彩光機“蜂鳥”0.4cc,對比LBS/Micro OLED 0.5-1cc,新型LCOS/DLP 1-2cc),此外還具備對比度高、色域廣、功耗低、使用壽命長等優點。

AR Micro LED不涉及巨量轉移技術,但存在側壁效應、紅光效率低、全彩化技術復雜等難點。

一、AR Micro LED不涉及巨量轉移技術:巨量轉移(將LED硅晶圓基板上生長的Micro LED轉移到驅動背板)是MicroLED量產制造核心難題,轉移良率和精準度要求極高,但由于AR顯示器面積小,像素尺寸和間距只有幾微米,不涉及巨量轉移技術。

二、Micro LED側壁效應:Micro LED像素尺寸縮小、芯片的周長面積比增大,導致側壁的表面復合增多,非輻射復合速率變大,從而致使光電效率下降,此外器件制備過程中的ICP刻蝕也會加重側壁缺陷,側壁效應會影響Micro LED實際功耗表現。

三、 Micro LED紅光效率不足:藍光、綠光LED是在藍寶石、碳化硅或硅襯底上生長 InGaN 等三元材料,紅光 LED 大多是在GaAs 襯底上生長 AlGaInP 四元材料,相較于藍綠光,AlGaInP紅光Micro LED尺寸減小導致效率下降更為明顯。材料創新

(例如InGaN紅光Micro LED )和技術優化是解決Micro LED紅光效率不足的主要途徑,2023年10月JBD宣布其0.13英寸Micro LED紅光芯片亮度突破100萬尼特大關,其中,新一代AlGaInP 外延技術極大減弱了 Micro LED 表面非輻射復合影響,延緩了紅光 Micro LED 在<5um 尺寸下的光效急劇衰減的趨勢,結合芯片鈍化技術,進一步突破了紅光尺寸效應瓶頸。

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Micro LED全彩化技術復雜:全彩Micro LED量產難度和成本較高,應用產品較少,據LEDinside統計,2023年有9款Micro LED AR眼鏡發布/上市(2022年僅3款),其中6款是單色Micro LED。當前Micro LED全彩化技術主要分為三類:合色技術、量子點技術和單片堆疊技術。

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一、合色技術:目前AR領域全彩Micro LED已量產的技術是合色技術,1)X-Cube合色(棱鏡合色):R、G、B三個單色面板分別固定在X-cube(棱鏡)三個面,三色通過X-cube合色后通過第四個面發出,并由一組微透鏡準直和投射,X-cube方案模組體積小于1.4cc。2)光波導合色:使用R、G、B三個獨立單色光機進行合色,一般搭配多層光波導/多個波導耦入口實現合色。

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二、 量子點技術:通過UV/藍光LED發光激發量子點或熒光粉材料實現色彩轉換,由于熒光粉粒徑較大,一般采用量子點,量子點被激發后易于調控出射光的發射波長,可以發出RGB三色光,通過色彩配比實現全彩化。由于量子點具有較窄的半峰寬和較寬的吸收光譜,且發光效率很高,因此顯示的色彩純度和飽和度較高。目前量子化技術實際應用的挑戰主要在于材料穩定性差、壽命短、顏色均勻性不佳等問題。

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三、單片堆疊技術:單片式全彩Micro LED具備更廣泛的應用價值,視場角更大、光機體積更小,簡化了AR眼鏡系統級集成,減少了光學損耗,可實現更高的波導準直效率。1)2023年2月MIT團隊使用二維材料層轉移開發出全彩垂直堆疊Micro LED,陣列密度達5100PPI,尺寸僅4μm,堆疊結構高度9μm;2)2023年8月JBD發布全球首款0.22英寸2K分辨率單片全彩垂直堆疊Micro LED原型Phoenix,Phoenix原型疊層總厚度小于5μm,可最大限度地減少腔體內的吸收損耗,加上原生外延材料能夠發出高通量密度的光,最終可實現高達100萬尼特亮度,此外,全原生色彩方案能夠實現窄的半峰全寬FWHM光譜,色彩質量和純度更高,該原型計劃于 2025 年批量生產。

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來源:顯示世界

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