這些LED相關公司榮獲國家科學技術進步獎

2024年6月24日，2023年度國家科學技術獎勵大會在北京人民大會堂隆重舉行。

今年的獎項分布和獲獎特點：

國家最 高科學技術獎2人：分別授予武漢大學李德仁院士、清華大學薛其坤院士；

國家自然科學獎49項：一等獎1項，二等獎48項；

國家技術發明獎62項：一等獎8項，二等獎54項；

國家科學技術進步獎139項：特等獎3項，一等獎16項，二等獎120項；

中華人民共和國國際科學技術合作獎：10人。

三安集成

榮獲國家科學技術進步一等獎

其中，三安光電全資子公司三安集成與西安電子科技大學、華為、中興通訊、中國電子科技集團公司第十三研究所等單位共同完成的“高能效超寬帶氮化鎵功率放大器關鍵技術及在5G通信產業化應用”項目，獲得2023年度國家科學技術進步獎一等獎。

該項目解決了高品質氮化鎵（GaN）射頻功放芯片在5G通信產業化應用方面的技術難題，使得GaN器件在5G移動基站實現規模應用，確保我國基站用GaN器件及工藝處于國際領先地位。

三安集成在該項目中承擔了氮化鎵功率放大器關鍵技術的的研發和產業化工作，建立了自主工藝技術平臺，與高校、通訊龍頭企業協作攻克了5G移動通信基站用寬帶、高效、高線性功率放大器核心工藝技術，形成了自主知識產權氮化鎵功放芯片制造工藝技術解決方案，并通過了5G組件和系統的應用驗證，實現了在客戶端的穩定批量出貨。

5G技術對于射頻功放的工作頻率、能效、帶寬和線性度均提出了更高的要求，氮化鎵作為第三代半導體材料具備相較傳統硅基射頻器件更好的高頻特性，被業界認為是目前5G基站功放的最優解決方案。該項目成果即有效地滿足了我國5G基站對高性能氮化鎵功放的迫切需求，為我國在新一代移動通信技術領域的國際領先地位奠定了重要基礎，并取得了顯著的經濟和社會效益。據中國信通院白皮書發布信息，截至2023年10月底，國內已部署開通5G基站累計321.5萬個，估算2023年5G直接帶動經濟總產出1.86萬億元，間接帶動總產出4.24萬億元。

三安集成成立于2014年，持續投入氮化鎵、砷化鎵射頻芯片的制程研發和制造，于廈門和泉州布局了大規模射頻芯片產業鏈，主營業務包括氮化鎵射頻功放代工、砷化鎵射頻功放代工、射頻封測代工和濾波器產品，應用涵蓋民用基站、智能手機、Wi-Fi和物聯網等領域，在國內射頻芯片制造領域占據重要份額。據了解，三安集成作為全球通信基站廠商的主要供應商之一，根據公司供應的晶圓數量計算，已占到全球約20%份額。

值得一提的是，本次獲獎已是三安光電第二次榮獲國家科學技術進步獎一等獎。2020年1月，三安光電以“高光效長壽命半導體照明關鍵技術與產業化”項目，與中國科學院等聯袂榮獲2019年度國家科學技術進步獎一等獎。

杭州士蘭微電子

榮獲國家科學技術進步二等獎

此外，杭州士蘭微電子股份有限公司參與的“功率MOS與高壓集成芯片關鍵技術及應用”項目榮獲國家科技進步二等獎。該項目主要完成單位包括電子科技大學、上海華虹宏力半導體制造有限公司、華潤微電子控股有限公司。

該項目突破了功率高壓MOS集成耐壓瓶頸，通過產學研合作，創建了三類具有國際先進水平的功率半導體制造量產工藝平臺，為全球200余家企業提供了芯片制造服務，提升了我國功率高端芯片國際競爭力，推動了中國功率半導體行業進步。

士蘭微電子成立于1997年，2003年3月在上海證券交易所主板上市，已發展成為國內主要的綜合型半導體設計與制造（IDM）企業之一。公司專注于硅半導體和化合物半導體產品的設計、制造和封裝，其技術水平、營業規模、盈利能力等各項指標在國內同行中均名列前茅。