文章轉(zhuǎn)載自：果殼硬科技

五年前，蘋(píng)果iPhone X開(kāi)始搭載OLED（有機(jī)小分子電致發(fā)光顯示）屏幕；2021年，蘋(píng)果在新款MacBook Pro上搭載了新的顯示技術(shù)：Mini-LED（次毫米發(fā)光二極管）。但Mini-LED不是終點(diǎn)站，蘋(píng)果涉足的另一項(xiàng)儲(chǔ)備技術(shù)，新秀Micro-LED（微米發(fā)光二極管）顯示技術(shù)或有望一統(tǒng)江湖。

之所以升級(jí)顯示技術(shù)，都是為了看得更清晰、更還原真實(shí)世界。不過(guò)目前，搭載Micro-LED技術(shù)的產(chǎn)品過(guò)于昂貴，如三星110英寸的Micro-LED電視，價(jià)格已超過(guò)百萬(wàn)元，普通人根本無(wú)福消受。那么Micro-LED產(chǎn)品價(jià)格何時(shí)才能親民，手機(jī)平板何時(shí)才能上Micro-LED屏幕？我們拭目以待，在本文中，你將了解到：

Micro-LED為什么被稱(chēng)作終極顯示技術(shù)，

Micro-LED的產(chǎn)業(yè)化難點(diǎn)，

Micro-LED市場(chǎng)情況。

改變?nèi)祟?lèi)生活的顯示技術(shù)

簡(jiǎn)單來(lái)講，可以把Micro-LED理解成將LED縮放到極小尺寸的一種新型顯示技術(shù)。其未來(lái)應(yīng)用有望涉及顯示器、電視、手機(jī)平板顯示、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí)/混合現(xiàn)實(shí)（AR/VR/MR）、空間顯示、柔性透明顯示、可穿戴/可植入光電器件、光通訊/光互聯(lián)、醫(yī)療探測(cè)、智能車(chē)燈等領(lǐng)域。

通常，業(yè)界使用兩種方法界定Micro-LED的技術(shù)規(guī)格。

一是通過(guò)芯片尺寸界定，將LED芯片縮放至小于100μm，便可稱(chēng)為Micro-LED芯片（也有學(xué)者認(rèn)為應(yīng)以50μm為界）。根據(jù)觀看距離和人眼的極限分辨率，對(duì)芯片尺寸的要求也不同：

VR/AR應(yīng)用觀看距離約5cm，像素密度要達(dá)到1800PPI左右，此時(shí)Micro-LED芯片尺寸為3~5 μm；

10英寸~12英寸的平板至少要達(dá)到300PPI的像素密度，對(duì)應(yīng)芯片尺寸為20~30μm；

75英寸的電視則只需43PPI，芯片尺寸往往為200μm左右。[1]

不同應(yīng)用對(duì)Micro-LED芯片尺寸的要求

參考資料丨《電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備》[2]

另一種是通過(guò)工藝界定，由于Micro-LED芯片尺寸非常小，其長(zhǎng)寬甚至比芯片的高度還小，導(dǎo)致芯片高度大于固晶面尺寸，不利于芯片在基板上固定，因此會(huì)比傳統(tǒng)LED增加一步激光剝離芯片基板的操作。

縱觀整個(gè)顯示行業(yè)，技術(shù)持續(xù)涌現(xiàn)，目前市場(chǎng)主流技術(shù)包括TFT-LCD（薄膜晶體管液晶顯示）、AMOLED（主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示）、QD-OLED（混合OLED和QLED的技術(shù)）、QNED（以藍(lán)光LED作為光源的QD-OLED顯示）、Mini-LED、Micro-LED、Micro-OLED。

可以簡(jiǎn)單將現(xiàn)階段顯示技術(shù)分為LCD、OLED、QLED、Micro-LED四個(gè)大類(lèi)，其他技術(shù)是在此基礎(chǔ)上的改良版或過(guò)渡版，而Micro-LED被部分學(xué)者認(rèn)為是理想的顯示技術(shù)，是新型顯示時(shí)代的終極目標(biāo)，有望替代現(xiàn)階段大面積使用的LCD和OLED。

從黑白到高清彩色，CRT技術(shù)滿(mǎn)足了一代人對(duì)影響世界的夢(mèng)想。從又厚又重到平板顯示，LCD和OLED滿(mǎn)足了人們對(duì)輕薄、便攜、對(duì)視力友好的要求。而現(xiàn)階段，唯 一能達(dá)到更接近現(xiàn)實(shí)，甚至是能夠騙過(guò)人眼的下一代顯示技術(shù)，是Micro-LED。[3]

行業(yè)人士認(rèn)為，當(dāng)多種顯示技術(shù)集中爆發(fā)后，最終可能只會(huì)有一兩種技術(shù)能主導(dǎo)市場(chǎng)，而最有希望的無(wú)疑是Micro-LED。[1]

主流顯示技術(shù)的分類(lèi)

參考資料丨《Micro LED顯示研究報(bào)告（2019）》[4]，《電子工業(yè)專(zhuān)業(yè)設(shè)備》[2]

Micro-LED憑什么能獲得如此高的評(píng)價(jià)？因?yàn)樗粌H擁有LED的大部分優(yōu)點(diǎn)，還具有高亮度、高分辨率、高響應(yīng)速度、低功耗、體積小、易拆解、靈活度高、無(wú)拼縫等特征，能夠覆蓋絕大多數(shù)顯示應(yīng)用場(chǎng)景[5]。與此同時(shí)，它的響應(yīng)速度能夠達(dá)到幾十納秒，沒(méi)有殘像且不存在壽命問(wèn)題。[3]

除此之外，對(duì)比LCD、OLED、QLED等前輩，Micro-LED的主要性能參數(shù)均較為優(yōu)異。

現(xiàn)代顯示技術(shù)比較[1]

過(guò)渡技術(shù)已大規(guī)模商業(yè)化

Micro-LED還有一個(gè)近親：Mini-LED，可以將后者理解為L(zhǎng)ED與Micro-LED間的過(guò)渡技術(shù)。由于技術(shù)原理極為類(lèi)似，業(yè)界普遍將二者歸結(jié)于一個(gè)路線(xiàn)中，有些情況也會(huì)被合稱(chēng)為MLED。

作為前序技術(shù)，Mini-LED主要解決的問(wèn)題是芯片尺寸斷層問(wèn)題，相關(guān)技術(shù)發(fā)展對(duì)Micro-LED具備一定的借鑒作用，其芯片尺寸一般為75μm~300μm。

LED全景圖[6]

Mini-LED要比Micro-LED實(shí)現(xiàn)起來(lái)簡(jiǎn)單地多，不僅在芯片尺寸上更容易被實(shí)現(xiàn)，而且在材料上也沒(méi)有科學(xué)性的難題，已被量產(chǎn)投入到市場(chǎng)中，蘋(píng)果、三星、TCL等品牌已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。

但Mini-LED與Micro-LED有不同應(yīng)用場(chǎng)景，市面上Mini-LED一般作為L(zhǎng)CD背光源出現(xiàn)，再結(jié)合量子點(diǎn)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高動(dòng)態(tài)范圍顯示，而Micro-LED則直接用于制作顯示像素[7]。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，市售的Mini-LED顯示器本質(zhì)上還是LCD，Mini-LED只是LCD的一個(gè)陪襯，而Micro-LED顯示器則直接發(fā)光成像。[8]

自2018年開(kāi)始，面板廠商陸續(xù)發(fā)布使用Mini-LED作為背光的樣機(jī)，產(chǎn)品尺寸達(dá)到152.4mm~685.8mm（6~27英寸），至今為止，Mini-LED背光的顯示器已擁有1398mm（55英寸）、1651mm（65英寸）、1905 mm（75英寸）和2159 mm（85英寸）等型號(hào)，可達(dá)8K分辨率、120Hz刷新率的高指標(biāo)，可將現(xiàn)有顯示器對(duì)比度由10000∶1拉升至1000000∶1。[9]

Mini-LED產(chǎn)業(yè)化行徑明晰，已具備一定出貨量。2021年，全球中尺寸Mini-LED背光面板出貨量達(dá)740萬(wàn)片。到2023年，智能汽車(chē)將成為Mini-LED的新陣地。[10]

基于Mini-LED背光產(chǎn)品的發(fā)展路線(xiàn)[9]

作為中間過(guò)渡的Mini-LED產(chǎn)業(yè)一派欣欣向榮之勢(shì)，而Micro-LED依然小眾，那想讓么Micro-LED出圈，究竟難在哪里？

想造，沒(méi)那么容易

Micro-LED什么都好，就是貴。究其原因，在于制造環(huán)節(jié)的難題較多，導(dǎo)致難以大量生產(chǎn)、良率較低，引發(fā)價(jià)格攀升。

從表面看，Micro-LED芯片只是將LED芯片微縮化，但實(shí)際情況遠(yuǎn)比想象中要難。從毫米級(jí)到微米級(jí)轉(zhuǎn)換的過(guò)程，本質(zhì)是LED微小化、薄膜化和矩陣化，在該過(guò)程中材料生長(zhǎng)、器件制備、驅(qū)動(dòng)技術(shù)、生產(chǎn)工藝等步驟都發(fā)生了變化，最終產(chǎn)生質(zhì)變。[11]

Micro-LED采用的是RGB（紅綠藍(lán)）顏色標(biāo)準(zhǔn)，由于是自發(fā)光元件，想讓Micro-LED顯現(xiàn)圖像，就要分別做出三基色的發(fā)光芯片，以此構(gòu)成一個(gè)個(gè)像素。

用不同材料，可以制備不同顏色的Micro-LED芯片，如InGaN/GaN基材料用于制備綠光/藍(lán)光Micro-LED陣列，AlInGaP/GaAs基材料用于制備紅光Micro-LED陣列，藍(lán)寶石、砷化鎵和硅等襯底上生長(zhǎng)外延層，制備Micro-LED陣列。[12]

從襯底到產(chǎn)品，Micro-LED顯示器會(huì)經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)、芯片制造、巨量轉(zhuǎn)移、性能檢測(cè)四大工藝。

Micro-LED器件制造工藝流程[2]

Micro-LED器件制造簡(jiǎn)述和難點(diǎn)

參考資料《激光與光電子學(xué)進(jìn)展》[13]，《電子工業(yè)專(zhuān)業(yè)設(shè)備》[2]

從技術(shù)上來(lái)看，芯片制備相關(guān)的材料和設(shè)備上相對(duì)成熟，問(wèn)題癥候在于制造環(huán)節(jié)，具體來(lái)說(shuō)，Micro-LED的壁壘包括以下幾點(diǎn)：

都是小惹的禍

對(duì)芯片來(lái)說(shuō)，尺寸做得越小，制造難度就越大，Micro-LED亦如此。Micro-LED芯片的尺寸實(shí)在太小了，將其制作成各種顯示器件時(shí)，都要考慮小尺寸帶來(lái)的影響。

要取得小尺寸的Micro-LED，就要使用微縮制程技術(shù)，將LED芯片微縮后到滿(mǎn)足應(yīng)用要求的尺寸。微縮制程技術(shù)包括芯片焊接、晶圓焊接、薄膜轉(zhuǎn)移三種路徑，技術(shù)實(shí)施得越好，像素密度就會(huì)越高。

微縮制程技術(shù)實(shí)現(xiàn)的三種路徑

參考資料丨《Micro-LED技術(shù)路線(xiàn)圖（2020版）》[6]，有刪改

Micro-LED還有個(gè)不得不面對(duì)的致命問(wèn)題：在微縮過(guò)程中，時(shí)常會(huì)產(chǎn)生側(cè)壁缺陷。比如，同樣是2μm的誤差缺陷，在250μm×250μm尺寸的LED上，剩余可使用率為97%，但在5μm×5μm的Micro-LED上，剩余可使用率僅為4%。[14]

誤差缺陷導(dǎo)致芯片使用率大幅度降低[14]

不僅如此，Micro-LED芯片尺寸越小，電感耦合等離子體（ICP）刻蝕區(qū)域（側(cè)壁）與有源區(qū)體積的比率就會(huì)越大，刻蝕損傷所形成的缺陷占比越高[15]。導(dǎo)致非輻射復(fù)合比例逐漸上升，發(fā)光效率和使用壽命下降。如尺寸從400μm減小至20μm，電流密度光效下降比例可達(dá)50%[7]。這還會(huì)導(dǎo)致有源區(qū)內(nèi)肖克利·雷德·霍爾（SRH）非輻射復(fù)合幾率增加、輻射復(fù)合幾率和發(fā)光效率降低、引入新的漏電通道加重器件反向漏電。這些問(wèn)題，在尺寸小于10μm的Micro-LED上尤為顯著。[16]

芯片尺寸問(wèn)題還會(huì)讓提高驅(qū)動(dòng)器與Micro-LED陣列集成的效率和穩(wěn)定性成為難題。簡(jiǎn)言之，量產(chǎn)LED或是Mini-LED的工藝流程，對(duì)Micro-LED來(lái)說(shuō)可能不再適用。

巨量轉(zhuǎn)移的困境

LED顯示器的每個(gè)像素點(diǎn)都由點(diǎn)陣組合而成，一個(gè)個(gè)小LED芯片組成的陣列的間距基本一致。Micro-LED也是同理。制造出芯片后，也要將大批量的Micro-LED芯片定點(diǎn)巨量地轉(zhuǎn)移到電路基板上，這個(gè)過(guò)程就是“巨量轉(zhuǎn)移”。

與傳統(tǒng)的LED不同，Micro-LED的巨量轉(zhuǎn)移不僅對(duì)轉(zhuǎn)移精度、轉(zhuǎn)移速率、色彩均勻度的控制有更高要求，轉(zhuǎn)移數(shù)量也更大，4K的Micro-LED顯示器需完成兩千多萬(wàn)顆的Micro-LED芯片倒裝，而8K則達(dá)到了上億顆。[17]

目前巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)有多種技術(shù)方案，包括精準(zhǔn)拾取技術(shù)、激光釋放技術(shù)、流體自組裝技術(shù)及滾輪轉(zhuǎn)印技術(shù)等，不同技術(shù)擁有不同特性，但都存在一定弊端。

Micro-LED芯片巨量轉(zhuǎn)移方式[2]

具體來(lái)說(shuō)，精準(zhǔn)拾取技術(shù)對(duì)轉(zhuǎn)移設(shè)備精準(zhǔn)度及穩(wěn)定度要求極高；激光釋放技術(shù)在實(shí)施過(guò)程中可能會(huì)對(duì)芯片表面造成損傷，降低良率，此外激光設(shè)備價(jià)格昂貴；流體組裝技術(shù)需經(jīng)歷3次才能完成轉(zhuǎn)移，效率較低；滾輪轉(zhuǎn)印技術(shù)可在柔性基底上實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)移，但同樣需要3次轉(zhuǎn)移才能完成巨量轉(zhuǎn)移。[17]

部分方法在實(shí)驗(yàn)室可達(dá)99.99%的良率，但比起至少要達(dá)到99.9999%良率的產(chǎn)業(yè)化要求，相差距離較大。業(yè)界正在探尋一種易實(shí)現(xiàn)、良率高又較為便宜的技術(shù)方案。[18]

繽紛色彩背后的挑戰(zhàn)

為什么顯示器能夠呈現(xiàn)得如此豐富多彩？因?yàn)轱@示界普遍采用了RGB（紅綠藍(lán)）顏色系統(tǒng)，通過(guò)RGB三原色疊加合成，能夠?qū)崿F(xiàn)肉眼可見(jiàn)的大部分色彩。想要Micro-LED能夠正確描繪出畫(huà)面，就要做好色彩方案，即全彩化。

Micro-LED彩色化主要有兩種解決方案：一種是藍(lán)色源轉(zhuǎn)色方案，但色轉(zhuǎn)換材料存在涂布均勻性和信賴(lài)性等問(wèn)題，應(yīng)用較少；另一種是直接使用LED的RGB三色方案，但對(duì)Micro-LED來(lái)說(shuō)，這種方案并不是拿來(lái)就能用，需要對(duì)LED大小進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，此外由于各色波長(zhǎng)均一性差異，還會(huì)面臨光效率和良率不足的問(wèn)題。[14]

不同彩色化技術(shù)[17]

產(chǎn)業(yè)鏈上的難題

造出Micro-LED芯片并不代表著結(jié)束，要讓它真正顯現(xiàn)在人們眼前，在多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域上都要有所突破。

與其它芯片技術(shù)相同，Micro-LED也將牽扯龐大的產(chǎn)業(yè)鏈與原材料問(wèn)題，從原料到點(diǎn)亮屏幕，分為上游、中游和下游，每個(gè)環(huán)節(jié)都與最終成品息息相關(guān)，其中較為關(guān)鍵的技術(shù)包括驅(qū)動(dòng)IC、驅(qū)動(dòng)背板和封裝。[19]

Mirco-LED顯示產(chǎn)業(yè)鏈[19]

產(chǎn)業(yè)正蓄勢(shì)待發(fā)

作為終極目標(biāo)，Micro-LED無(wú)疑是顯示領(lǐng)域的明星。

2000年以來(lái)，得州理工大學(xué)教授提出Micro-LED的概念，堪薩斯州立大學(xué)制備基于Ⅲ族氮化物Micro-LED[20]，學(xué)術(shù)界自此掀起研究浪潮。尤其在2006年后，開(kāi)始呈指數(shù)型增長(zhǎng)。谷歌學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)顯示，截止目前，Micro-LED領(lǐng)域已有近6000篇文獻(xiàn)。

世界各地研究機(jī)構(gòu)與廠商也相繼投入Micro-LED的研究，在消費(fèi)電子巨頭牽動(dòng)下，Micro-LED初步產(chǎn)業(yè)化。

2012年，索尼發(fā)布55英寸高清Micro-LED電視面板Crystal LED，它是首個(gè)作為商業(yè)產(chǎn)品出現(xiàn)的產(chǎn)品；

2014年，蘋(píng)果公司收購(gòu)Lux Vue，入場(chǎng)Micro-LED的技術(shù)研究，這項(xiàng)技術(shù)真正開(kāi)始進(jìn)入大眾視野，迄今為止，蘋(píng)果不僅持續(xù)推動(dòng)Micro-LED技術(shù)發(fā)展，還發(fā)布了多款Mini-LED相關(guān)產(chǎn)品；

2018年，三星于CES展推出全球首款模組化拼接的146英寸Micro-LED TV“The Wall”；

2020年12月，三星發(fā)售110英寸Micro-LED電視；

2021年1月，Vuzix發(fā)布首款商業(yè)化的Micro-LED AR智能眼鏡。[17]

從專(zhuān)利上來(lái)看，2002年～2014年，Micro-LED專(zhuān)利申請(qǐng)總量較小。而自2017年開(kāi)始，申請(qǐng)量開(kāi)始大幅提升。[21]

Micro-LED發(fā)展歷程[12]

由于技術(shù)難題較多，現(xiàn)階段Micro-LED整體市場(chǎng)規(guī)模有限，業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，Micro-LED在2024年將實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用化。[22]

據(jù)Research And Markets統(tǒng)計(jì)，2020年，Micro-LED的全球市場(chǎng)規(guī)模為10億美元，預(yù)計(jì)到2027年將以77.1%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)[23]。另?yè)?jù)高工產(chǎn)研LED研究所（GGII）預(yù)測(cè)，2025年全球市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)35億美元，2027年有望突破100億美元[24]。反觀國(guó)內(nèi)方面，有望在大規(guī)模商用化之后沖擊800億元市場(chǎng)規(guī)模。[22]

Micro-LED技術(shù)路線(xiàn)圖[6]

目前市場(chǎng)側(cè)Micro-LED應(yīng)用分為兩大方向，一是以蘋(píng)果為代表的可穿戴市場(chǎng)，另一個(gè)是以三星、索尼為代表的超大尺寸電視市場(chǎng)。短期來(lái)看，市場(chǎng)將集中在超小型顯示器上，中長(zhǎng)期來(lái)看，Micro-LED將會(huì)橫跨可穿戴設(shè)備、超大室內(nèi)外顯示屏幕、抬頭顯示器（Head-Up Display，HUD）、車(chē)尾燈、AR/VR/MR、投影機(jī)等多領(lǐng)域。[25]

推進(jìn)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)主要包括三類(lèi)：第 一類(lèi)為傳統(tǒng)LED芯片和封裝企業(yè)，如日亞、晶電Lumens等企業(yè)；第二類(lèi)為T(mén)FT-LCD和OLED等新型顯示企業(yè)，如京東方；第三類(lèi)為終端企業(yè)，如索尼、三星、LG。

產(chǎn)業(yè)化形式上則以合作為主，Micro-LED以定制化設(shè)計(jì)為主，加之技術(shù)要求較高，行業(yè)呈現(xiàn)高度整合態(tài)勢(shì)，面板、芯片、巨量轉(zhuǎn)移及驅(qū)動(dòng)IC等廠商抱團(tuán)式發(fā)展。[26]

國(guó)際上，相關(guān)融資也此起彼伏，目標(biāo)均指向大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。

2022年1月~11月中旬Micro-LED國(guó)際相關(guān)融資不完全統(tǒng)計(jì)

Micro-LED在國(guó)內(nèi)也受到熱捧，在政策上不斷傾斜，且投融資動(dòng)作頻繁。《2022 Mini/Micro LED顯示產(chǎn)業(yè)白皮書(shū)》顯示，僅2022年1月~8月，國(guó)內(nèi)就有30多家企業(yè)有投資動(dòng)作，涉及資金總計(jì)達(dá)415億元。[10]

我國(guó)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)也紛紛在LED、巨量轉(zhuǎn)移、彩色化、檢測(cè)、修復(fù)等關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)展技術(shù)合作，形成“京東方+華燦光電”“三安+華星光電”“富采+錼創(chuàng)+友達(dá)+群創(chuàng)”三大陣營(yíng)[27]。與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)已展開(kāi)可穿戴顯示、高清移動(dòng)顯示、車(chē)載顯示、高清大尺寸顯示、超大尺寸拼接商用顯示樣機(jī)的研發(fā)及試產(chǎn)工作。[18]

2022年1月~11月中旬Micro-LED國(guó)內(nèi)相關(guān)融資不完全統(tǒng)計(jì)

References：

[1] 季洪雷, 張萍萍, 陳乃軍, 等. Micro-LED顯示的發(fā)展現(xiàn)狀與技術(shù)挑戰(zhàn)[J]. 液晶與顯示, 2021, 36(8):1101-1112. DOI：10.37188/CJLCD.2021-0063.

[2] 蔡克新. Micro-LED 顯示器量化生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)[J]. 電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備, 2021.

[3] 楊小慧.二維到三維的突破——未來(lái)選擇Micro-LED——專(zhuān)訪(fǎng)國(guó)際信息顯示學(xué)會(huì)（SID）全球財(cái)務(wù)長(zhǎng)、福州大學(xué)特聘教授嚴(yán)群博士[J].光電子技術(shù),2022,42(03):167-168.

[4] 賽迪智庫(kù)：Micro LED顯示研究報(bào)告（2019）.2019.4.8.

[5] 常鵬, 翟玥, 吳娜, 等. 鉀離子摻雜CsPbCl3：Mn鈣鈦礦量子點(diǎn)的熒光性能[J]. 液晶與顯示, 2021, 36(10):1352-1361. DOI：10.37188/CJLCD.2021-0161.

[6] CSIA：Micro-LED技術(shù)路線(xiàn)圖（2020版）.

[7] 周律, 鄭華, 張聲浩, 等. Micro-LED顯示及其驅(qū)動(dòng)技術(shù)的研究進(jìn)展[J]. 液晶與顯示, 2022, 37(11):1395-1410. DOI：10.37188/CJLCD.2022-0157.

[8] 《化合物半導(dǎo)體》：從 Mini-LED 到 Micro-LED 顯示器.2021.7.21.

[9] 季洪雷, 陳乃軍, 王代青, 等. Mini-LED背光技術(shù)在電視產(chǎn)品應(yīng)用中的進(jìn)展和挑戰(zhàn)[J]. 液晶與顯示, 2021, 36(7):983-992. DOI：10.37188/CJLCD.2021-0042.

[10] 《上海證券報(bào)》：《2022 Mini/Micro LED顯示產(chǎn)業(yè)白皮書(shū)》發(fā)布.2022.10.14.

[11] TIAN P F， MCKENDRY J J D， GU E D， et al. Fabrication， characterization and applications of flexible vertical InGaN micro-light emitting diode arrays ［J］. Optics Express，2016，24（1）：699-707.  doi: 10.1364/oe.24.000699

[12] 周律, 鄭華, 張聲浩, 等. Micro-LED顯示及其驅(qū)動(dòng)技術(shù)的研究進(jìn)展[J]. 液晶與顯示, 2022, 37(11):1395-1410. DOI：10.37188/CJLCD.2022-0157.

[13] 季淵, 許怡晴, 陳寶良, 等. 硅基微顯示器發(fā)展現(xiàn)狀與研究進(jìn)展[J]. 激光與光電子學(xué)進(jìn)展, 2022, 59(20): 2011007-2011007-12.

[14] 陳躍,徐文博,鄒軍,石明明,張子博,龐爾躍,李超,邵鵬睿,徐慧.Micro LED研究進(jìn)展綜述[J].中國(guó)照明電器,2020(02):10-17+21.

[15] HUANG Y G， HSIANG E L， DENG M Y， et al. Mini-LED， Micro-LED and OLED displays：present status and future perspectives ［J］. Light：Science & Applications， 2020， 9：105.  doi: 10.1038/s41377-020-0341-9

[16] WIERER JR J J， TANSU N. III-nitride micro-LEDs for efficient emissive displays ［J］. Laser & Photonics Reviews， 2019， 13（9）：1900141.  doi: 10.1002/lpor.201900141

[17] 張麗,黃志正,畢乾,張哲,樊磊.Micro-LED顯示及驅(qū)動(dòng)IC技術(shù)[J].微納電子與智能制造,2021,3(04):24-31.

[18] 耿怡.Micro-LED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化研究進(jìn)展[J].微納電子與智能制造,2021,3(03):4-7.DOI:10.19816/j.cnki.10-1594/TN.2021.03.004.

[19] 利亞德：Micro-LED顯示技術(shù)及應(yīng)用白皮書(shū).

[20] Jin S X, Li J, Li J Z, et al. GaN microdisk light emitting diodes[J]. Applied Physics Letters, 2000, 76(5): 631-633.

[21] 史敏娜,郭學(xué)軍,梁明明,王小峰.微型發(fā)光二極管(Micro LED)顯示技術(shù)的專(zhuān)利分析[J].科技視界,2021(34):162-163.DOI:10.19694/j.cnki.issn2095-2457.2021.34.63.

[22] 盧夢(mèng)琪. Micro LED誰(shuí)主沉浮？[N]. 中國(guó)電子報(bào),2022-06-14(001).

[23] Research And Markets：Micro-LED: Global Strategic Business Report.2022.10.

[24] 高工LED：MIP封裝，什么來(lái)頭？

[25] 廣東晶科電子股份有限公司：首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市

[26] TrendForce集邦：研報(bào)丨富采、錼創(chuàng)合資攻Micro LED，估至2024年Micro LED顯示應(yīng)用芯片產(chǎn)值約5.42億美元

[27] OLEDindustry：3大MicroLED 陣營(yíng)形成：富采、錼創(chuàng)將聯(lián)手.2022.11.10.