文章轉載自：中國半導體論壇 

近日，晶圓代工龍頭臺積電董事會已核準在中國臺灣市場募集無擔保普通公司債，以支應產能擴充與污染防治相關支出的資金需求，資金額度不超過新臺幣600億(約140億元人民幣) 。

這是臺積電繼2013年發行普通公司債以來再度發行，而且籌資額度達600億元亦創下新高紀錄。

此前，臺積電已于3月發行第 一期無擔保普通公司債，發行總額為新臺幣 240億元。依發行期限不同分為甲類、乙類、丙類等3種。其中，甲類發行金額為新臺幣30億元整，發行期限為 5 年期，固定年利率達0.58%；乙類發行金額為新臺幣105億元整，發行期限為 7 年期，固定年利率達0.62%；丙類發行金額為新臺幣105億元整，發行期限為10年期，固定年利率達0.64%。

4月6日再發行第二期無擔保普通公司債，共籌得456億元資金，將用于新建擴建廠房設備。包括 5 年期甲類發行金額 59億元、7年期乙類發行金額104億元，及10年期丙類發行金額53億元，發行總額新臺幣216億元，用于新建、擴建廠房設備。

根據預期，臺積電預計今年發行的無擔保普通公司債的額度達600億元，扣除第 一期及第二期共456億元，仍有144億元額度可發行第三期公司債，但發行與否將視市場實際情況而定，不一定會足額發行。

臺積電從去年就開始啟動3nm晶圓廠的建設工作，由于晶圓廠對水力、電力資源要求很高，初期的環評工作很嚴格，今天臺灣環保部門公布了臺積電3nm晶圓廠的專案初審，通過了新竹科學園區有過寶山用地的申請，這意味著臺積電的3nm晶圓廠最終落地在新竹園區。

根據之前的資料，整個3nm晶圓廠預計會在2020年正式動工建設，耗資超過4000億新臺幣，折合879億人民幣或者130億美元。

雖然其已加快 3nm 研發以延續領先地位，不過對手三星亦積極搶進，據韓媒報導，三星已經成功開發業界首個3nm芯片制程，與其的5nm制程產品相比，3nm制程的晶尺寸縮小35%，功耗降低50%，但性能卻提高30%，計劃在2022年開始利用3nm制程大規模生產芯片，此項成就有望加速三星實現2030年的半導體愿景計劃。