欲吞3nm！臺(tái)積電發(fā)債140億！

文章轉(zhuǎn)載自：中國(guó)半導(dǎo)體論壇 

近日，晶圓代工龍頭臺(tái)積電董事會(huì)已核準(zhǔn)在中國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng)募集無(wú)擔(dān)保普通公司債，以支應(yīng)產(chǎn)能擴(kuò)充與污染防治相關(guān)支出的資金需求，資金額度不超過(guò)新臺(tái)幣600億(約140億元人民幣) 。

這是臺(tái)積電繼2013年發(fā)行普通公司債以來(lái)再度發(fā)行，而且籌資額度達(dá)600億元亦創(chuàng)下新高紀(jì)錄。

此前，臺(tái)積電已于3月發(fā)行第 一期無(wú)擔(dān)保普通公司債，發(fā)行總額為新臺(tái)幣 240億元。依發(fā)行期限不同分為甲類、乙類、丙類等3種。其中，甲類發(fā)行金額為新臺(tái)幣30億元整，發(fā)行期限為 5 年期，固定年利率達(dá)0.58%；乙類發(fā)行金額為新臺(tái)幣105億元整，發(fā)行期限為 7 年期，固定年利率達(dá)0.62%；丙類發(fā)行金額為新臺(tái)幣105億元整，發(fā)行期限為10年期，固定年利率達(dá)0.64%。

4月6日再發(fā)行第二期無(wú)擔(dān)保普通公司債，共籌得456億元資金，將用于新建擴(kuò)建廠房設(shè)備。包括 5 年期甲類發(fā)行金額 59億元、7年期乙類發(fā)行金額104億元，及10年期丙類發(fā)行金額53億元，發(fā)行總額新臺(tái)幣216億元，用于新建、擴(kuò)建廠房設(shè)備。

根據(jù)預(yù)期，臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年發(fā)行的無(wú)擔(dān)保普通公司債的額度達(dá)600億元，扣除第 一期及第二期共456億元，仍有144億元額度可發(fā)行第三期公司債，但發(fā)行與否將視市場(chǎng)實(shí)際情況而定，不一定會(huì)足額發(fā)行。

臺(tái)積電從去年就開始啟動(dòng)3nm晶圓廠的建設(shè)工作，由于晶圓廠對(duì)水力、電力資源要求很高，初期的環(huán)評(píng)工作很嚴(yán)格，今天臺(tái)灣環(huán)保部門公布了臺(tái)積電3nm晶圓廠的專案初審，通過(guò)了新竹科學(xué)園區(qū)有過(guò)寶山用地的申請(qǐng)，這意味著臺(tái)積電的3nm晶圓廠最終落地在新竹園區(qū)。

根據(jù)之前的資料，整個(gè)3nm晶圓廠預(yù)計(jì)會(huì)在2020年正式動(dòng)工建設(shè)，耗資超過(guò)4000億新臺(tái)幣，折合879億人民幣或者130億美元。

雖然其已加快 3nm 研發(fā)以延續(xù)領(lǐng)先地位，不過(guò)對(duì)手三星亦積極搶進(jìn)，據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，三星已經(jīng)成功開發(fā)業(yè)界首個(gè)3nm芯片制程，與其的5nm制程產(chǎn)品相比，3nm制程的晶尺寸縮小35%，功耗降低50%，但性能卻提高30%，計(jì)劃在2022年開始利用3nm制程大規(guī)模生產(chǎn)芯片，此項(xiàng)成就有望加速三星實(shí)現(xiàn)2030年的半導(dǎo)體愿景計(jì)劃。