文章轉(zhuǎn)載自：半導(dǎo)體行業(yè)觀察

據(jù)臺(tái)媒Digitimes報(bào)道，三星和臺(tái)積電一直在推進(jìn)制造工藝的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，這家韓國(guó)代工廠的目標(biāo)是在3nm生產(chǎn)上擊敗其臺(tái)灣競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。但由于冠狀病毒大流行推遲了設(shè)備的安裝，三星可能難以在2021年將其3nm節(jié)點(diǎn)投入量產(chǎn)。 

Digitimes進(jìn)一步指出，三星不太可能在2022年之前實(shí)現(xiàn)3nm的批量生產(chǎn)。根據(jù)遠(yuǎn)景規(guī)劃，三星電子的代工業(yè)務(wù)Samsung Foundry的目標(biāo)是早在2021年將其先進(jìn)的3nm工藝技術(shù)轉(zhuǎn)移到批量生產(chǎn)中。但是這家韓國(guó)公司可能不得不重新計(jì)劃業(yè)內(nèi)人士稱，，由于冠狀病毒大流行對(duì)物流和運(yùn)輸服務(wù)的影響正在導(dǎo)致EUV和其他關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備的交付延遲，三星不得不把3nm的量產(chǎn)計(jì)劃推遲。

三星3nm進(jìn)展超預(yù)期

根據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)》雜志報(bào)道，三星現(xiàn)在已經(jīng)向3nm制程邁出了第 一步，他們已經(jīng)攻克了3nm和1nm工藝所使用全能門（GAA）技術(shù)。三星的3nm工藝會(huì)使用GAA技術(shù)，而不是現(xiàn)在的FinFET，新的技術(shù)可以讓芯片面積減少35%，功耗下降約50%，與5nm FinFET工藝相比，同樣功耗情況下性能提升33%。

其實(shí)在一年前三星就開展了在3nm GAA工藝的工作，當(dāng)時(shí)他們的目標(biāo)是2021年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，真是雄心勃勃，三星目標(biāo)是要在2030年成為世界第 一的半導(dǎo)體制作商。

GAA全能門與FinFET的不同之處在于，GAA設(shè)計(jì)圍繞著通道的四個(gè)面周圍有柵極，從而確保了減少漏電壓并且改善了對(duì)通道的控制，這是縮小工藝節(jié)點(diǎn)時(shí)的基本步驟，使用更高效的晶體管設(shè)計(jì)，再加上更小的節(jié)點(diǎn)尺寸，和5nm FinFET工藝相比能實(shí)現(xiàn)更好的能耗比。

臺(tái)積電3nm也遭延期？

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣聯(lián)合報(bào)報(bào)道，新冠疫情攪局，臺(tái)積電三納米試產(chǎn)線裝設(shè)被迫延后，原訂六月裝機(jī)時(shí)程將延至十月，南科十八廠試產(chǎn)線恐怕也被迫延后至少一季；由于對(duì)手三星大舉追趕押注在三納米制程，臺(tái)積電延后試產(chǎn)，也讓這場(chǎng)雙強(qiáng)爭(zhēng)斗更添張力。

3nm制程是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷年最大手筆投資，更是龍頭爭(zhēng)霸的關(guān)鍵戰(zhàn)役。臺(tái)積電將投資總額逾1.5兆元的3納米計(jì)劃留在臺(tái)灣，奠定中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造重心，也掀起強(qiáng)大的群聚效應(yīng)。

臺(tái)積電目前在5nm制程已取得壓倒性勝利，幾乎囊括全年能夠參與5nm制程的所有客戶，包括蘋果、海思、超微、高通，這些客戶未來(lái)也將是少數(shù)能參與3nm競(jìng)賽的半導(dǎo)體廠。但臺(tái)積電在3nm計(jì)劃始終維持低調(diào)，在多次的法說(shuō)會(huì)只揭露2022年量產(chǎn)時(shí)程，堅(jiān)持不對(duì)外透露制程技術(shù)。

這場(chǎng)半導(dǎo)體雙強(qiáng)的3nm爭(zhēng)霸，原本在臺(tái)積電總裁魏哲家宣布臺(tái)積電將于四月二十九日圣塔克拉拉舉行北美技術(shù)論壇公布3nm制程，再度引爆戰(zhàn)火。但臺(tái)積電稍早在官網(wǎng)已決定將論壇延至八月二十四日，其他地區(qū)的技術(shù)研討會(huì)將在九月重新安排。

此外，臺(tái)積電原訂六月于竹科十二Ｂ廠裝設(shè)3nm試產(chǎn)線，也因歐美疫情升高，相關(guān)關(guān)鍵設(shè)備無(wú)法如期交貨，裝機(jī)人員也受到境外人士不能抵臺(tái)等限制，無(wú)法如期裝設(shè)，臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露將延至今年十月裝設(shè)。

至于南科十八廠原訂今年十月也裝設(shè)一條3nm試產(chǎn)線，預(yù)料也將向后延至少1nm，換句話說(shuō)，臺(tái)積電原訂今年底提前試產(chǎn)3nm制程計(jì)劃，將延至明年初才會(huì)試產(chǎn)，但應(yīng)會(huì)如原先預(yù)定在2022年量產(chǎn)。

但晶圓代工龍頭臺(tái)積電表示，過(guò)去并未正式發(fā)布3nm試量產(chǎn)時(shí)程，3nm試產(chǎn)時(shí)程延后是外界揣測(cè)，不評(píng)論外界揣測(cè)。臺(tái)積電指出，5nm制程是目前發(fā)展重點(diǎn)，依進(jìn)度發(fā)展。