鈣鈦礦量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLEDs）因其高色純度和寬色域而被認(rèn)為是一種有前途的發(fā)光技術(shù)。然而，量子點(diǎn)（QDs）高效穩(wěn)定的激子復(fù)合依然很難穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)，導(dǎo)致QLED器件性能受損。

鄭州大學(xué)宋繼中等人提出了一種配體補(bǔ)償（LC）策略，通過引入三正辛基膦（TOP）和CsBr的配體對來優(yōu)化量子點(diǎn)。配體對可以提高QD油墨的透明度和膠體穩(wěn)定性，有利于制備高光滑薄膜。一方面，TOP與Pb發(fā)生相互作用，有效地鈍化了表面不配位的Pb2+。另一方面，CsBr的補(bǔ)充提供了一個富Br的環(huán)境，以減少Br空位（VBr）。通過LC，QD薄膜具有82%的高光致發(fā)光量子效率和較淺的空穴水平，可實(shí)現(xiàn)高效的激子復(fù)合。此外，LC使QDs薄膜表現(xiàn)出穩(wěn)定的激子結(jié)合行為和電輸運(yùn)特性。結(jié)果表明，在初始亮度為100 cd m?2時，LC優(yōu)化的QLEDs的最大外部量子效率（EQE）為24.7%，工作壽命T50為182 h，明顯高于控制器件的EQE為15.8%，T50為11 h。所提出的用于優(yōu)化鈣鈦礦量子點(diǎn)的液相色譜策略為實(shí)現(xiàn)高性能量子點(diǎn)提供了一種新穎的概念，在各種光電子學(xué)中具有廣泛的應(yīng)用潛力。