近日，兆馳半導(dǎo)體、乾照光電、國(guó)星半導(dǎo)體陸續(xù)公示Micro LED相關(guān)專利。

   ▋ 兆馳半導(dǎo)體：Micro-LED檢測(cè)設(shè)備

   7月16日，兆馳半導(dǎo)體公布“Micro-LED檢測(cè)設(shè)備”專利進(jìn)入授權(quán)階段。該專利詳情如下：

   本實(shí)用新型公開(kāi)了一種Micro-LED檢測(cè)設(shè)備，包括從下到上依次設(shè)置的紫外面光源、透明基板、光罩板、濾光片、CCD檢測(cè)探頭，所述透明基板上放置有待測(cè)Micro-LED芯片，所述光罩板上設(shè)有與所述待測(cè)Micro-LED芯片所處位置相匹配的透光孔。

   本實(shí)用新型提供的Micro-LED檢測(cè)設(shè)備能夠快速篩查出異常芯片并進(jìn)行剔除。

   ▋ 廈門未來(lái)顯示技術(shù)研究院：一種Micro-LED芯片及其制備方法

   7月12日，廈門未來(lái)顯示技術(shù)研究院公布了“一種Micro-LED芯片及其制備方法”，該專利進(jìn)入申請(qǐng)公布階段。

   據(jù)了解，廈門未來(lái)顯示技術(shù)研究院有限公司，廈門乾照光電股份有限公司共持股94.7867%，并成功點(diǎn)亮了一款面向智能穿戴和移動(dòng)終端的1.63英寸Micro-LED全彩顯示模組，這項(xiàng)成果已經(jīng)在天馬微電子公司完成了落地轉(zhuǎn)化。

   該專利詳情如下：本申請(qǐng)公開(kāi)了一種MicroLED芯片及其制備方法，涉及半導(dǎo)體發(fā)光二極管領(lǐng)域，該Micro LED芯片包括：襯底和量子阱層，量子阱層中的AlInP勢(shì)壘層的Al組分的含量在第 一方向上逐漸增加，使得GaInP勢(shì)阱層和AlInP勢(shì)壘層之間的勢(shì)能差逐漸增大，并且由于鋁組分較高的勢(shì)壘層具有更高的勢(shì)壘，能夠?qū)⑤d流子束縛在有源區(qū)內(nèi)增加電子空穴復(fù)合幾率，增強(qiáng)了電流的橫向擴(kuò)展和縱向擴(kuò)展，從而提高M(jìn)icroLED芯片的發(fā)光效率和亮度；同時(shí)還能夠保證高鋁組分的AlInP勢(shì)壘層與低勢(shì)能的GaInP勢(shì)阱層在材料上不存在失配，提高有源區(qū)的晶體生長(zhǎng)質(zhì)量，進(jìn)一步提高M(jìn)icro LED芯片的發(fā)光效率。

   ▋ 國(guó)星半導(dǎo)體：兩個(gè)Micro LED專利進(jìn)入申請(qǐng)公布階段

   7月19日，國(guó)星半導(dǎo)體公布了“Micro-LED顯示裝置及其制備方法”、“Micro-LED顯示面板及其制備方法”兩個(gè)專利，均已進(jìn)入申請(qǐng)公布階段。

   ■ Micro-LED顯示裝置及其制備方法

   本發(fā)明公開(kāi)了一種Micro LED顯示裝置的制備方法，包括以下步驟：

   (1)提供Micro LED發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括依次層疊的襯底、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，在所述襯底背面制備應(yīng)力補(bǔ)償層；

   (2)在所述P型半導(dǎo)體層上制備電流擴(kuò)展層、第 一鍵合層和第 一臨時(shí)鍵合層；

   (3)提供驅(qū)動(dòng)基板，并在所述驅(qū)動(dòng)基板表面設(shè)置第二鍵合層和第二臨時(shí)鍵合層；

   (4)利用鍵合工藝將Micro LED芯片及驅(qū)動(dòng)基板鍵合；

   (5)制備單個(gè)Micro LED像素；

   (6)在所述單個(gè)Micro LED像素間沉積鈍化層，并暴露出N型半導(dǎo)體層；

   (7)在所述鈍化層外制備共N電極；

   (8)在所述Micro LED像素之間制備金屬反射層，得到MicroLED顯示裝置。本發(fā)明能夠控制鍵合過(guò)程中應(yīng)力，從而提高鍵合良率。

   ■ Micro-LED顯示面板及其制備方法

   本發(fā)明公開(kāi)了一種Micro LED顯示面板及其制備方法，所述制備方法包括以下步驟：

   (1) 提供半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)；

   (2) 在半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)上制備電流擴(kuò)展層、第 一金屬反射層和第 一鍵合層；

   (3) 提供驅(qū)動(dòng)基板，驅(qū)動(dòng)基板表面間隔設(shè)有第二鍵合層；

   (4) 將半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)鍵合至驅(qū)動(dòng)基板上，形成金屬鍵合層；

   (5) 制備出單個(gè)Micro LED像素；

   (6) 在單個(gè)Micro LED像素間沉積鈍化層，并暴露出N型半導(dǎo)體層；

   (7) 在所述鈍化層外制備共N電極；

   (8) 在Micro LED像素之間制備第二金屬反射層，并在第二金屬反射層上噴涂熒光粉層，得到Micro LED顯示面板。本發(fā)明能夠減少鍵合金屬刻蝕的厚度，從而減少刻蝕對(duì)芯片側(cè)壁的損傷。