近日，兆馳半導體、乾照光電、國星半導體陸續公示Micro LED相關專利。

   ▋ 兆馳半導體：Micro-LED檢測設備

   7月16日，兆馳半導體公布“Micro-LED檢測設備”專利進入授權階段。該專利詳情如下：

   本實用新型公開了一種Micro-LED檢測設備，包括從下到上依次設置的紫外面光源、透明基板、光罩板、濾光片、CCD檢測探頭，所述透明基板上放置有待測Micro-LED芯片，所述光罩板上設有與所述待測Micro-LED芯片所處位置相匹配的透光孔。

   本實用新型提供的Micro-LED檢測設備能夠快速篩查出異常芯片并進行剔除。

   ▋ 廈門未來顯示技術研究院：一種Micro-LED芯片及其制備方法

   7月12日，廈門未來顯示技術研究院公布了“一種Micro-LED芯片及其制備方法”，該專利進入申請公布階段。

   據了解，廈門未來顯示技術研究院有限公司，廈門乾照光電股份有限公司共持股94.7867%，并成功點亮了一款面向智能穿戴和移動終端的1.63英寸Micro-LED全彩顯示模組，這項成果已經在天馬微電子公司完成了落地轉化。

   該專利詳情如下：本申請公開了一種MicroLED芯片及其制備方法，涉及半導體發光二極管領域，該Micro LED芯片包括：襯底和量子阱層，量子阱層中的AlInP勢壘層的Al組分的含量在第 一方向上逐漸增加，使得GaInP勢阱層和AlInP勢壘層之間的勢能差逐漸增大，并且由于鋁組分較高的勢壘層具有更高的勢壘，能夠將載流子束縛在有源區內增加電子空穴復合幾率，增強了電流的橫向擴展和縱向擴展，從而提高MicroLED芯片的發光效率和亮度；同時還能夠保證高鋁組分的AlInP勢壘層與低勢能的GaInP勢阱層在材料上不存在失配，提高有源區的晶體生長質量，進一步提高Micro LED芯片的發光效率。

   ▋ 國星半導體：兩個Micro LED專利進入申請公布階段

   7月19日，國星半導體公布了“Micro-LED顯示裝置及其制備方法”、“Micro-LED顯示面板及其制備方法”兩個專利，均已進入申請公布階段。

   ■ Micro-LED顯示裝置及其制備方法

   本發明公開了一種Micro LED顯示裝置的制備方法，包括以下步驟：

   (1)提供Micro LED發光結構，包括依次層疊的襯底、N型半導體層、發光層和P型半導體層，在所述襯底背面制備應力補償層；

   (2)在所述P型半導體層上制備電流擴展層、第 一鍵合層和第 一臨時鍵合層；

   (3)提供驅動基板，并在所述驅動基板表面設置第二鍵合層和第二臨時鍵合層；

   (4)利用鍵合工藝將Micro LED芯片及驅動基板鍵合；

   (5)制備單個Micro LED像素；

   (6)在所述單個Micro LED像素間沉積鈍化層，并暴露出N型半導體層；

   (7)在所述鈍化層外制備共N電極；

   (8)在所述Micro LED像素之間制備金屬反射層，得到MicroLED顯示裝置。本發明能夠控制鍵合過程中應力，從而提高鍵合良率。

   ■ Micro-LED顯示面板及其制備方法

   本發明公開了一種Micro LED顯示面板及其制備方法，所述制備方法包括以下步驟：

   (1) 提供半導體發光結構；

   (2) 在半導體發光結構上制備電流擴展層、第 一金屬反射層和第 一鍵合層；

   (3) 提供驅動基板，驅動基板表面間隔設有第二鍵合層；

   (4) 將半導體發光結構鍵合至驅動基板上，形成金屬鍵合層；

   (5) 制備出單個Micro LED像素；

   (6) 在單個Micro LED像素間沉積鈍化層，并暴露出N型半導體層；

   (7) 在所述鈍化層外制備共N電極；

   (8) 在Micro LED像素之間制備第二金屬反射層，并在第二金屬反射層上噴涂熒光粉層，得到Micro LED顯示面板。本發明能夠減少鍵合金屬刻蝕的厚度，從而減少刻蝕對芯片側壁的損傷。