廈門未來顯示技術研究院：一種Micro-LED芯片及其制備方法

7月12日，廈門未來顯示技術研究院公布了“一種Micro-LED芯片及其制備方法”，該專利進入申請公布階段。

據行家說Display了解，廈門未來顯示技術研究院有限公司，廈門乾照光電股份有限公司共持股94.7867%，并成功點亮了一款面向智能穿戴和移動終端的1.63英寸Micro-LED全彩顯示模組，這項成果已經在天馬微電子公司完成了落地轉化。

該專利詳情如下：

本申請公開了一種MicroLED芯片及其制備方法，涉及半導體發光二極管領域，該Micro LED芯片包括：襯底和量子阱層，量子阱層中的AlInP勢壘層的Al組分的含量在第 一方向上逐漸增加，使得GaInP勢阱層和AlInP勢壘層之間的勢能差逐漸增大，并且由于鋁組分較高的勢壘層具有更高的勢壘，能夠將載流子束縛在有源區內增加電子空穴復合幾率，增強了電流的橫向擴展和縱向擴展，從而提高MicroLED芯片的發光效率和亮度；同時還能夠保證高鋁組分的AlInP勢壘層與低勢能的GaInP勢阱層在材料上不存在失配，提高有源區的晶體生長質量，進一步提高Micro LED芯片的發光效率。