7 月 8 日消息，從復(fù)旦大學(xué)高分子科學(xué)系獲悉，該校研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了一種新型半導(dǎo)體性光刻膠，利用光刻技術(shù)在全畫幅尺寸芯片上集成了 2700 萬個(gè)有機(jī)晶體管并實(shí)現(xiàn)了互連，集成度達(dá)到特大規(guī)模集成度（ultra-large-scale integration，ULSI）水平。

2024 年 7 月 4 日，該成果以《基于光伏納米單元的高性能大規(guī)模集成有機(jī)光電晶體管》為題發(fā)表于《自然?納米技術(shù)》。

芯片集成度可以分為小規(guī)模集成度 (SSI)、中規(guī)模集成度 (MSI)、大規(guī)模集成度 (LSI)、超大規(guī)模集成度 (VLSI) 和特大規(guī)模集成度 (ULSI)，此前，有機(jī)芯片的制造方法主要包括絲網(wǎng)印刷、噴墨打印、真空蒸鍍、光刻加工等，集成度通常只能達(dá)到大規(guī)模集成度 (LSI) 水平。

光刻膠又稱為光致抗蝕劑，在芯片制造中扮演著關(guān)鍵角色，經(jīng)過曝光、顯影等過程能夠?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從掩模板轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是一種光刻工藝的基礎(chǔ)材料。

復(fù)旦團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了一種由光引發(fā)劑、交聯(lián)單體、導(dǎo)電高分子組成的新型功能光刻膠。光交聯(lián)后形成了納米尺度的互穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，兼具良好的半導(dǎo)體性能、光刻加工性能和工藝穩(wěn)定性。該光刻膠不僅能實(shí)現(xiàn)亞微米量級特征尺寸圖案的可靠制造，而且該圖案本身就是一種半導(dǎo)體，從而簡化了芯片制造工藝。

光刻制造的有機(jī)晶體管互連陣列包含 4500×6000 個(gè)像素，集成密度達(dá)到 3.1×106 單元每平方厘米，即在全畫幅尺寸芯片上集成了 2700 萬個(gè)器件，達(dá)到特大規(guī)模集成度 (ULSI)，其光響應(yīng)度達(dá)到 6.8×106 安培每瓦特，高密度陣列可以轉(zhuǎn)移到柔性襯底上，實(shí)現(xiàn)了仿生視網(wǎng)膜應(yīng)用。