又有3項Micro LED 專利公布

近日，士蘭、鐳昱光電、晶能光電陸續公示Micro LED相關專利。

士蘭：Micro LED顯示基板及其制備方法、微型發光二極管及其制備方法

廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司發布授權公告，其“一種Micro LED顯示基板及其制備方法、微型發光二極管及其制備方法”的發明專利進入審中階段。

所述微型發光二極管包括襯底；絕緣介質層；通孔組，位于絕緣介質層中，其包括間隔設置的第 一通孔、第二通孔和第三通孔；藍光發光單元包括藍光外延層和與藍光外延層電連接的藍光正電極，位于第 一通孔中；綠光發光單元包括綠光外延層和與綠光外延層電連接的綠光正電極，位于第二通孔中；紅光發光單元包括紅光外延層和與紅光外延層電連接的紅光正電極，位于第三通孔中，且藍光外延層、綠光外延層和紅光外延層共用第 一負電極。

本發明通過絕緣介質層中的通孔組制備出微型發光二極管，可以避免外延層側壁損傷帶來的輻射復合效率低的現象，進而可以提高微型發光二極管的性能和可靠性。

鐳昱光電：一種MicroLED微顯示芯片封裝結構及其封裝方法

6月25日，鐳昱光電科技（蘇州）有限公司“一種MicroLED微顯示芯片封裝結構及其封裝方法”的發明專利進入審中公布階段。

據介紹，發明中所述Micro LED微顯示芯片封裝結構包括Micro LED微顯示芯片與圖形化壩體。

所述圖形化壩體形成于所述Micro LED微顯示芯片的支撐區域，所述支撐區域位于所述Micro LED微顯示芯片的顯示區和輸入/輸出端子區之外的區域；所述圖形化壩體包括第 一壩體，所述第 一壩體圍合設置于所述顯示區周圈。

本申請在Micro LED微顯示芯片上形成圖形化壩體，并主要以第 一壩體作為加工轉運的支撐結構，有效避免加工轉運過程中接觸Micro LED微顯示芯片表面造成的接觸污染和損傷，提升Micro LED微顯示芯片封裝結構的結構精準性和性能穩定性。

晶能光電：Micro LED發光陣列及其制備方法

晶能光電股份有限公司“一種Micro LED發光陣列及其制備方法”的發明專利進入審中公布階段。

在Micro LED發光陣列中，包括：表面配置有驅動電路的驅動基板、陣列排布于驅動基板上的發光單元、形成于各發光單元中第二半導體層表面的反射結構、通過刻蝕形成于發光單元之間的N型溝槽、導電連接至N型溝槽中第 一半導體層的N型金屬層，及沿P型通孔導電連接至反射結構的P型金屬層、發光單元通過所述N型金屬層和P型金屬層焊接于驅動基板表面與之匹配的驅動電路上。

該發光陣列中主要以N型金屬層于N型溝槽內部與第 一半導體層側壁進行歐姆接觸，減少了對發光區域的刻蝕，相對增大了有效發光面積，能夠有效地縮小發光單元之間的間隔。