國星半導體兩項Micro LED專利有新進展，均處于授權階段。

“一種批量轉移Micro LED芯片的方法和裝置”：

包括：提供一帶有通孔的基板；在基板的表面噴灑吸附液體；將Micro LED芯片放置在基板的表面；使通孔處于負壓狀態，將Micro LED芯片吸附在通孔上；除去通孔以外的Micro LED芯片和吸附液體；除去通孔內的吸附液體。

通過將基板上的通孔處于負壓狀態，同時利用吸附液體的表面張力，將隨機、零散的Micro LED芯片吸附在通孔上，從而實現準確定位，大量零散的Micro LED芯片以通孔為定位點，實現整齊排列，不需要人工一顆一顆來進行轉移，實現了大批量轉移。相應的，還提供了一種用于批量轉移Micro LED芯片的裝置，結構簡單，易于操作。

“一種多合一Micro LED芯片及其制作方法”：

所述Micro LED芯片包括至少三個發光結構、第 一絕緣層、第二絕緣層、第 一電極、第二電極、金屬連接層和連接電極，所述金屬連接層設置在相鄰兩個發光結構之間，以將相鄰的發光結構形成連接；所述連接電極設置發光結構的背面和金屬連接層上，將發光結構與金屬連接層形成導電連接。

本發明在發光結構之間形成金屬連接層，將幾個發光結構連接在一起，形成一個整體，有效減少轉移的次數，提高生產效率。