最近，沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)（KAUST）先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室論證了一種名為選擇性熱氧化（STO）的新型Micro LED像素定義方法。這種方法免除了像素制造工藝中等離子刻蝕的需要，為進(jìn)一步提升Micro LED性能提供了新的解決方案。

KAUST的工程師們通過(guò)高溫?zé)嵬嘶鸸に囘x擇性的氧化了芯片中的非像素區(qū)域，致使非像素區(qū)域內(nèi)的p層和InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，并使該區(qū)域失去發(fā)光功能。通過(guò)STO工藝,Micro LED像素得以定義, 并顯示出低漏電和高效率等卓越的器件性能。

該方法普遍適用于InGaN/GaN的不同顏色（藍(lán)，綠，紅）的Micro LED制造，有望在未來(lái)微型顯示、可見(jiàn)光通信和基于光學(xué)互連的存儲(chǔ)器等多項(xiàng)應(yīng)用中發(fā)揮重要作用。

其團(tuán)隊(duì)表示，目標(biāo)是將Micro LED應(yīng)用于增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí) （AR/VR）的產(chǎn)品中。目前，利用所提出STO技術(shù)已實(shí)現(xiàn)小至2.3微米的Micro LED像素發(fā)光。實(shí)驗(yàn)室正在計(jì)劃將制造的器件轉(zhuǎn)移到商用的微型顯示面板上做進(jìn)一步的驗(yàn)證。