沙特KAUST團隊：無刻蝕損傷的Micro LED像素制造技術

最近，沙特阿卜杜拉國王科技大學（KAUST）先進半導體實驗室論證了一種名為選擇性熱氧化（STO）的新型Micro LED像素定義方法。這種方法免除了像素制造工藝中等離子刻蝕的需要，為進一步提升Micro LED性能提供了新的解決方案。

KAUST的工程師們通過高溫熱退火工藝選擇性的氧化了芯片中的非像素區域，致使非像素區域內的p層和InGaN/GaN多量子阱結構發生改變，并使該區域失去發光功能。通過STO工藝,Micro LED像素得以定義, 并顯示出低漏電和高效率等卓越的器件性能。

該方法普遍適用于InGaN/GaN的不同顏色（藍，綠，紅）的Micro LED制造，有望在未來微型顯示、可見光通信和基于光學互連的存儲器等多項應用中發揮重要作用。

其團隊表示，目標是將Micro LED應用于增強現實/虛擬現實 （AR/VR）的產品中。目前，利用所提出STO技術已實現小至2.3微米的Micro LED像素發光。實驗室正在計劃將制造的器件轉移到商用的微型顯示面板上做進一步的驗證。