華為公司申請微型LED芯片專利,降低生產成本
摘要:據國家知識產權局公告,華為技術有限公司申請一項名為“微型LED芯片、顯示模組及電子設備”。該微型LED芯片,在LED器件內設有光柵,在光源處實現了偏振光的發射,其成型工藝與標準LED工藝兼容,降低了生產成本。
金融界 2024年5月4日消息,據國家知識產權局公告,華為技術有限公司申請一項名為“一種微型LED芯片及其制作方法、顯示模組、終端”,公開號CN117976689A,申請日期為2022年10月。
專利摘要顯示,本申請實施例提供一種微型LED芯片及其制作方法、顯示模組、終端,涉及芯片技術領域,用于改善微型LED顯示屏光線串擾的現象。該微型LED芯片包括基板、遮光結構、多個微型發光二極管LED器件、金屬擋墻以及多個色轉換層。多個微型發光二極管LED器件與基板電連接。遮光結構且位于相鄰的所述微型LED器件之間。一個色轉換層覆蓋微型LED器件。金屬擋墻位于相鄰的所述色轉換層之間,金屬擋墻可以避免微型LED器件出射的光線入射至相鄰的色轉換層中,以減小光線串擾。金屬擋墻還可以使得微型LED器件入射至色轉換層的光線更多的被進行色彩轉換,提高色轉換層的轉換效率。
2024年5月7日消息,據國家知識產權局公告,華為技術有限公司申請一項名為“微型LED芯片、顯示模組及電子設備”,公開號CN117995865A,申請日期為2022年10月。
專利摘要顯示,本申請實施例公開了一種微型LED芯片、顯示模組、電子設備及微型LED芯片的制備方法,該微型LED芯片包括:基板,以及設置在基板上的多個陣列排布的微型發光二極管LED器件;該LED器件包括:層疊設置的襯底、第 一半導體層、發光層和第二半導體層,該發光層用于在該第 一半導體層和該第二半導體層之間的電場的激發下發光;該LED芯片還包括:多個光柵,一個LED器件中設有一個光柵,該光柵由該LED器件的該第二半導體層延伸至該LED器件的該發光層。由此,該微型LED芯片,在LED器件內設有光柵,在光源處實現了偏振光的發射,其成型工藝與標準LED工藝兼容,降低了生產成本。與在LED器件上設置偏振片相比,尺寸更小。
來源:金融界
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