華為公司申請(qǐng)微型LED芯片專(zhuān)利,降低生產(chǎn)成本
摘要:據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告,華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“微型LED芯片、顯示模組及電子設(shè)備”。該微型LED芯片,在LED器件內(nèi)設(shè)有光柵,在光源處實(shí)現(xiàn)了偏振光的發(fā)射,其成型工藝與標(biāo)準(zhǔn)LED工藝兼容,降低了生產(chǎn)成本。
金融界 2024年5月4日消息,據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告,華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種微型LED芯片及其制作方法、顯示模組、終端”,公開(kāi)號(hào)CN117976689A,申請(qǐng)日期為2022年10月。
專(zhuān)利摘要顯示,本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種微型LED芯片及其制作方法、顯示模組、終端,涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域,用于改善微型LED顯示屏光線串?dāng)_的現(xiàn)象。該微型LED芯片包括基板、遮光結(jié)構(gòu)、多個(gè)微型發(fā)光二極管LED器件、金屬擋墻以及多個(gè)色轉(zhuǎn)換層。多個(gè)微型發(fā)光二極管LED器件與基板電連接。遮光結(jié)構(gòu)且位于相鄰的所述微型LED器件之間。一個(gè)色轉(zhuǎn)換層覆蓋微型LED器件。金屬擋墻位于相鄰的所述色轉(zhuǎn)換層之間,金屬擋墻可以避免微型LED器件出射的光線入射至相鄰的色轉(zhuǎn)換層中,以減小光線串?dāng)_。金屬擋墻還可以使得微型LED器件入射至色轉(zhuǎn)換層的光線更多的被進(jìn)行色彩轉(zhuǎn)換,提高色轉(zhuǎn)換層的轉(zhuǎn)換效率。
2024年5月7日消息,據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告,華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“微型LED芯片、顯示模組及電子設(shè)備”,公開(kāi)號(hào)CN117995865A,申請(qǐng)日期為2022年10月。
專(zhuān)利摘要顯示,本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種微型LED芯片、顯示模組、電子設(shè)備及微型LED芯片的制備方法,該微型LED芯片包括:基板,以及設(shè)置在基板上的多個(gè)陣列排布的微型發(fā)光二極管LED器件;該LED器件包括:層疊設(shè)置的襯底、第 一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層,該發(fā)光層用于在該第 一半導(dǎo)體層和該第二半導(dǎo)體層之間的電場(chǎng)的激發(fā)下發(fā)光;該LED芯片還包括:多個(gè)光柵,一個(gè)LED器件中設(shè)有一個(gè)光柵,該光柵由該LED器件的該第二半導(dǎo)體層延伸至該LED器件的該發(fā)光層。由此,該微型LED芯片,在LED器件內(nèi)設(shè)有光柵,在光源處實(shí)現(xiàn)了偏振光的發(fā)射,其成型工藝與標(biāo)準(zhǔn)LED工藝兼容,降低了生產(chǎn)成本。與在LED器件上設(shè)置偏振片相比,尺寸更小。
來(lái)源:金融界
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