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突發!三星良率0%!

類別:行業新聞發表于:2024-02-04 09:42

摘要:2月2日消息,據韓媒報道,三星3nm工藝存在重大問題,試產芯片均存在缺陷,良品率 0%!

2月2日消息,據韓媒報道,三星3nm工藝存在重大問題,試產芯片均存在缺陷,良品率 0%!

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報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試,導致后續 Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。

據報道,Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構,同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的升級之處在于它將采用 Cortex-X5 和 Cortex-A730 核心,相比 Exynos 2400 的 Cortex-X4 和 Cortex-A720,性能預計將有顯著提升。

遺憾的是,Cortex-X5 和 Cortex-X4 的時鐘頻率差異微乎其微,測試頻率在 3.20GHz 和 3.30GHz 之間。具體取決于三星的最終決定,最終可能只會有 100MHz 的微小提升,甚至完全沒有區別。

報道指出由于 Exynos 2500 芯片試產失敗,三星推遲了大規模生產,目前尚不清楚三星是否有能力及時解決這個良率問題。

據悉,三星的3nm工藝很激進,相比臺積電2nm工藝才會轉向GAA晶體管的保守,三星在第 一代3nm工藝上就使用了GAA晶體管技術,而且是MBCFET多橋通道場效應晶體管,被稱為SF3E,也就是3GAE工藝。

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三星3nm GAA技術采用了更寬通的納米片,與采用窄通道納米線的GAA技術相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技術上,三星能夠調整納米晶體管的通道寬度,優化功耗和性能,從而能夠滿足客戶的多元需求。

此外,GAA的設計靈活性對設計技術協同優化(DTCO)非常有利,有助于實現更好的PPA優勢。與三星5nm工藝相比,第 一代3nm工藝可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面積減少16%;而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面積減少 35%。

來源:國芯網

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