清華聯合凝聚態實驗室提升紅光Micro LED微顯示性能
類別：行業新聞發表于：2023-12-25 14:28
摘要：12月21日消息，清華大學與中國北京凝聚態物理國家實驗室宣布，研究團隊通過使用獨立式氮化鎵襯底 （freestanding gallium nitride substrates (FGS)），提升了紅光氮化鎵 (InGaN)Micro LED器件的效率和陣列均勻性。
12月21日消息，清華大學與中國北京凝聚態物理國家實驗室宣布，研究團隊通過使用獨立式氮化鎵襯底 （freestanding gallium nitride substrates (FGS)），提升了紅光氮化鎵 (InGaN)Micro LED器件的效率和陣列均勻性。研究人員聲稱，這是首個蝕刻定義臺面尺寸小于5μm的InGaN紅光Micro LED。
InGaN紅光Micro LED外延結構
論文指出，InGaN與傳統的紅光LED材料AlInGaP相比，優勢包括更容易與綠光和藍光InGaN LED集成，并且由于InGaN材料的載流子向側壁缺陷的遷移較少，因此可更好地縮小Micro LED器件尺寸。
來源：屏顯世界
【免責聲明】本站部分圖文內容轉載自互聯網。您若發現有侵犯您著作權的，請及時告知，我們將在第一時間刪除侵權作品，停止繼續傳播。
陜公網安備 61019002000416號
業務咨詢