近日，廣東省科學院半導體研究所的研究人員發展了一種簡單且具有良好兼容性的圖案化方法來制備厚度超過10μm的量子點光轉換薄膜，該方法結合了復制成型、等離子蝕刻和轉印三種工藝的優勢，簡稱為RM-PE-TP圖案化技術，具體工藝流程如圖1所示。該技術使用到的量子點聚合物材料制備簡單易得，很好地避免了在其他圖案化方法中所必需的復雜的量子點表面改性和用料組成等問題。

   此外，復制成型的工藝十分有利于得到厚度超過10μm以上的量子點薄膜，且量子點陣列的分辨率和厚度也易于調節。總的來說，整個圖案化方法對量子點材料的光學性能基本沒有損傷，便于多色量子點圖案化的集成，甚至可通過單色集成進一步提高量子點圖案的分辨率。

   因此，基于上述RM-PE-TP圖案化技術，研究團隊最終制備出分辨率最 高為669ppi、薄膜厚度最 高達19.74μm的圖案化量子點聚合物薄膜，并在柔性襯底上得到了大面積高分辨率的量子點厚膜，說明該技術在大規模柔性量子點圖案化集成方面具有巨大的應用潛力。

   此外，團隊還初步驗證了將上述量子點聚合物薄膜作為光轉換層簡單集成到藍光Micro LED器件來實現光轉換應用的可行性，并發現增加量子點薄膜的厚度可以提高光轉換的效率。相關研究成果以“Wafer-scale patterning of high-resolution quantum dot films with a thickness over 10 μm for improved color conversion”為題，發表在Nanoscale期刊上。

   該研究工作得到了國家自然科學基金青年科學基金項目、國家重點研究計劃項目、省科學院綜合產業技術創新中心行動資金項目和廣東省重大專項資金等項目的支持。半導體所新型顯示團隊鄒勝晗博士為第 一作者，學科帶頭人龔政教授為通訊作者。