12月12日，第八屆中國(guó)創(chuàng)新挑戰(zhàn)賽（廣東·國(guó)家新型顯示技術(shù)創(chuàng)新中心）暨首屆新型顯示專(zhuān)題賽在廣州舉行。其中有6項(xiàng)重大技術(shù)合作項(xiàng)目在現(xiàn)場(chǎng)簽約。

   據(jù)悉，挑戰(zhàn)賽活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)，經(jīng)賽委會(huì)多次對(duì)接，最終促成6項(xiàng)重大技術(shù)合作項(xiàng)目進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)簽約，包括以下項(xiàng)目：

• Micro-LED顯示創(chuàng)新平臺(tái)與四川長(zhǎng)虹電子控股集團(tuán)有限公司簽約“高亮度Micro-LED投影顯示關(guān)鍵技術(shù)研究”項(xiàng)目
• 反射式顯示創(chuàng)新平臺(tái)與浙江大學(xué)衢州研究院簽約“電潤(rùn)濕電子紙用關(guān)鍵氟樹(shù)脂材料開(kāi)發(fā)”項(xiàng)目
• 反射式顯示創(chuàng)新平臺(tái)與廣州智慧城市發(fā)展研究院簽約“高速高壓電子紙顯示驅(qū)動(dòng)芯片”項(xiàng)目
• 國(guó)家新型顯示技術(shù)創(chuàng)新中心本部與南京大學(xué)簽約“無(wú)膠光刻量子點(diǎn)技術(shù)”項(xiàng)目
• TFT技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)與北京大學(xué)深圳研究生院簽約“超高遷移率氧化物TFT開(kāi)發(fā)”項(xiàng)目
• 顯示裝備創(chuàng)新平臺(tái)與廈門(mén)大學(xué)簽約“掃描探針顯微及光譜檢測(cè)方法與裝置研發(fā)”項(xiàng)目

   關(guān)于“高亮度Micro-LED投影顯示關(guān)鍵技術(shù)研究”，長(zhǎng)虹此前介紹，傳統(tǒng)投影顯示屬被動(dòng)發(fā)光顯示，在亮度、響應(yīng)速度、動(dòng)態(tài)清晰度等方面具有缺陷，且最核心的光源器件和光調(diào)制器芯片被外國(guó)公司壟斷，成本占比大，是卡脖子器件等主要問(wèn)題。

   Micro LED的高亮度、高對(duì)比度可大幅提高圖像質(zhì)量，且芯片響應(yīng)速度快，解決投影顯示的缺陷，且規(guī)避巨量轉(zhuǎn)移，推動(dòng)Micro LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

   而Micro-LED顯示創(chuàng)新平臺(tái)則是由福州大學(xué)、廈門(mén)天馬微電子有限公司作為牽頭單位，聯(lián)合廈門(mén)三安、TCL集團(tuán)、華星光電等顯示相關(guān)企業(yè)，以及10余所研究型大學(xué)，10余所研究院所，向上承接高校、院所基礎(chǔ)研究成果，向下推廣拓展到試驗(yàn)線(xiàn)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新體系。