近日，據(jù)國(guó)外網(wǎng)站Micro LED-info報(bào)道，韓國(guó)首爾國(guó)立大學(xué)和成均館大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)了一種在柔性石墨烯層上生長(zhǎng)GaN LED陣列的方法。

研究人員通過(guò)該技術(shù)生長(zhǎng)出了LED微型陣列（Microdisks arrays）；該微盤陣列具有良好的結(jié)晶度，具有均勻的面內(nèi)取向和強(qiáng)藍(lán)光發(fā)射。

值得注意的是，研究人員利用金屬有機(jī)氣相外延技術(shù)，在覆蓋有微圖案SiO2掩膜的石墨烯層(生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上)上生長(zhǎng)GaN微盤，并將微磁盤加工成的Micro LED成功地轉(zhuǎn)移到可彎曲的基板上。

這是一項(xiàng)有趣的研究，這項(xiàng)研究證明了在石墨烯上生長(zhǎng)高質(zhì)量的LED，然后將其集成到柔性Micro LED器件中是可能的。