新突破！國星光電成功點亮Micro LED新品nStar Ⅲ

近日，國星光電Micro LED超高清顯示研發項目迎來關鍵里程碑式進展，成功點亮1.84英寸Micro LED全彩顯示屏——nStar Ⅲ，該屏采用LTPS-TFT玻璃基驅動背板，像素間距縮小到0.078mm，分辨率360*480，采用全倒裝無襯底LED像素發光單元，可實現屏幕峰值亮度＞1500nits，強光照射下仍可保持高清顯示畫面，相關技術成果未來有望在Micro LED手表等智能穿戴產品領域廣泛應用。

國星光電 nStar Ⅲ技術優勢：

▌高精度轉移

采用國星光電自主研發的巨量轉移技術路線，實現＞50多萬顆Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，轉移良率＞99.9%。此外，國星Micro LED研發平臺未來還可支持12寸以內基板上芯片多次拼接鍵合。

▌高集成封裝

采用國星光電自主研發的Micro LED玻璃基封裝專利技術，外形厚度更薄，平整度更高，可兼顧散熱與顯示一致性。

至此，國星光電已實現像素間距從P0.X至P0.0X等多樣化場景應用的“未來國星屏”矩陣。接下來，公司將繼續深耕Micro LED微顯示賽道，開發硅基AR顯示技術，打造更全面、更多元化的Micro LED應用領域布局，同時建立產品、技術及解決方案多元化平臺體系，期待與客戶聯合創新，推進新產品、新技術的商業化應用，合力構筑更美好的未來視界。