新突破!國星光電成功點(diǎn)亮Micro LED新品nStar Ⅲ
摘要:近日,國星光電Micro LED超高清顯示研發(fā)項(xiàng)目迎來關(guān)鍵里程碑式進(jìn)展,成功點(diǎn)亮1.84英寸Micro LED全彩顯示屏——nStar Ⅲ.
近日,國星光電Micro LED超高清顯示研發(fā)項(xiàng)目迎來關(guān)鍵里程碑式進(jìn)展,成功點(diǎn)亮1.84英寸Micro LED全彩顯示屏——nStar Ⅲ,該屏采用LTPS-TFT玻璃基驅(qū)動(dòng)背板,像素間距縮小到0.078mm,分辨率360*480,采用全倒裝無襯底LED像素發(fā)光單元,可實(shí)現(xiàn)屏幕峰值亮度>1500nits,強(qiáng)光照射下仍可保持高清顯示畫面,相關(guān)技術(shù)成果未來有望在Micro LED手表等智能穿戴產(chǎn)品領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
國星光電 nStar Ⅲ技術(shù)優(yōu)勢:
▌高精度轉(zhuǎn)移
采用國星光電自主研發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)路線,實(shí)現(xiàn)>50多萬顆Micro LED芯片高密度集成,R/G/B三色芯片落位精度<2um,轉(zhuǎn)移良率>99.9%。此外,國星Micro LED研發(fā)平臺(tái)未來還可支持12寸以內(nèi)基板上芯片多次拼接鍵合。
▌高集成封裝
采用國星光電自主研發(fā)的Micro LED玻璃基封裝專利技術(shù),外形厚度更薄,平整度更高,可兼顧散熱與顯示一致性。
至此,國星光電已實(shí)現(xiàn)像素間距從P0.X至P0.0X等多樣化場景應(yīng)用的“未來國星屏”矩陣。接下來,公司將繼續(xù)深耕Micro LED微顯示賽道,開發(fā)硅基AR顯示技術(shù),打造更全面、更多元化的Micro LED應(yīng)用領(lǐng)域布局,同時(shí)建立產(chǎn)品、技術(shù)及解決方案多元化平臺(tái)體系,期待與客戶聯(lián)合創(chuàng)新,推進(jìn)新產(chǎn)品、新技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用,合力構(gòu)筑更美好的未來視界。
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