量產關鍵年進入尾聲，Micro LED進展如何？

   2023年只剩下2個月的時間了，而2023年被認為是Micro LED作為顯示技術邁入量產的關鍵年，Micro LED技術經過多年的研發和改進，2023年將迎來技術的成熟度提高。這包括更高的LED芯片密度、更小的LED尺寸、更高的亮度和更低的能耗......這些技術改進使Micro LED在大尺寸顯示屏上表現出色，滿足了市場需求。

   在過去幾年中，Micro LED顯示技術已經實現了從實驗室到商業化產品的關鍵轉變。許多公司已經成功開發出了Micro LED顯示屏原型，并在公共展示中展示了其潛力。這種研發成果轉化的加速將為進一步推動Micro LED的量產做出重要貢獻。在這個關鍵年，Micro LED取得了哪些突破？

01 Micro LED成本不斷下降

   作為新型顯示技術之一，Micro LED兼顧了OLED與LCD的優勢，但卻存在難以量產、成本高昂的缺點。根據市場調研機構公布的最 新研究結果，目前10-14英寸的Micro LED面板，其成本可以達到6000-10000美元/塊。這意味著，一塊10-14英寸的Micro LED面板，成本價最 高可以達到人民幣71800元左右。高昂的成本阻礙了Micro LED的發展，因此Micro LED成本下降打開市場空間是必然的趨勢，不少企業已經在芯片上做文章。

   首先，Micro LED使用的是小于100微米的芯片，理論上說，芯片越小物料成本越低，據預計，未來四年期間，Micro LED芯片所能達成的成本降幅，每年至少在20%至25%，所以縮小芯片尺寸是降低成本的第 一個方式；其次是降低材料成本，有的企業改進Micro LED顯示屏所需的材料，尋找更經濟、可持續的替代材料，以降低原材料成本。目前市場上使用的是PCB板居多，成本占比也比較高，為了解決這個問題，如京東方、利亞德等企業研究玻璃基板等代替PCB板來降低成本。

02 巨量轉移技術和紅光亮度取得突破

   Micro LED的最大挑戰之一是良率問題。各家廠商正在全力以赴，試圖解決這一關鍵問題。現在，值得期待的是激光轉移技術，它的良率遠高于傳統的印章轉移技術。巨量轉移技術曾被視為瓶頸，巨量轉移的難點在于，如何提升轉移良率到99.9999%（俗稱的「六個九」），且每顆芯片的精準度必須控制在正負0.5μm以內，但在過去兩年里已經取得了顯著改善。今年5月，雷曼光電表示巨量轉移技術問題已解決，Micro LED用于家庭超大屏已沒問題，但是用于AR領域還要進一步突破。

a) 滾輪轉印設備示意圖；b) 轉印制程（左到右），器件從供體釋放到轉移頭，再被放置到接收芯片上

   日前，英國斯特拉思克萊德大學近期宣布開發Micro LED新型巨量轉移技術，研究人員表示，透過連續滾輪轉移技術，可以實現Micro LED的巨量集成，可在一次轉印中轉移一個320x240像素陣列，相當于75000顆以上的Micro LED，相對位置精度達亞微米級，而且能夠保持像素陣列的幾何結構，像素空間定位誤差與設計布局的偏差控制1μm以內。

   2023年10月8日消息，Micro LED技術大廠上海顯耀顯示科技Jade Bird Display(以下簡稱“JBD”)宣布，其自主研發的0.13英寸MicroLED紅光芯片亮度突破100萬尼特大關，再次刷新業界紀錄。據介紹，本次紅光實現100萬nits亮度，得益于JBD在多項技術上的重大突破，包括在材料生長技術、非輻射復合抑制技術及光束發散角控制等方面。

03 新型封裝技術表現亮眼

   MIP成為Micro LED的理想選擇。MIP（Micro LED In Package）是一種新型封裝技術，其工藝流程為：將Micro LED芯片通過巨量轉移技術轉移到載板上，進行封裝，切割成小封裝體，再將小封裝體分光混光，接著再進行貼片工藝，同時可支持屏體表面覆膜，并完成顯示屏的制作。

   MIP具有可混光、高均勻性、無Mura效應，無需經過高成本的返修，直接進行測試分選，減少點測分選難度等多方面優勢。同時，MIP針對大尺寸Micro LED規模化量產的兼容度，以及終端顯示屏廠商的接受程度，都有著獨特的優勢。在更小間距、更大尺寸的終端顯示應用場景，MIP能規避良率、墨色一致性、均勻度、檢測返修、成本等多方面的核心瓶頸，成為Micro LED顯示屏生產的理想選擇。

   ·對于LED芯片尺寸的要求，通常情況下，SMD和COB只能封裝雙邊尺寸大于100μm的LED芯片，MIP可封裝的LED芯片尺寸可在60um以下；

   ·在燈珠尺寸方面，一般情況下，主流的SMD尺寸多是在1010以上，而與之對應的MIP目前的主要尺寸都小于0808；

   ·在顯示層面，MIP的點間距可以做到最小，其次是COB，SMD在點間距方面受到的限制較為明顯；

   總體而言，在LED芯片尺寸、電氣連接、對比度、貼裝環節、可修復性、平整度、混燈分bin等方面，MIP均優于SMD、COB。由此可見，MIP適用更小的芯片，減小間距和降低成本的空間更大，未來Micro LED的趨勢確定，MIP優勢明顯。

04 Micro LED新產品層出不窮

   今年利亞德發布新一代Micro LED 8K（P0.6）超高清顯示屏，使用Micro LED芯片、倒裝技術、MIP無焊線封裝工藝，實現發光芯片的巨量轉移。

   7月19日，利亞德首次展出最 新技術成果——Micro LED透明屏(P0.6)。采用微米級全倒裝無襯底Micro LED芯片，該款芯片尺寸僅20*40μm，為全倒裝無襯底Micro LED芯片，發光效率高，發光角度大，巨量轉移良率高。

   9月份消息，利亞德P0.9間距Micro LED電影屏(長3.8米，高2米)正式通過DCI權威認證，成為全球首塊影院級Micro?LED產品。

   10月26日，雷曼光電宣布其Micro LED顯示技術研發取得又一次重大突破，攜手沃格光電正式推出全球首款PM驅動玻璃基Micro LED顯示屏。這款雷曼PM驅動玻璃基Micro LED顯示屏使用沃格光電推出的TGV玻璃基板和雷曼光電獨有的新型COB封裝專利技術，工藝更簡化，大幅降低了Micro LED顯示屏制造成本。同時，高性能PM驅動IC在灰度等級、刷新率、低灰畫質、功耗等方面擁有優異的性能。采用PM驅動玻璃基的Micro LED顯示屏極其輕薄、平整度極高、功耗非常低、散熱很快、色彩還原度超高，是兼顧顯示效果與成本的極具性價比的產品。

   9月30日，辰顯光電宣布成功點亮全球首款102英寸P0.5(像素間距0.5mm)TFT基Micro LED拼接屏。這款新品采用25微米LED芯片，搭載國內首款自主開發Micro-LED專用驅動IC，全球首次達到10bit色深，同時可以實現240 Hz高刷新率以及60微米以內的無縫自由拼接。此外，這款拼接屏還同時具備高亮度、高對比度、高色彩飽和度、長壽命等卓越特性。

結語

   市場上普遍認為，當前Micro LED處于大規模商用的萌芽期，它的市場爆發要到2025年后。即使當前還難以判斷哪一年Micro LED可以實現大規模商用，但眾多屏企投入Micro LED產業鏈的局面有利于推進這一進程，提供最 佳解決方案。零組件的改善、制成最 佳化匹配、設備的技術突破，在量產與應用多元化的吸引下，2024年將有更多廠商投入該領域的發展，在健全供應鏈的同時，也進一步優化Micro LED的成本架構。

   由于各個世代的技術均有對應的目標市場，未來幾年內不太可能出現某個技術一家獨大的情況。不過可以肯定的是Micro LED就是未來顯示技術的黃金賽道，提前布局相關技術的廠商將持續受益。