集微網消息，近日，四川省科學技術廳啟動實施省先進材料、裝備制造、電子信息等六大優勢產業領域首批3個重大科技專項——釩鈦稀土重大科技專項、軌道交通重大科技專項和集成電路與新型顯示重大科技專項，推進關鍵核心技術攻關、重大創新產品研發、成果轉移轉化示范。

   據悉，釩鈦稀土重大科技專項圍繞釩鈦、稀土兩大領域，布局9項重大攻關任務，著力研發15個重大創新產品，突破28項關鍵核心技術；軌道交通重大科技專項圍繞高速鐵路、山地齒軌、重大鐵路三大領域，布局9項重大攻關任務，著力研發21個重大創新產品，突破13項關鍵核心技術；集成電路與新型顯示重大科技專項圍繞集成電路、新型顯示兩大領域，布局14項重大攻關任務，著力研發15個重大創新產品，突破36項關鍵核心技術。

   其中，集成電路支持方向和重點如下：

   嵌入式非揮發性存儲器IP研發。

   （1）研究內容。開展多次可編程存儲技術、單次可編程存儲技術、多晶硅柵電熔絲技術等非揮發性存儲器的關鍵技術研究，提高編程速度、擦除速度、數據保持時間等指標。研究標準工藝的嵌入式存儲IP設計，適應標準工藝的IP環境，減少額外光罩層次或工藝步驟，可實現快速導入芯片設計。設計并開發符合ISO 26262標準的車規級嵌入式非揮發性存儲IP產品，提升其操作溫度、高溫操作壽命、高溫數據保持時間等指標。

   （2）考核指標。突破關鍵技術3項以上，申請或授權發明專利5項以上，形成產品不少于2個，針對汽車電子芯片的需求，在國內主流工藝平臺進行車規級驗證，技術成果應用于汽車電子相關企業。

   （3）有關說明。擬支持1項，支持專項資金不超過800萬元；企業牽頭申報，鼓勵產學研聯合申報，自籌經費與申請專項資金比例不低于2：1。

   基于PCI/SATA二合一的高速存儲接口COMBO PHY IP核。

   （1）研究內容。研究開發符合SATA3.0協議及PCIE2.0協議的多功能高速存儲接口COMBO PHY IP核，完成IP授權；形成國外同類替代產品，支持1.5G/2.5G/5G/6G等節點高速數據收發，支持PCS子層功能，具備外信號通訊、低功耗模式切換等功能，符合SATA3.0及PCIE2.0的一致性測試規范電氣特性。

   （2）考核指標。突破關鍵技術3項以上，申請或授權發明專利4件以上，形成IP授權不少于5項，技術成果應用于存儲主控芯片和數據運算相關企業。

   （3）有關說明。擬支持1項，支持專項資金不超過800萬元；企業牽頭申報，鼓勵產學研聯合申報，自籌經費與申請專項資金比例不低于2：1。

   四通道射頻多功能芯片研發。

   （1）研究內容。研究高精度電磁場協同仿真技術，提高仿真精度和設計效率；開展多通道集成MCM芯片設計研究，在實現多功能、高性能情況下，減小封裝尺寸；研究新型低功耗高線性度放大結構設計，提高線性度、降低功耗等關鍵指標；研究高可靠性封裝技術，提高高溫工作要求下各項指標穩定性。

   （2）考核指標。研發多通道集成MCM芯片，突破關鍵核心技術不少于3項，申請或授權發明專利5件以上，形成產品2個以上，技術成果應用于無線通信相關企業，實現國產化產品供應。

   （3）有關說明。擬支持1項，支持專項資金不超過1000萬元；企業牽頭申報，鼓勵產學研聯合申報，自籌經費與申請專項資金比例不低于2：1。

   毫米波核心芯片關鍵技術研究。

   （1）研究內容。開展高性能收發通道芯片和電源管理芯片一體化優化設計、寬電壓范圍CMOS電源管理以及多通道電流采樣等技術研究，提高無線通信系統發射機的動態適應范圍；研究硅基收發通道高隔離度技術，減少功能模塊相互干擾；研究高頻段毫米波噪聲抑制大功率輸出技術，提高靈敏度和可靠性；開展毫米波高功率及低噪聲放大技術研究，提升放大器芯片的飽和輸出功率，增加射頻芯片功率。研制擁有自主知識產權的具有電源管理功能的高功率、低噪聲收發前端芯片。

   （2）考核指標。突破關鍵技術4項以上，申請核心芯片發明或授權專利不少于5件，形成產品2個以上，技術成果應用于下一代無線通信企業。

   （3）有關說明。擬支持1項，支持專項資金不超過800萬元；企業牽頭申報，鼓勵產學研聯合申報，自籌經費與申請專項資金比例不低于2：1。

   高密度、高效率SiC JBS功率芯片制備。

   （1）研究內容。針對新能源充電樁等小型化、高效率電源裝備領域所急需的高頻高壓SiC二極管產品需求，開展SiC結勢壘二極管器件的大規模制造技術研究，突破高壓低導通壓降結型二極管載流子輸運機理和結構設計優化技術；突破陽極接觸、SiC刻蝕、襯底減薄、激光退火歐姆接觸等工藝技術，具備開展SiC JBS器件大規模生產制造的技術和能力。從高壓低導通壓降結勢壘二極管結終端設計優化、關鍵工藝技術開發、器件流片研制與測試三個方面開展系統研究，解決SiC結勢壘二極管器件制造技術中陰極制備、器件熱管理優化、良率提升等關鍵工藝瓶頸問題。研發高頻高壓SiC JBS二極管及碳化硅二極管器件。

   （2）考核指標。突破關鍵技術不少于2項，申請或授權發明專利6件以上，形成產品2個以上，技術成果應用于汽車電子相關企業。

   （3）有關說明。擬支持1項，支持專項資金不超過800萬元；企業牽頭申報，鼓勵產學研聯合申報，自籌經費與申請專項資金比例不低于2：1。

   功率芯片封測工藝研發與應用。

   （1）研究內容。研究高功率密度、無引腳封裝結構、低封裝損耗和優化散熱等封裝技術，突破高功率大芯片低損耗技術和熱管理技術；研究封裝系統電磁兼容與信號隔離、多排陣列框架、大電流低熱阻封裝技術，實現功率器件低信號延遲、高可靠性、良好傳導、低阻抗大電流能力。研究建立具有全面自主知識產權、產品成熟度高的功率芯片研發設計、封測平臺，開發電流達300A的汽車功率芯片封測模組。

   （2）考核指標。突破關鍵技術不少于3項，申請或授權發明專利5件以上，形成產品3個以上，產品轉化應用于汽車電子相關企業。

   （3）有關說明。擬支持1項，支持專項資金不超過300萬元；企業牽頭申報，鼓勵產學研聯合申報，自籌經費與申請專項資金比例不低于2：1。

   超高速800G光模塊封裝測試研究。

   （1）研究內容。研究高精度貼裝與高集成度混合封裝技術，實現自動化光學封裝；開發高精度多維光學耦合系統，開展先進耦合算法研究，提高耦合效率；突破光電接口帶寬限制，實現基于直接調制方案的低成本單通道200G超高速率數據傳輸。研制超高速800G光模塊等系列產品，包括硅光平臺馬赫·曾德爾調制器/大功率連續光波激光器，實現并行多路的共享光源架構；研制四通道EML激光器，確保高可靠性氣密封裝架構。

   （2）考核指標。突破關鍵技術不少于3項，申請或授權發明專利5件以上，形成產品2個以上，實現低功耗、高集成和高速率性能的硅光模塊的推廣與應用，技術成果應用于數據中心相關企業。

   （3）有關說明。擬支持1項，支持專項資金不超過500萬元；企業牽頭申報，鼓勵產學研聯合申報，自籌經費與申請專項資金比例不低于2：1。