據韓媒報道，韓國電子和電信研究所(ETRI)已開發出一種先進半導體小芯片封裝技術，可將半導體生產功耗降低95%。

這種新技術采用了一種名為非導電薄膜 (NCF) 的新型薄膜材料，由ETRI通過其自研的納米材料技術開發，基于環氧基物質和還原劑制成，厚度范圍為10至20微米，該材料具有半導體封裝所需的高性能，并且可作為優質的粘合材料。

此外，ETRI開發封裝技術可實現高精度工藝，可應用于各種小芯片封裝，還可適用于包括Micro LED在內的所有高端半導體產品生產。

值得注意的是，這種精度可以在室溫下實現，這與傳統方法需要加熱到100℃不同，傳統方法需要加熱到100℃，從而導致功耗更高，誤差增加，并且由于熱膨脹而降低可靠性。

ETRI研究團隊透露，已有幾家Micro LED開發商參與評估該新技術，并且取得了非常積極的初步測試成果，該新材料有望在三年內實現商業化應用，為半導體顯示公司提供低功耗且環保的解決方案。

此外，該技術預計將成為制造具有高性能需求的人工智能半導體的核心材料技術，例如自動駕駛和數據中心所需的半導體。

據悉，ETRI此前還開發了一種SITRAB新材料技術，是首次將LED轉移和粘合工藝合二為一的技術。