3月，思坦科技在企查查披露了“一種Micro-LED芯片及其制備方法”的專(zhuān)利申請(qǐng)。

   本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N微型顯示模組、微型顯示裝置及制備方法，微型顯示模組包括：Micro LED芯片陣列和CMOS基板；Micro LED芯片陣列中的像素區(qū)結(jié)構(gòu)中的電極層通過(guò)IN球與CMOS基板鍵合。

   本申請(qǐng)中，Micro LED芯片陣列中的非像素區(qū)結(jié)構(gòu)中的電極層通過(guò)IN墻與CMOS基板鍵合，對(duì)內(nèi)部像素區(qū)進(jìn)行全面的遮擋，可以改善周邊漏光問(wèn)題，提升微型顯示模組的顯示效果。

   所述方法包括：制備初始Micro LED芯片陣列結(jié)構(gòu)；所述初始Micro LED芯片陣列結(jié)構(gòu)包括外延層及在外延層上形成的像素單元陣列；

   在所述像素單元陣列和所述外延層上的非像素區(qū)進(jìn)行金屬層、電極層、鈍化層制備；在所述鈍化層上刻蝕每個(gè)所述電極層對(duì)應(yīng)窗口；

   所述非像素區(qū)的電極層對(duì)應(yīng)的窗口尺寸大于常規(guī)非像素區(qū)的電極層對(duì)應(yīng)的窗口尺寸；在每個(gè)所述窗口上形成IN膜層；所述IN膜層的尺寸大于常規(guī)Micro LED芯片陣列中IN膜層的尺寸；

   所述尺寸包括長(zhǎng)度、寬度及厚度；基于所述IN膜層與CMOS基板進(jìn)行鍵合。