國(guó)星光電:已開(kāi)發(fā)出手表用全彩Micro LED樣品
摘要:nStarⅠ是國(guó)星光電在2020年6月推出的第 一代Micro LED,采用玻璃基板工藝,全彩顯示,透明度達(dá)60%。
有投資者向國(guó)星光電提問(wèn), 蘋(píng)果產(chǎn)品中或?qū)?dǎo)入MicroLED技術(shù),請(qǐng)問(wèn)貴司有相關(guān)技術(shù)嗎?
國(guó)星光電回答表示,您好,據(jù)悉蘋(píng)果計(jì)劃將在智能手表產(chǎn)品中采用Micro LED顯示屏,目前公司已針對(duì)智能手表屏應(yīng)用場(chǎng)景開(kāi)發(fā)出Micro LED全彩顯示模組樣品,謝謝!
nStarⅠ是國(guó)星光電在2020年6月推出的第 一代Micro LED,采用玻璃基板工藝,全彩顯示,透明度達(dá)60%。
此次推出的第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ?yàn)橐豢?.5英寸玻璃基Micro LED全彩顯示屏,像素間距300微米(P0.3),采用TFT驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)了8bit(256灰階)色深的顯示效果。
同時(shí),基于自主搭建的Micro LED技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)平臺(tái),nStar Ⅱ突破了巨量轉(zhuǎn)移及巨量鍵合雙重技術(shù)難題,其綜合良率提升至99.99%。
據(jù)介紹,nStar Ⅱ玻璃基主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)Micro LED顯示屏是通過(guò)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)將Micro LED微型芯片鍵合到玻璃基板上,利用TFT驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)高清畫(huà)面顯示。在向更微型和更高密度LED芯片集成工藝迭代過(guò)程中,可在大面積上獲得超精細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的TFT玻璃基板是理想的技術(shù)選擇。
此外,主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)TFT背板既能實(shí)現(xiàn)Micro LED模組像素獨(dú)立控制,避免驅(qū)動(dòng)像素串?dāng)_,又能在提升模組顯示亮度均勻性的同時(shí)大大降低功耗。
近日國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局第二十四屆中國(guó)專(zhuān)利獎(jiǎng)評(píng)審結(jié)果公示期結(jié)束,國(guó)星光電“一種全彩化發(fā)光器件及顯示模組”的發(fā)明專(zhuān)利榮獲第二十四屆中國(guó)專(zhuān)利金獎(jiǎng)。
近年來(lái),國(guó)星光電聚焦超高清顯示領(lǐng)域,大力發(fā)展以Mini&Micro LED為代表的新型顯示技術(shù),本次獲獎(jiǎng)的“一種全彩化發(fā)光器件及顯示模組”發(fā)明專(zhuān)利是公司在Micro LED領(lǐng)域布局的核心專(zhuān)利,創(chuàng)新性地提出了采用光學(xué)界面全反射結(jié)構(gòu)抑制Micro LED顯示中因微小芯片間距導(dǎo)致的光串?dāng)_問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)了發(fā)光器件的微型化、高亮度及高對(duì)比度等特點(diǎn),形成自主創(chuàng)新的Micro LED超高清顯示封裝關(guān)鍵技術(shù)。
國(guó)星光電表示,“中國(guó)專(zhuān)利金獎(jiǎng)”是中國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域的最 高獎(jiǎng)項(xiàng),本次獲獎(jiǎng)是對(duì)公司技術(shù)研發(fā)實(shí)力的高度認(rèn)可,有利于發(fā)揮公司自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì),推動(dòng)公司Micro LED商業(yè)化進(jìn)程提速,提升公司技術(shù)創(chuàng)新能力和核心競(jìng)爭(zhēng)力。
截至目前,國(guó)星光電及子公司已申請(qǐng)專(zhuān)利超千項(xiàng),其中發(fā)明專(zhuān)利超500項(xiàng),已授權(quán)專(zhuān)利超700項(xiàng),專(zhuān)利布局涵蓋Micro/Mini LED超高清顯示、第三代半導(dǎo)體、車(chē)用照明LED、紫外LED、健康照明LED等方面。
來(lái)源:Wit Display
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