4月18日，芯元基半導體宣布，公司最 新研制的弱化結構Micro LED芯片獲得韓國客戶小批量采購訂單。

圖片來源：芯元基半導體

   據介紹，該弱化結構采用浸泡水的方式實現薄膜Micro LED芯片與臨時基板分離，客戶在膠水解粘的過程中，可以長時間地浸泡水，芯片位置卻不會發生移動，工藝窗口寬，產品可用于印章轉移等巨量轉移工藝開發。

   采用化學剝離GaN芯片技術，不僅可以實現GaN材料的無損剝離，而且可以實現將薄膜LED芯片高良率的任意轉移到客戶需要的客制化臨時基板上，更有利于客戶加速產業化技術路徑開發。

   芯元基半導體稱，公司已經完成了多種規格的Micro LED產品協助客戶開發巨量轉移工藝，已有多家海外客戶咨詢并采購。

   芯元基半導體擁有全球首創的以復合圖形化襯底（DPSS）和化學剝離為核心的技術體系，并擁有完整自主知識產權。目前已獲中微半導體、上海創徒、張江科投、張江高科、浦東科創、上海自貿區基金等逾億元投資。

   近年來，芯元基半導體大力發展Micro LED，取得不少突破。

   目前，芯元基半導體已成功點亮5μm Micro LED芯片陣列全屏、研發出16*27微米直顯用薄膜倒裝Micro LED芯片、實現0.41 inch 單色Micro LED微顯示屏視頻顯示、點亮InGaN基紅光適合微顯示的pitch 8微米Micro LED芯片陣列。

   項目方面，2020年11月，芯元基半導體第三代半導體氮化鎵項目正式簽約安徽池州高新區，投資總額6億元，分兩期建設。一期投資2億元，包括GaN基DPSS襯底生產線和UVA365nm芯片生產線等；二期投資4億元，建設行政、生產一體化廠房及配套設施。