據(jù)外媒eetimes報道，近期，總部位于英國的初創(chuàng)公司Kubos半導(dǎo)體提出了一種采用立方GaN的解決方案，有效抑制了強極化場對GaN基紅色LED的發(fā)光效率的影響。

   過去，大多數(shù)器件制造商開始選擇使用磷化銦鎵（InGaP）半導(dǎo)體材料來制造紅色LED器件。可當(dāng)Micro LED應(yīng)用及其擴展問題出現(xiàn)后，遇到新的挑戰(zhàn)。

   雖然在解決這個問題上，從過去到現(xiàn)在，不同的人有不同的想法，并嘗試各種不同的方案。

   但Kubos半導(dǎo)體仍然堅持認(rèn)為，通用材料系統(tǒng)是藍色、綠色和紅色Micro LED的最終前進之路，而這種可以贏得未來勝利的材料是另一種GaN。

   據(jù)悉，Kubos半導(dǎo)體創(chuàng)始人David Wallis多年來一直在研究一種立方GaN。由于立方GaN具有更高的晶體對稱性，這種GaN變體能夠不受強極化場的影響，有效抑制了強極化場對GaN基紅色LED的發(fā)光效率的影響。

通過晶片探測測試的150毫米GaN LED晶圓

來源：Kubos 半導(dǎo)體

   另外，Kubos半導(dǎo)體在GaN生長及工藝上有相應(yīng)的方案。據(jù)O'Brien介紹，硅襯底可以與CMOS工藝兼容，由于薄SiC層和立方GaN之間的低晶格失配，我們讓GaN的生長進入立方狀態(tài)。另隨著SiC功率器件的商業(yè)化，這種SiC薄層的成本將顯著降低，目前他們已經(jīng)開始實現(xiàn)使用量子點或在藍寶石襯底上生長GaN的Micro LED制造方法。

   值得注意的是，Kubos半導(dǎo)體打算在更大的200毫米硅基碳化硅晶圓上生長立方GaN，根據(jù)O'Brien的說法，這是“真正的最 佳成本點”。

   另外，Kubos半導(dǎo)體最近制造了一款50微米直徑的立方GaN非封裝Micro LED芯片，它可以發(fā)射紅光。他們希望通過該產(chǎn)品證明：使用立方GaN方案制造更長波長Micro LED是可能的。

   目前，Kubos半導(dǎo)體正在增加其晶圓供應(yīng)，以便支持客戶定制其專有紅色Micro LED芯片。據(jù)O'Brien的估計，這些初始LED器件的外部量子效率約為3%。

Kubos半導(dǎo)體制作的直徑為50微米的綠色、琥珀色和紅色Micro LED器件，來源：Kubos半導(dǎo)體

   O'Brien表示，接近20%的發(fā)光效率目標(biāo)未來是可實現(xiàn)的。且在未來，這種Micro LED技術(shù)將在延長電池壽命方面變得非常有意義，并相信這一目標(biāo)將5年內(nèi)實現(xiàn)。