據韓媒消息，韓國科學技術院（KAIST）院長李光炯22日宣布，由電氣電子工程系Sang-Hyun Kim教授領導的團隊通過改變“外延結構”，解決了Micro LED器件小型化趨勢下效率降低的問題。

KAIST研究團隊介紹，要制造Micro LED，必須通過蝕刻工藝切割堆疊在晶圓上的氮化鎵晶體的外延結構以形成像素。蝕刻過程伴隨著基于等離子體的過程，而等離子體會導致像素側出現缺陷。

像素尺寸越小，分辨率越高，這些缺陷的不利影響就越大，Micro LED 器件效率大大降低。在過去，會隨著外延結構的生長，然后對缺陷進行后處理，這種改善程度是有限的。

KAIST研究團隊重新研究了小型化過程中器件效率下降的現象，Sang-Hyun Kim 教授認為，效率下降是 Micro LED 小型化的障礙，可以通過外延結構設計來解決它。

因此，研究團隊設計了一種對橫向缺陷完全不敏感的結構。

該結構是一種通過調節量子勢壘的厚度來防止電子偏向一邊的方法，與之前的結構相比，這種結構可以將驅動顯示器時產生的熱量減少約40%，解決了Micro LED器件小型化導致效率降低的問題。這對作為超高分辨率Micro LED顯示器商業化的研究具有重要意義。

據悉，這項研究于3月17日在國際期刊Nature Communications上發表。

值得注意的是，這項研究是在三星未來技術開發中心的支持下進行的。而據行家說Display了解，KAIST在2022年也公開了一項獲得三星未來技術開發中心支持的研究成果。

該成果屬于由KAIST電氣電子工程學院的Sang-Hyun Kim教授領導的研究團隊，于2022年7月公布。

據悉，該研究成果是一項以三維堆疊方式集成紅色Micro LED，成功研發了1600 PPI等效Micro LED顯示器，可用于AR/VR。

研究運用的單片式3D集聚方式，為下一代超高分辨率顯示的開發提供了指導方向。Sang-Hyun Kim教授表示，未來可以通過應用類似的工藝，制作出包括紅、綠、藍光的全彩顯示器。