文章轉載自：集微網

集微網消息，Micro-LED（微發光二極管，微LED）是一種新一代的顯示技術，相比于現有的OLED技術，這種微LED顯示器的亮度更高、發光效率更好，且功耗更低，非常適合應用在高端電子數碼產品中。

在目前的傳統技術中，微LED顯示面板通常使用微LED芯片發出出射光，再對出射光進行顏色轉換得到三色光。但這種傳統技術在實際的實現過程中的顯示效果較差，無法發揮出其優 秀的功能特性。

因此，辰顯光電在2020年5月14日申請了一項名為“顯示面板及其制備方法”的發明專利（申請號：202010409811.2），申請人為成都辰顯光電有限公司。

在該專利中，發明一種新型的微LED顯示面板的制備方案，可以有效完成特定顏色的轉換。根據該方案目前公開的相關資料，讓我們一起來看看這項發明專利吧。

如上圖，為該專利中發明的顯示面板的制備方法工藝流程示意圖，這種顯示面板的制備選取LED基板作為底板，該基板包括背板110和LED芯片120，LED芯片間隔設置于TFT背板上，而LED芯片則正是微LED芯片，其在TFT電路的驅動下可以發光，通常尺寸在數微米至數十微米之間。

首先，在生長襯底上生長出LED芯片后，先將LED芯片粘附于臨時基板上，再通過激光剝離等方法移除生長襯底，從而在臨時基板上形成分立的LED芯片陣列。然后通過轉印頭拾取LED芯片，移動至TFT背板上，并采用加熱焊接等方式固化LED芯片與TFT背板之間的連接。

其次，在透明的第 一基板130上形成反射層140和第1阻擋層150，第1阻擋層上設置有許多個第1收納腔。當LED芯片發出藍光時，該反射層可以選擇性的透過藍光，即該反射層僅可以使藍光透射，而反射其它顏色的光。

最后，將第1基板與LED基板進行貼合，使第1阻擋層設置于TFT背板和第1基板之間，LED芯片分別設置于第1收納腔中，且LED芯片在第1基板上的正投影與反射層在第1基板上的正投影交疊，使得在第1基板遠離LED基板的一側形成顏色轉換層，從而實現對藍光顏色的轉換。

上圖中，展示了這種顯示面板的剖面結構示意圖，可以較為清楚地看到，該顯示面板包括LED基板100、第1基板130、第1阻擋層150和反射層140。在第1基板上設置有第1表面132，其靠近TFT背板，在第1表面上有反射層，該反射層即是分布式布拉格反射層，其包括許多個反射器142，這些反射器收納在第1收納腔中。由此，通過基板和TFT的背板貼合，來提升反射層膜厚度的均勻性，防止制備第1阻擋層時高溫影響TFT背板的穩定性。

以上就是辰顯光電發明的搭載微LED芯片的顯示面板及其制備方案，該方案擺脫了傳統技術中需要對微LED芯片的出射光進行顏色轉換的步驟，通過在遠離LED基板的一側設置顏色轉換層來實現顏色的轉換，并將基板和TFT背板對位貼合，來提高高溫下的材料綁定穩定性，從而有效提高顯示面板的顯示效果。