以GaN-on-GaN打SiC！這家公司擬收購世界500強企業的GaN襯底業務

文章轉載自：化合物半導體市場

據外媒報道，韓國GaN外延材料開發商IVWorks收購了法國材料專業生產商圣戈班集團（Saint-Gobain）的GaN襯底業務，計劃在高功率應用領域供應GaN-on-GaN外延片，對打SiC材料，搶攻電動汽車市場。

資料顯示，IVWorks成立于2011年，總部位于韓國大田市，主要生產應用于射頻及功率電子市場的GaN-on-Si/SiC外延片。

IVWorks自稱是韓國唯 一一家成功量產4/6/8英寸GaN外延片的半導體材料專業廠商，并自主開發了全球首款結合人工智能生產系統的外延生產技術。不僅如此，該公司最近還在韓國首次安裝了12英寸生產設備。

據化合物半導體市場了解，IVWorks主要采用混合式MBE技術（Hybrid-MBE）生產高質量GaN外延片。2020年8月，IVWorks與全球MBE（分子束磊晶技術）巨頭英特磊IET-KY達成合作，共同開發基于MBE技術的GaN外延片，瞄準全球射頻和電力器件市場。

Saint-Gobain成立于1665年，總部位于法國巴黎，是世界500強企業之一，主營業務是設計、生產及分銷材料，服務于建筑、汽車、工業、航空、健康、防御、安全及飲食等諸多市場。

IVWorks的CEO Young-Kyun Noh表示，GaN功率器件在能效方面的優勢明顯，在各種電子產品中發揮著越來越來重要的作用，其中，電動汽車應用市場作為新興應用領域，已發現GaN材料的應用潛力，并開始高度關注。

IVWorks進一步指出，GaN外延片主要用于生產快速充電器、電動車功率轉換器、國防雷達等的功率器件，其通常在硅或SiC襯底上生長，而垂直結構GaN器件在電動車動力系統等高功率器件中有著很大的需求。

IVWorks認為，法國Saint-Gobain及住友和三菱等日本企業正在引領GaN襯底技術發展，通過收購Saint-Gobain的GaN襯底業務，IVWorks將掌握4/6英寸GaN襯底量產技術。

同時，公司將擴大產品組合，向高功率應用領域供應GaN-on-GaN外延片，并在電動汽車市場迎戰SiC材料。