文章轉載自：CINNO

2021年11月10日，由大族激光顯視與半導體自主研發生產的國產首臺量產Micro LED巨量轉移設備進駐客戶現場，標志著國產首臺Micro LED巨量轉移設備正式拉開生產序幕。

在客戶領導和全體工作人員的見證下，Micro LED巨量轉移設備起吊，順利送入相應吊裝口。

轉移效果圖

此臺國產首臺量產Micro LED巨量轉移設備的順利搬入，標志著大族顯視與半導體在新型顯示Micro LED產業的技術研究和裝備生產取得了又一關鍵性的突破，也標志著國產激光裝備的又一重大突破。

業發展，裝備先行。大族顯視與半導體一直走在LED顯示行業裝備的前沿，從2019年開始致力于攻克Micro LED激光相關加工工藝難題，推進Micro LED產業化進程。

從2020年起，大族顯視與半導體陸續在Micro LED產業多項關鍵技術上取得重要突破，現已初步形成一系列自主創新的關鍵工藝技術方案，如激光剝離、激光修復、激光巨量轉移、激光巨量焊接和玻璃拼接等整套解決方案，并具備相關設備量產能力。從技術研究和裝備應用領域豐富和完善了公司在Micro LED產業的布局，為Micro LED產業提供專業解決方案。

大族顯視與半導體在Micro LED產業布局圖

Micro LED激光剝離

該技術可實現從藍寶石襯底上的特定位置，或是整面剝離氮化鎵、膠材等材料，具備行業領先性。剝離工藝效果穩定，加工良率高，剝離良率可達99.9%以上。可實現最小尺寸10um，間距10um的芯片加工。基于自動CCD校正，可滿足對不同規格產品精準識別定位， 配備超高精度運動平臺，全閉環控制，有效提高系統單位時間內的產能， 并且具備激光剝離加工后蓋板與轉移基板自動分離功能。該款設備已實現量產。

Micro LED激光修復

激光修復設備可以在Micro LED的制造過程中篩選出有缺陷的芯片并進行修復，是Micro LED制程中的關鍵設備。此款激光修復設備可以讀取AOI檢測數據，實現對任意位置的不良芯片進行修復。 修復效率高，Wafer/donor基板上MicroLED芯片去除的效率為2kk/h；Substrate基板上MicroLED芯片去除的效率為1k/h；Donor/substrate基板上MicroLED芯片轉移修復的效率達到2kk/h。

Micro LED激光巨量轉移

此款設備為國產首臺量產Micro LED巨量轉移設備，采用激光轉移技術，利用特殊整形后的方形光斑，結合高速振鏡掃描，可以實現高速加工，將芯片逐一轉移到下層基板（玻璃或者膜材）上。轉移效果良好，轉移過程對芯片無損傷。擁有高精度對位系統，Micro LED轉移落點精準，位置精度達到±1.5um，轉移效率可達2kk/h—100kk/h。

Micro LED激光巨量焊接

此款設備通過整形光斑可實現對加溫區域的精準控制，避免整版全部加熱產生較大的熱應力，可以實現溫度實時反饋，對溫度進行精準控制。采用高精度的對位系統，可以實現對位精度±1.5um，效率高，且焊點質量好，無曲翹。

玻璃拼接

Micro LED大尺寸屏幕通常是由許多個窄邊框的小尺寸屏幕拼接而成，因而可以制作任意尺寸大小的大屏幕。要實現大屏拼接，需要制作高質量的小尺寸屏幕。在制作的過程中，許多流程需要激光來完成。大族顯視與半導體結合自主研發的ICICLES等工藝技術，自主開發出了一套集玻璃基板切割、線路刻蝕、保護膜層切割等需求的大屏拼接技術方案。此款設備采用紫外皮秒激光刻蝕線路圖案，無刻蝕殘留。大族顯視與半導體已經量產設備的線寬精度和拼接精度可達±5um，正在開發線寬精度和拼接精度可達±3um精度的設備。

大族顯視與半導體已經可以為客戶提供一整套Micro LED研發、測試、量產的激光解決方案。未來，大族顯視與半導體將持續堅持自主創新發展理念，全力攻克Micro LED產業技術難題，加快推動Micro LED產業化進程，助力國家新型顯示產業發展。