文章轉(zhuǎn)載自：高工LED

9月4日，聚燦光電發(fā)布關(guān)于子公司簽署《投資合同書》的公告，將總投資35億元生產(chǎn)Mini/Micro LED氮化鎵、砷化鎵芯片等產(chǎn)品。

公告顯示，聚燦光電子公司聚燦光電科技（宿遷）有限公司（以下簡稱“聚燦宿遷”）與宿遷經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)本著互惠互利、誠實(shí)守信和平等自愿的原則，在近日簽訂了《宿遷經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)工業(yè)項(xiàng)目進(jìn)區(qū)投資合同書》。

該投資項(xiàng)目名稱為聚燦光電擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，總投資約35億元，其中固定資產(chǎn)投資約30億元，主要生產(chǎn)Mini/Micro LED氮化鎵、砷化鎵芯片等產(chǎn)品。

據(jù)聚燦光電介紹，該項(xiàng)目用地位于聚燦宿遷現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)南部及廠區(qū)西南側(cè)新增43畝工業(yè)用地，于2020年第四季度陸續(xù)投入使用。廠房建設(shè)總建筑面積約3萬平方米，聚燦宿遷將在取得新增國有土地使用權(quán)證后36月內(nèi)建成投產(chǎn)（包含既有老廠房改建、裝修和新建廠房）。