?Cree加速擴充SiC產能

文章轉載自：半導體行業觀察 

8月10日，美國化合物大廠Cree在其官方公眾號宣布，公司于去年9月宣布將在美國紐約州 Marcy 建造一座全新的采用最先進技術并滿足車規級標準的200mm 碳化硅（SiC）功率和射頻（RF）制造工廠。而現在，該工廠目前已經完成基礎工程施工，并開始主體工程施工。

Cree表示，這一新制造工廠旨在顯著提升用于 Wolfspeed 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）業務的產能，將建設成為一座規模龐大、高度自動化且具備更高生產能力的工廠。這一位于紐約州的先進 fab，和位于北卡羅萊納州的超級材料工廠（mega materials factory），將創建在美國東海岸的碳化硅（SiC）走廊，推進碳化硅（SiC）被更為快速地采用。

Cree將投資10億美元用于擴大SiC碳化硅產能

去年五月，Cree方面宣布，作為公司長期增長戰略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC碳化硅產能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術的自動化200mm SiC碳化硅生產工廠和一座材料超級工廠。這項標志著公司迄今為止最大的投資，將為Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵業務提供動能。在2024年全部完工之后，這些工廠將極大增強公司SiC碳化硅材料性能和晶圓制造產能，使得寬禁帶半導體材料解決方案為汽車、通訊設施和工業市場帶來巨大技術轉變。

Cree首席執行官Gregg Lowe先生表示：“我們不斷地看到在汽車和通訊設施領域采用SiC碳化硅的優勢來驅動創新所產生的巨大效益。但是，現有的供應卻遠遠不能夠滿足我們對于SiC碳化硅的需求。今天，我們宣布了公司迄今在生產制造的最大投資，將大幅地提升供應，幫助客戶為市場提供變革性的產品和服務。這項在設備、基礎設施、公司人力方面的巨大投入，將為我們顯著擴大產能。與2017財年一季度(也就是我們開始擴大產能的首個階段)相比較，能夠帶來SiC碳化硅晶圓制造產能的30倍增長和材料生產的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在δ來5年乃至更長遠的預期增長?！?/span>

這項計劃將為業界領先的Wolfspeed SiC碳化硅業務提供附加產能。通過增建現有的建筑設施，作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓制造工廠，邁出滿足預期市場需求的第 一步。新的North Fab將被設計成能夠全面滿足汽車認證的工廠，其生產提供的晶圓表面積將會是今天現有的18倍，剛開始階段將進行150mm晶圓的生產。公司將把現有在達勒姆的生產和材料工廠轉變為一座材料超級工廠。

Cree首席執行官Gregg Lowe先生同時還表示：“這些SiC碳化硅制造超級工廠，將加速當今最快增長市場的創新。通過提供解決方案，幫助提高EV電動汽車的行駛里程并減少充電時間，同時支持5G網絡在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化硅和GaN氮化鎵技術和制造有史以來最大的資本投資，也是一種在財政上負責任的方式。通過采用現有工廠和安裝絕大部分的整新工具，我們相信我們可以實現提供最先進技術的200mm fab，并且成本大約僅為一座新fab的1/3?！?/span>

擴大的園區將創造高科技就業機會，并提供先進制造人才發展計劃。Cree計劃與州、當地和四年制院校開展培訓項目，為新工廠所帶來的長期、高端就業和成長機遇提供人才儲備。

羅姆和昭和電工也在擴充SiC產能

羅姆在早前發布新聞稿宣稱，將擴增使用于電動車 (EV) 等用途的碳化硅(SiC)電源控制芯片產能，將在旗下生產子公司「ROHM Apollo」的筑后工廠(福岡縣)內興建新廠房，預計于2019年2月動工、2020年12月完工。此外，羅姆于SiC電源控制芯片事業策略說明會上表示，將投資約200億日圓，于2020年倍增SiC電源控制芯片產能，而羅姆也考慮于宮崎縣進行增產投資，在2025年3月底前累計將投資600億日圓，屆時將SiC電源控制芯片產能大幅擴增至2016年度16倍。

另外，日本昭和電工也多次發表了產能擴充聲明。該公司之前分別于2017年9月、2018年1月宣布增產SiC晶圓，不過因 SiC 制電源控制晶片市場急速成長、為了因應來自顧客端旺盛的需求，因此決定對SiC晶圓進行第3度的增產投資。昭和電工SiC晶圓月產能甫于2018年4月從3,000片提高至5,000片 (第1次增產)，且將在2019年9月進一步提高至7,000片(第2次增產)，而進行第3度增產投資后，將在2019年2月擴增至9,000片的水準、達現行(5,000片)的1.8倍。

除了晶圓供應商擴產，下游的代工廠也在加速布局，迎接即將爆發的SiC熱潮。

X-Fab在去年九月宣布，計劃將其位于德克薩斯州6英寸SiC工藝工廠產能翻番，以滿足客戶對高效功率半導體器件日益增長的需求。為了使容量翻倍，X-Fab德州工廠購買了第二臺加熱離子注入機，用于制造6英寸SiC晶圓。預計到在 2019年一季度及時生產，以滿足預計的近期需求。

X-Fab德州工廠的 Lloyd Whetzel說：“隨著SiC的日益普及，我們早就明白，提高離子注入能力是我們在SiC市場上的持續制造成功的關鍵。但這只是我們針對特定SiC制造工藝改進的總體資本計劃的第 一步。這體現了X-Fab對SiC行業的承諾，并保持我們在SiC鑄造業務中的領導地位。”

來自臺灣地區的晶圓代工廠漢磊在去年八月也宣布，決定擴大碳化硅（SiC）產能，董事會決議斥資3.4億元新建置6吋SiC生產線，為臺灣地區首家率先擴增SiC產能的代工廠，預計明年下半年可以展開試產。據了解，漢磊目前已建立4吋SiC制程月產能約1500片，預計將現有6吋晶圓廠部分生產線改為SiC制程生產線，先把制程建立起來，以滿足車載、工控產品等客戶強勁需求，因6吋的SiC售價達4000美元（約12萬臺幣），估計每月只要產出2000到 3000片，帶動營收就可望增加2、3億元以上。

芯片廠方面，意法半導體、羅姆、英飛凌和力特等廠商都在卯足勁擴充自己的勢力，這個市場的一場角逐大戰，必將打響。