文章轉載自：新型顯示觀察

6月1日，三星電子宣布計劃擴大其在平澤市的NAND生產能力，以增強其滿足新興技術需求的能力。該擴建工程將在今年5月動工，計劃在 2021年下半年開始量產三星先進的V-NAND存儲芯片，以滿足不斷增長的數據中心和智能手機存儲需求。

三星電子存儲器全球銷售與市場部執行副總裁Cheol Choi表示，“這項新投資重申了我們致力于保持存儲技術領域領先地位的承諾，即使在市場面臨極大的不確定時依然如此。我們將繼續以最優化的解決方案為市場服務，同時為整個IT行業和整體經濟的增長做出貢獻。”

在人工智能，物聯網和5G擴展推動下，催生出海量大容量存儲需求，三星電子積極布局，增加投資，是為保證其在未來市場競爭中保持領先地位。

目前，三星電子NAND Flash生產線主要分布在韓國華城、平澤以及中國西安。其中，西安二期工廠和平澤P2工廠在積極擴建中。近期，三星包機派遣200多名擴建所需技術人員赴西安，加速推進西安工廠擴建工作。

平澤P2工廠作為NAND Flash和DRAM的混合產線于今年五月份安裝設備同時建設極紫外光刻（EUV）生產線，計劃生產先進的DRAM。而此次擴產是針對NAND Flash產線。

在NAND Flash投入上，除了在產能上持續投資之外，三星也正在加快先進制程的過渡，于今年三月份宣布將在平澤P1產線由第五代V-NAND更新為最先進的第六代V-NAND（100+層），西安二期產線量產第五代V-NAND，以完全滿足高端市場存儲需求。