文章轉載自：半導體及顯示行業(yè)要聞

三星Display把QNED（Quantumdot Nano Light Emitting Diode）定為下一代Display技術，已經(jīng)著手進行研發(fā)。

QNED是利用納米級超微細半導體粒子——量子點（Quantum dot）和GaN發(fā)光二極管（GaNLight Emitting Diode）的Display技術。該技術理論上要比三星Display正在研發(fā)中的另一項下一代Display技術——QD-OLED（Quantum dot-Organic Light Emitting Diode）的Display壽命更長、亮度更高、功耗更低、無Burn-in現(xiàn)象，更具技術優(yōu)勢。

LED(Light Emitting Diode)是具有陽極特性的P型半導體和具有陰極特性的N型半導體的雙重接合結構，加電壓后N層的電子向P層移動而產(chǎn)生光能，根據(jù)材料化合物的不同波長發(fā)出不同顏色。

QNED的光源——GaN LED利用無機化合物GaN發(fā)出光三原色（紅綠藍）中能量最 高的藍光，但QD-OLED的光源不是LED，而是有機化合物藍色OLED元件，從材料特性上來看，有機化合比無極化合物不耐受氧氣或水分，容易出現(xiàn)Burn-in、壽命較短。三星Display為克服QD-OLED的缺點決定著手研發(fā)QNED。

競爭公司LGD已經(jīng)率先開發(fā)出了WOLED(WhiteOLED)技術并占領了大尺寸OLED市場，QD-OLED和WOLED一樣容易出現(xiàn)Burn in現(xiàn)象（尤其是藍色OLED元件），因此三星Display欲研發(fā)出沒有Burn in缺點的下一代Display。

業(yè)界預測，QNED技術未來將發(fā)展成LED自身能發(fā)出光三原色的Display技術，就像Micro LED Display一樣，一個GaN LED相當于一個像素，將GaN LED制作成納米級立體結構，理論上一個元件可以形成各種波長的光線，生產(chǎn)成本要比MicroLED更具優(yōu)勢。

實際上韓國科學技術院（KAIST）在2012年就成功用納米級GaN LED元件制作出六角金字塔結構，實現(xiàn)了藍綠色、黃色、橘色、白色等各種顏色。

但是，三星Display還不能保障QNED技術的收益性，因此初期計劃先把GaN LED做為光源，和LCD、WOLED技術類似，先制作棍狀的GaNLED Nanorods，發(fā)出的光線經(jīng)過QD Sheet和Color Filter來形成光三原色。