三星Display今年底構建QNED試生產線,明年底開始試生產
摘要:三星Display把QNED(Quantumdot Nano Light Emitting Diode)定為下一代Display技術,已經著手進行研發。
文章轉載自:半導體及顯示行業要聞
三星Display把QNED(Quantumdot Nano Light Emitting Diode)定為下一代Display技術,已經著手進行研發。
QNED是利用納米級超微細半導體粒子——量子點(Quantum dot)和GaN發光二極管(GaNLight Emitting Diode)的Display技術。該技術理論上要比三星Display正在研發中的另一項下一代Display技術——QD-OLED(Quantum dot-Organic Light Emitting Diode)的Display壽命更長、亮度更高、功耗更低、無Burn-in現象,更具技術優勢。
LED(Light Emitting Diode)是具有陽極特性的P型半導體和具有陰極特性的N型半導體的雙重接合結構,加電壓后N層的電子向P層移動而產生光能,根據材料化合物的不同波長發出不同顏色。
QNED的光源——GaN LED利用無機化合物GaN發出光三原色(紅綠藍)中能量最 高的藍光,但QD-OLED的光源不是LED,而是有機化合物藍色OLED元件,從材料特性上來看,有機化合比無極化合物不耐受氧氣或水分,容易出現Burn-in、壽命較短。三星Display為克服QD-OLED的缺點決定著手研發QNED。
競爭公司LGD已經率先開發出了WOLED(WhiteOLED)技術并占領了大尺寸OLED市場,QD-OLED和WOLED一樣容易出現Burn in現象(尤其是藍色OLED元件),因此三星Display欲研發出沒有Burn in缺點的下一代Display。
業界預測,QNED技術未來將發展成LED自身能發出光三原色的Display技術,就像Micro LED Display一樣,一個GaN LED相當于一個像素,將GaN LED制作成納米級立體結構,理論上一個元件可以形成各種波長的光線,生產成本要比MicroLED更具優勢。
實際上韓國科學技術院(KAIST)在2012年就成功用納米級GaN LED元件制作出六角金字塔結構,實現了藍綠色、黃色、橘色、白色等各種顏色。
但是,三星Display還不能保障QNED技術的收益性,因此初期計劃先把GaN LED做為光源,和LCD、WOLED技術類似,先制作棍狀的GaNLED Nanorods,發出的光線經過QD Sheet和Color Filter來形成光三原色。
來源:半導體及顯示行業要聞
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