隨著市場對于顯示的需求不斷邁向更高層次，追求視覺效果的真實性變得越發重要。未來4K、8K LED高清屏的市場需求將會進入爆發期，以小間距顯示、Mini LED和Micro LED為代表的新型顯示正迎來新的技術拐點，技術的革新就意味著產業有機會重新改寫游戲規則、重塑顯示領域競爭格局。

   作為國內LED芯片領域龍頭的華燦光電在Mini/Micro LED領域已布局良久，并取得了實質性的進展。

   據了解，華燦光電的Mini-LED以及Micro-LED產品在外延和芯片工藝方面進行了全方位優化，已經取得了多項技術突破和發明專利。

   此前的9月，華燦光電在深圳舉行了Mini-LED新品發布暨微顯示戰略合作簽約儀式。

   華燦光電相關負責人表示，LED自發光顯示微縮化的核心就是Mini/Micro-LED芯片，華燦光電Mini-LED新品擁有著眾多華燦特有的技術特點，可以滿足下游客戶的需求。

   在Mini RGB LED芯片技術優化方面，華燦光電設計了高可靠性、高亮度的DBR倒裝芯片結構。通過優化PV和Mesa刻蝕工藝，使金屬連接層平滑覆蓋；優化了電極結構和金屬沉積工藝，設計出高可靠性的電極；并且，通過特有的混編技術，可以消除COB應用情況下的Mura效應。

   同時，隨著芯片尺寸的持續減小，免錫膏封裝芯片方案將成為提高良率、降低成本的關鍵，對此華燦光電已實現了將錫球直接制作在Mini-LED芯片電極上的技術應用。在紅光Mini LED芯片技術方面，華燦開發出高鍵合良率的轉移和鍵合工藝；并設計了頂傷防護層，優化材料沉積工藝，增強膜質，保證無外延頂傷風險。

   在背光Mini LED芯片技術方面，華燦光電優化了膜層結構設計，調節芯片出光，更易實現超薄設計。

   而在Micro-LED芯片方面，華燦光電在Sub微米級的工藝線寬控制、芯片側面漏電保護、襯底剝離技術（批量芯片轉移）、陣列鍵合技術（陣列轉移鍵合）、Micro LED的光形與取光調控方面取得了較好的結果。目前所獲得的的芯片良率可以達到5個9的水平，紅光Micro LED效率也到達了國際領先水平，并針對不同轉移方式，可以提供多種形式的Micro LED樣品。

   “小間距顯示技術已經非常成熟，第三代小間距產品即將面世，Mini LED 倒裝RGB芯片技術已經可以量產，Mini LED 背光芯片技術趨于成熟。”華燦光電副總裁李鵬認為，Micro LED目前處在開發當中，需要上中下游聯合開發。

   李鵬表示，Micro LED顯示將應用于電視、手機、AR/VR，車載顯示、可穿戴電子、數字顯示（商業廣告與顯示等）。

   據了解，華燦將適時推出Micro LED顯示的所有芯片解決方案。