新的一年，Micro LED依然備受矚目，有機構預測，2019年Micro LED的市場規模有望達到1億元。Micro LED技術的商業化應用被稱為“微米級競賽”，可見實現難度還是有點大的。新年，相信不少廠家也非常關注，Micro LED技術有何新進展。

  柔性Micro LED實現方案

  在日本Messe舉行的第28屆Fine Tech Japan技術研討會上（12月5日-7日），有一篇由V·Technology株式會社（顯示生產設備的大型企業）作的主題為“柔性Micro LED實現方案”的演講。演講的主要內容介紹了V·Technology公司（以下簡稱V-Tech）自主研發的柔性Micro LED顯示屏的生產工藝。

  通過UV Micro LED來實現彩色化

  V-Tech研發出一種基于柔性UV Micro LED的彩色化方案，它利用獨特的“扇形”結構和熒光材料來實現顯示器的彩色顯示。這種研發中的柔性Micro LED顯示屏使用聚酰亞胺（PI, polyimide）基板，研發人員在該基板上鍵合UV Micro LED芯片，并用20um（高度）*7um（寬）的扇形側壁結構將其封裝在內，該封裝結構內會填充熒光體涂層以實現彩色化顯示。

  Micro LED技術的研發開始于臺灣地區，V-Tech在剛確立其基本技術時，就已經與擁有核心技術的日本企業、大學進行合作。Nitride Semiconductors Co.,Ltd.為V-Tech提供了UV Micro LED，光阻（Photo Resist）廠商提供了關于Micro LED再排列技術的光感黏著劑等材料，東北大學提供了TFT和基板技術方面的指導，慶應大學等在熒光體單元和光阻技術方面提供了指導。

  由于紅、綠光LED的發光效率會隨著芯片尺寸的減小而減小，所以V-Tech選擇了UV-LED方案。理論上，使用短波長的光“激發”熒光體會更合適，再考慮到外量子效率、熒光體的轉換效率和發射波長的波動等因素，V-Tech最后選擇了波長為385nm的紫外光。

  該UV Micro LED芯片是一種由4吋藍寶石晶圓制成的倒裝芯片（flip chip）。芯片尺寸為17*49um，為了確保實現電氣連接，研究人員刻意把鍵合端子的尺寸做大。V-Tech稱，“決定芯片尺寸的不是亮度，而是實現電氣連接的端子大小”。

  這種UV Micro LED芯片發光的動態范圍（dynamic range）非常廣，據說驅動電流從0.5uA到10mA都可以保證發光。

  獨特的區域可選激光剝離技術—PSLLO

  從藍寶石晶圓上剝離LED需要進行LLO（激光剝離，Laser Lift Off）工藝，V-Tech在這里使用了其特有的“Partial SelectiveLLO(PSLLO)”工藝。一般的激光剝離技術會在藍寶石晶圓的背面選擇一個位置，并根據精度在藍寶石晶圓和LED芯片薄膜的界面處照射激光。但是，PSLLO使用獨特的“秘方”進行激光照射，結果不是將Micro LED全部剝離，而只是減弱特定區域的黏合力（目的是使其更容易剝離），這對于后面工序的芯片再排列很重要。

  接下來是把藍寶石晶圓上的UV Micro LED芯片轉移到PI基板上。PI基板上有很多起到電氣連接作用的凸點（bump），研發人員把凸點和LED芯片進行高精度地對接，再通過黏著涂層加熱加壓將其鍵合，最后取下藍寶石晶圓就實現了UV Micro LED芯片從晶圓到PI基板的轉移。這樣一來，轉移LED芯片就不再需要載帶（carrier tape）了。

  這期間如果通入電流，加熱加壓后實現電氣連接的芯片會發光，所以芯片的轉移、封裝和點燈檢查都可以伴隨制程同時進行。檢查出的不良芯片，在PSLLO工序里不會被激光照射到，進而也不會轉移到PI基板上。比起涂層的黏著強度，藍寶石晶圓和UV Micro LED芯片的粘著力更強，所以PSLLO工序可以選擇性地轉移出特定區域的芯片。

  利用扇形金屬側壁防止混色

  接下來是形成熒光體單元的扇形結構，該結構是彩色化顯示的最小顯示單元。如正常的黃光制程，在整體涂布熒光涂層后，再經過曝光、顯影和清洗最后形成圖案（pattern）。但是，UV光透過曝光后的光阻（resist），會激發旁邊的熒光體單元進而導致混色。為了避免混色的發生，V-Tech在熒光體單元內部還設計了金屬層。由于熒光體單元高度達20um且較厚，研發人員可以在鍍上金屬層后，使用脈沖激光（Pulsed laser）照射，進而只“切除（ablation）”底部的金屬涂層。在 “切除”后，金屬層就只剩下熒光體單元的側壁部分。

  在測試評估20-30種熒光體（包括量子點）的壽命、持久性、發光和吸收等特性后，V-Tech最終選用了粒子直徑為1-3um的無機熒光體填充上述熒光體單元。考慮到很薄的熒光體涂層不會吸收UV光，也不會引起變色，V-Tech設計的上述熒光體單元的高度為20um。

V-Tech柔性Micro LED顯示新工藝及制程設備

  已經拿到生產設備的訂單

  V-Tech通過以上一系列的制程工序試制了柔性Micro LED顯示屏，將其卷在直徑為3mm的圓棒上后，確認可以發光。基于此次試制結果，V-Tech內部同時還開始了生產設備的研發。

作為今后的課題，V-Tech還會開發高速維修設備，降低Micro LED芯片的成本，開發柔性基板（backplane）。V-Tech內部無法生產基板，公司的方案是與其他廠商合作。將來是僅銷售生產設備還是同時生產顯示屏呢？他們的商業模式目前還沒有確定，據V-Tech說，他們“希望保留選擇的機會”。

  在2018年11月，V-Tech宣布，他們從海外大客戶手里拿到了用于Micro LED生產線的LLO設備、LED轉移設備的訂單。（內容來源于CINNO）

  三星推出第二代Micro LED電視

  日前，三星在CES 2019前夕正式推出了第二代Micro LED電視，而且還推出了適用于家用的75英寸型號The Window，如果你家足夠壕氣，也可以選擇219英寸的The Wall。

  OLED雖好，但有機發光屏幕材料始終有壽命缺陷問題，但三星將來重點關注的Micro LED技術就沒有這方面的顧慮。Micro LED技術就是通過微縮技術把LED器件的物理尺寸從毫米級縮小至微米級（通常是100um以下）是原來LED的1%，非常夸張的說它比一顆沙子都要小，想要不同的尺寸的Micro LED屏幕就需要通過巨量轉移技術，將RGB三色的Micro LED搬移到基板上。而且每一個像素點都能定址、獨立驅動發光，達到超高像素、超高解析度的高端顯示要求，使得Micro LED在顯示領域具有無可比擬的優勢。

  OLED僅僅是由電流驅動的有機物制成的薄膜自發光，由于不需要背光以及液晶模組，厚度大大較少。但Micro LED做得更加極致，只需要4層結構就能完成整個發光模組，厚度更薄，而且在亮度上可以超越OLED，功耗比OLED低，屏幕相應時間達到了ns級別，而普通LCD需要ms級別，OLED也要μs。

  如此*秀的技術目前僅掌握在幾個廠商手中，三星便是其中跑得最快的一個，難怪三星敢放言要繼續領先顯示技術十數年。

  本次CES 2019上，三星將會展出75英寸Micro LED電視The Window，寓意著尺寸大小與一扇窗戶相當，非常適合家用。別看75英寸很大，其實現在大部分人家庭都可以容納這種尺寸電視，視覺效果更佳，同時三星將其厚度從第*代的80mm縮減至30mm。不過三星并未公布其售價以及發售日期，估計目前還是主要以炫技為主，不考慮商業問題。

  如果你家里是大別墅，那么電視尺寸可能要更巨大一些，一面墻那么大行不行？三星還發布了尺寸更大的Micro LED電視The Wall，尺寸*然達到了驚人的219英寸，比去年CES 2018發布的146英寸還要更大一些，十足電影院的感覺。

  三星還提到，Micro LED電視具備非常靈活的尺寸，什么意思，你想要什么尺寸都可以，因為Micro LED電視可以近乎無縫拼接在一起，可以讓電視變動更大。