華燦光電108億投建先進半導體與器件項目
類別：行業新聞發表于：2018-02-23 09:53
摘要：華燦光電就在義烏信息光電高新技術產業園區投資建設先進半導體與器件項目簽署《華燦光電先進半導體與器件項目投資框架協議》并由義烏市人民政府作為見證方。
華燦光電（下稱“公司”）發布公告，公司就在義烏信息光電高新技術產業園區投資建設先進半導體與器件項目簽署《華燦光電先進半導體與器件項目投資框架協議》并由義烏市人民政府作為見證方。
據公告顯示，項目內容包括：①LED外延及芯片；②藍寶石襯底；③紫外LED；④紅外LED；⑤microLED；⑥MEMS傳感器；⑦垂直腔面發射激光器（VCSEL）⑧氮化鎵（GaN）基激光器；⑨氮化鎵（GaN）基電力電子器件等先進半導體與器件項目。項目計劃總投資人民幣108億元。需建設用地約500畝，預計總建設周期為7年。
華燦表示，本協議的簽署，符合公司的戰略發展需要，有利于提升未來發展空間，為公司未來的發展注入動力。本項目如順利實施將有助于公司的業務拓展，為公司持續發展提供支持和保障，通過積累項目的建設和運營經驗，提升公司的核心競爭力和行業影響力。此外，本協議的簽訂對公司2018年度的營業收入、凈利潤等生產經營不構成重大影響，對公司長期收益的影響具有不確定性。
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