華燦首談Micro LED研發(fā)進(jìn)展

以下內(nèi)容摘自華燦光電在行家說APP發(fā)布的關(guān)于“華燦與著*廠商合作研發(fā)Micro LED取得了哪些進(jìn)展？”這一問題的回答。

    華燦光電表示剛開始準(zhǔn)備要做Micro LED的時候，作為專注于做芯片的我們面臨的最大的問題是要做出怎么樣的芯片，做Micro LED芯片陣列還是薄膜的Micro LED芯片。為此華燦光電考察了不同顯示應(yīng)用中所需要的顯示面積以及像素總量。據(jù)此把顯示應(yīng)用分為四個象限。

    第*個象限需要比較大的顯示面積以及比較多的像素總量，代表應(yīng)用為電視，電腦屏幕等。

    第二個象限需要較小的顯示面積以及較多的像素總量， 代表應(yīng)用為VR，AR等。

    第三個象限是較小的顯示面積以及較少像素總量，代表應(yīng)用為手表，手機(jī)等。

    第四個象限是較大的顯示面積以及較少的像素總量，代表應(yīng)用為HUD以及透明顯示屏等。

    對于Micro LED芯片陣列，可能更加適用于高像素密度的小屏幕應(yīng)用，也就是第二象限。對于薄膜的Micro LED芯片更加適用于底像素密度的大屏幕應(yīng)用，也就是第四象限。了解清楚了要做的最終產(chǎn)品之后也就知道需要做哪種芯片。

    不論是之前講的Micro LED芯片陣列還是薄膜Micro LED芯片，做出來之后直接面臨的另一個問題是如何表征和測試。同轉(zhuǎn)移類似，面對如此大量的Micro LED芯片，肯定也需要一種巨量測試(mass testing)方案。面對Micro LED芯片尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)用針接觸式（probing）的測試方案實(shí)現(xiàn)難度較大。很多廠家甚至在Micro LED芯片bonding到顯示背板上之后對整個背板進(jìn)行測試驗(yàn)證，然后對壞點(diǎn)進(jìn)行修復(fù)，這個會極大的增加對背板修復(fù)的成本。

    目前比較可行的方案是非接觸式的PL成像方案。具體如下圖，首先用激光照射覆蓋一定數(shù)量的Micro LED芯片，然后用PL的攝像頭拍攝被激光照射區(qū)域的Micro LED芯片的PL成像狀況。由于外延或者工藝制成導(dǎo)致Micro LED芯片亮度較低或者不亮的可以被此方法檢出。此方案能夠檢測出出貨前芯片的絕大部分異常，但是對芯片電壓和電極接觸不良的異常無法驗(yàn)出,還需要測試設(shè)備廠家配合研發(fā)新的設(shè)備。

    在這里只提這兩點(diǎn)，希望能引出更廣范圍的討論和更有創(chuàng)造性的方案來推動行業(yè)的進(jìn)展。除此之外，Micro LED芯片的產(chǎn)業(yè)化在外延均勻性，工藝制成良率，巨量轉(zhuǎn)移等方面都存在一定的技術(shù)瓶頸，行業(yè)內(nèi)的各行家都有很多創(chuàng)新的意見和建議，在這里也不再重復(fù)。華燦光電在這些方面同樣有進(jìn)行一定的研究。在外延方面，特別針對外延的波長、亮度、電壓均勻性進(jìn)行了優(yōu)化，四寸片的波長STD從1.8 nm下降到 0.7 nm。同時華燦光電還優(yōu)化了生產(chǎn)條件使得單片particle數(shù)量大大下降。為了增大外延片的利用率，華燦光電已經(jīng)著手優(yōu)化6寸外延片的生長條件；在芯片方面，主要在微米級尺寸芯片制成，側(cè)壁保護(hù)，襯底剝離，和芯片出光調(diào)控方面作了相應(yīng)優(yōu)化創(chuàng)新。目前在10-30 um 尺寸左右的Micro LED芯片陣列以及薄膜Micro LED芯片方面都取得了較好的進(jìn)展。