科銳新品進階推出低基面位錯4H碳化硅外延片

類別：技術與產品發表于：2012-09-19 14:38

關鍵字：科銳碳化硅外延片

摘要：科銳推出其最新低基面位錯（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。這一新型低基面位錯材料的推出進一步體現了科銳長期以來對碳化硅材料技術的不斷投入和創新。

科銳公司（CREE）日前宣布推出其*新低基面位錯（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1 cm-2。這一新型低基面位錯材料的推出進一步體現了科銳長期以來對碳化硅材料技術的不斷投入和創新。
科銳功率器件與射頻（RF）首席技術官 John Palmour 表示：“碳化硅雙極型（Bipolar）器件的發展長期以來受制于基面位錯引起的正向電壓衰減。該款低基面位錯材料能夠用于諸如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和可關斷晶閘管（GTO）等高壓雙極型器件，并且增加這些器件的穩定性。這一*新成果有助于消除遲滯高功率器件商業化的阻礙。”碳化硅是一種高性能的半導體材料，被廣泛地應用在照明、功率器件和通訊器件產品的生產中，包括發光二級管（LED）、功率轉換器件以及無線通訊用射頻功率晶體管等。

來源：LEDinside

【免責聲明】本站部分圖文內容轉載自互聯網。您若發現有侵犯您著作權的，請及時告知，我們將在第一時間刪除侵權作品，停止繼續傳播。