中國發展半導體，也成了新建晶圓廠的大戶，近日國際半導體協會（SEMI）公布 2016、2017 年新建的晶圓廠至少就有 19 座，而其中有高達 10 座皆建于中國，與中國大舉進軍半導體產業的態勢相吻合。

    SEMI 近期更新了全球晶圓廠預測報告，2015 年包含新晶圓廠、二手晶圓廠與專屬測試廠（in-house）在內的晶圓廠設備支出減少了 2%，但今年在 3D NAND Flash、10 納米邏輯制程發展下，估計 2016 年整體晶圓廠支出將能達到 360 億美元，年成長約 1.5%、2017 年更可望進一步來到 407 億美元，成長約 13%。

    SEMI 報告指出，2016 至 2017 年間，確定新建的晶圓廠就有 19 座，其中，12 寸（300mm）晶圓廠就占了十二座，8 寸（200mm）晶圓廠四座，6 寸（150mm）以下的 LED 廠也有三座，不含 LED 廠，其他十六座 8 寸與 12 寸晶圓廠今年開始興建的廠房與生產線，以約當 12 寸晶圓來看，裝機產能可達到平均每月 21 萬片，2017 年始建的晶圓廠，以約當 12 寸晶圓來看，裝機產能來到每月 33 萬片。

    報告同時觀察到，當半導體過渡到包含 3D 技術等尖端科技，現有晶圓廠的產能也正在降低，SEMI 預測，將有更多老舊晶圓廠將進行改建，更有甚者，新的晶圓廠以及新的產線也還會再增加。

    而以中國臺灣而言，根據 SEMI Taiwan 先前預測，2015 和 2016 年，臺灣前段晶圓廠整體投資預計將達 120 億美元。除了晶圓代工廠技術和產能投資的帶動，2014 年開始臺灣 DRAM 晶圓廠的支出同樣開始復蘇，并預期將維持成長至 2016 年。

（Source：SEMI Taiwan）

    （首圖來源：Pixabay）