近日，信越化學宣布推出用于GaN功率器件的QST（Qromis襯底技術）襯底。

   QST襯底的熱膨脹系數（CTE）與GaN相同，因此能抑制GaN外延層翹曲開裂。信越化學表示，這種襯底可實現大直徑、高質量的厚GaN外延生長，適用于功率器件和射頻器件，以及Micro LED顯示器的MicroLED生長。

   除此之外，該公司還表示將銷售GaN生長QST襯底。目前已推出直徑為6英寸和8英寸的襯底，并正在開發12英寸襯底。

   信越化學表示，公司一直在穩步改進QST襯底技術。針對更厚的GaN薄膜，還推動了模板襯底的供應，這些模板襯底帶有優化緩沖層，能夠實現厚度超過10 μm的穩定外延生長。

   據悉，信越化學與沖電氣共同開發了一項技術，可從QST襯底上剝離GaN，并利用晶體膜鍵合（CFB）技術將其鍵合在不同材料制成的襯底上。

   對于制造GaN器件的客戶，信越化學將供應QST襯底或GaN生長QST襯底，而沖電氣工業將通過合作或授權的方式提供其CFB技術。兩家公司希望通過這種方式為垂直功率器件的發展做出貢獻。